公开(公告)号：CN117185780A

公开(公告)日：2023-12-08

申请号：CN202311141585.4

申请日：2023-09-06

Applicant: 桂林电子科技大学 ,  南宁桂电电子科技研究院有限公司

Inventor： 许积文 ,  王倓 ,  徐华蕊 ,  朱归胜

IPC: C04B35/01 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种低氧化锡含量ITO靶材及制备方法，所述ITO靶材掺杂了0.02wt%±10%的二氧化硅和0.25wt%±10%的二氧化钛，氧化锡在氧化铟、氧化锡两者中的重量占比为1‑3。所述ITO靶材的制备方法包括：（1）称取氧化铟和氧化锡粉末，其中氧化锡粉末重量占比1‑3；再另外添加0.02wt%±10%的二氧化硅和0.25wt%±10%的二氧化钛，以无水乙醇为溶剂，球磨后烘干。（2）加入40wt%的乙酸再次充分研磨，获得浆料。（3）浆料置于模具中，缓慢加压至200‑300MPa，升温至400℃±10%，保温保压1‑2小时，得到ITO素坯。（4）ITO素坯在氧化气氛、1400‑1550℃温度下烧结，得到低氧化锡含量ITO靶材。本发明可以提高ITO薄膜中的载流子迁移率，有助于提高薄膜太阳能电池的性能。

公开(公告)号：CN116988072A

公开(公告)日：2023-11-03

申请号：CN202311151709.7

申请日：2023-09-07

Applicant: 桂林电子科技大学 ,  南宁桂电电子科技研究院有限公司

Inventor： 王倓 ,  曾世龙 ,  徐华蕊 ,  朱归胜 ,  许积文

IPC: C25B1/01 ,  C25B1/50 ,  C01G15/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种纳米氧化铟粉体的电解制备方法，采用匀强电场的环形电场电极布局方式，同时结合相应的电流密度、电解质浓度、pH及其它条件，制备出晶粒大小适中（平均晶粒尺寸为65nm左右），分散性良好的球形和类球形In2O3晶粒。相对于目前现有的方式，获得的In2O3颗粒的均匀性和分散性都有明显的改善，且晶粒尺寸也明显减小。

公开(公告)号：CN112830781B

公开(公告)日：2022-10-28

申请号：CN202110068249.6

申请日：2021-01-19

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 王华 ,  刘浩男 ,  许积文 ,  杨玲 ,  周尚菊 ,  丘伟

IPC: C04B35/495 ,  C04B35/622 ,  C04B35/63

Abstract: 本发明提供了一种无铅透明铁电陶瓷材料及其制备方法和应用，涉及陶瓷材料技术领域。本发明提供的无铅透明铁电陶瓷材料的化学组成为(1‑x)K0.5Na0.5NbO3‑xSr(Bi0.5Nb0.5)O3，x＝0.02～0.07。本发明以KNN铁电陶瓷为基体，固溶第二组元Sr(Bi0.5Nb0.5)O3后，使陶瓷材料具有透光性能；通过控制第二组元的固溶比例，有效调控陶瓷的相结构，使陶瓷处在四方相和立方相两项共存的伪立方相结构，显著提高陶瓷的透过率，并使陶瓷材料具备较好的铁电性能。本发明提供的透明铁电陶瓷材料不含铅，且具有良好的透光性能和铁电性能，是一种光、电功能共存且可调控的多功能陶瓷材料。

公开(公告)号：CN114933415A

公开(公告)日：2022-08-23

申请号：CN202110687186.2

申请日：2021-06-21

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 尚飞 ,  陈国华 ,  许积文

IPC: C03C10/02 ,  C03C4/16 ,  C03B5/16 ,  C03B25/00 ,  C03B32/02 ,  C03C17/10

Abstract: 本发明涉及电介质储能材料，特别涉及一种高储能高温稳定性的微晶玻璃介质材料及其制备方法，制备的微晶玻璃介质材料的化学组分为：x(A4X2Z4Nb10O30)‑y(aP2O5‑bB2O3‑cAl2O3)‑zMmOn；所得的微晶玻璃材料的实测放电储能密度可达7.36J/cm3@1100kV/cm，峰值功率密度可达2282MW/cm3；在400kV/cm的场强下，其场致应变为0，实测放电储能密度1.00‑1.50J/cm3，在25‑100℃的温度区间内实现至少300圈充放电循环，而性能没有劣化；同时玻璃组成中无铅，达到了环保的目的。

