-
公开(公告)号：CN115602700A
公开(公告)日：2023-01-13
申请号：CN202210645131.X
申请日：2022-06-09
Applicant: 现代摩比斯株式会社(KR)
IPC: H01L29/06 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本公开提供了一种功率半导体器件。功率半导体器件包括：基于碳化硅(SiC)的半导体层；设置为在半导体层内部在垂直方向上延伸并且具有第一导电类型的垂直漂移区；阱区，其定位在垂直漂移区的至少一侧处以与垂直漂移区接触并且具有第二导电类型；凹入栅电极，其从半导体层的表面延伸到半导体层中并且掩埋在垂直漂移区和阱区中以在第一方向上与垂直漂移区和阱区交叉；源区，其在凹入栅电极之间定位在阱区中并且具有第一导电类型；以及绝缘层保护区，其在垂直漂移区中分别围绕凹入栅电极的下部并且具有第二导电类型。本公开的功率半导体器件可以减轻电场集中到栅极层的角部，减小沟道电阻和增大沟道密度。
Search Results
1
records
(took 0.023 seconds)
筛选
AND
AND
过滤
NOT
NOT
Scan to Join
