公开(公告)号：CN115602700A

公开(公告)日：2023-01-13

申请号：CN202210645131.X

申请日：2022-06-09

Applicant: 现代摩比斯株式会社(KR)

Inventor： 河定穆 ,  禹赫 ,  金台烨 ,  崔东桓 ,  金信儿

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本公开提供了一种功率半导体器件。功率半导体器件包括：基于碳化硅(SiC)的半导体层；设置为在半导体层内部在垂直方向上延伸并且具有第一导电类型的垂直漂移区；阱区，其定位在垂直漂移区的至少一侧处以与垂直漂移区接触并且具有第二导电类型；凹入栅电极，其从半导体层的表面延伸到半导体层中并且掩埋在垂直漂移区和阱区中以在第一方向上与垂直漂移区和阱区交叉；源区，其在凹入栅电极之间定位在阱区中并且具有第一导电类型；以及绝缘层保护区，其在垂直漂移区中分别围绕凹入栅电极的下部并且具有第二导电类型。本公开的功率半导体器件可以减轻电场集中到栅极层的角部，减小沟道电阻和增大沟道密度。

公开(公告)号：CN115588668A

公开(公告)日：2023-01-10

申请号：CN202210563781.X

申请日：2022-05-23

Applicant: 现代摩比斯株式会社

Inventor： 金信儿 ,  金台烨 ,  河定穆 ,  崔东桓 ,  禹赫

IPC: H01L27/02 ,  H01L27/088 ,  H01L29/06

Abstract: 一种功率半导体器件，包括：SiC半导体层；多个阱区，其设置在半导体层中，使得两个相邻的阱区至少部分地彼此接触；多个源区，其设置在半导体层中的多个阱区上；漂移区，其具有第一导电类型；多个沟槽，其设置为从半导体层的表面凹入半导体层中；栅绝缘层，其设置在每个沟槽的内壁上；栅电极层，其设置在栅绝缘层上，并且包括设置在每个沟槽中的第一部分和设置在半导体层上的第二部分；柱区，其位于多个阱区下方，以与漂移区接触；以及多个阱区，其设置在半导体层中，并且具有第二导电类型。