公开(公告)号：CN114560712A

公开(公告)日：2022-05-31

申请号：CN202210165519.X

申请日：2022-02-23

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 许积文 ,  余晨旭 ,  杨玲 ,  王华

IPC: C04B35/80 ,  C04B35/453 ,  C04B35/622 ,  C04B35/64 ,  C23C14/08 ,  C23C14/30 ,  D01F9/08

Abstract: 本发明公开了一种热蒸发镀膜陶瓷靶材及制备方法，所述陶瓷靶材包括与原料粉体共同构成异质结构的结构材料，所述结构材料为与原料粉体相同化学组份的陶瓷纤维和/或陶瓷片，所述陶瓷纤维的长度为5‑100μm，直径为0.2‑6μm；所述陶瓷片的厚度为2‑10μm、宽度为20‑60μm；结构材料在陶瓷靶材中的占比为10‑35wt%。本发明通过在靶材原料中添加同种材质的陶瓷纤维、陶瓷片或者两者组合，使陶瓷靶材坯体在烧结后形成一种异质结构，在不影响镀膜质量的前提下，解决陶瓷靶材热蒸发时热冲击应力过大易造成开裂的问题。

公开(公告)号：CN114436641A

公开(公告)日：2022-05-06

申请号：CN202210197348.9

申请日：2022-03-02

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 许积文 ,  余晨旭 ,  杨玲 ,  王华 ,  周贤界

IPC: C04B35/453 ,  C23C14/35 ,  C23C14/08 ,  C04B35/622 ,  C04B35/64

Abstract: 本发明公开了一种磁控溅射陶瓷靶材及制备方法，所述陶瓷靶材由氧化锌、掺杂物和助烧物组成，所述掺杂物含量占比为0.7‑2.5wt%，所述助烧物含量占比为0.08‑0.15wt%；所述掺杂物的组成为钨酸锌和/或钼酸锌，当掺杂物为钨酸锌和钼酸锌的混合物时，其中钨酸锌的占比为30‑70wt%；所述助烧物为硼酸锌、硅酸锌和铋酸锌的混合物，其中硼酸锌、硅酸锌和铋酸锌的占比分别为20‑30wt%、40‑60wt%和20‑30wt%。采用本发明提供的陶瓷靶材进行磁控溅射镀膜，可以获得高载流子迁移率的透明导电薄膜。

公开(公告)号：CN113429205A

公开(公告)日：2021-09-24

申请号：CN202110806711.8

申请日：2021-07-16

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 王华 ,  刘浩男 ,  许积文 ,  杨玲 ,  周尚菊

IPC: C04B35/495 ,  C04B35/622 ,  C09K11/74

Abstract: 本发明提供了一种透明下转换光致发光陶瓷材料及其制备方法和应用，属于陶瓷材料技术领域。本发明提供的透明下转换光致发光陶瓷材料，化学式为0.94K0.5Na0.5NbO3‑0.06Sr(Bi0.5Nb0.5)O3,x％Ce，x＝0.1～0.4。本发明提供的陶瓷材料以K0.5Na0.5NbO3(KNN)铁电陶瓷为基体，固溶第二组元Sr(Bi0.5Nb0.5)O3后，使陶瓷材料具有透光性能；在此基础上掺杂稀土Ce，使陶瓷材料同时具有良好的透光性和下转换发光性能。本发明通过控制上述陶瓷材料中各种成分的含量，使所述陶瓷材料具有出色的透明和发光性能，是一种多功能光电陶瓷材料。

公开(公告)号：CN110518139B

公开(公告)日：2021-08-24

申请号：CN201910867534.7

申请日：2019-09-13

Applicant: 桂林电子科技大学 ,  中国有色桂林矿产地质研究院有限公司

Inventor： 张小文 ,  李皖蜀 ,  徐凯 ,  许积文 ,  陈国华 ,  王立惠 ,  卢宗柳

IPC: H01L51/50 ,  H01L51/56

Abstract: 本发明公开了一种倒置结构紫外有机发光器件双电子注入层的制备方法，包括步骤：（1）用无水乙醇洗涤CsWOx粉末，然后过滤、干燥、加入去离子水，得到CsWOx水性溶液。（2）将35‑45nm的金属钼粉末及10‑14μm的金属钨粉末加入到盛有异丙醇的容器中，金属钼粉末与金属钨粉末重量比1:（1.8‑2.0），然后再加入H2O2搅拌，得到悬浮液。（3）将整个容器放入高压反应釜中，在160°C的环境下加热12小时，冷却至室温后离心收集沉淀物，所收集的沉淀物再用无水乙醇洗涤，得到MoWOx乙醇溶液。（4）将CsWOx水性溶液旋涂在处理好的ITO表面上并做退火处理；然后在其上再旋涂MoWOx乙醇溶液并做退火处理。

公开(公告)号：CN108623302B

公开(公告)日：2021-01-05

申请号：CN201810670156.9

申请日：2018-06-26

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 周昌荣 ,  许积文 ,  曾卫东 ,  黎清宁 ,  杨玲 ,  袁昌来 ,  陈国华 ,  饶光辉

IPC: C04B35/475 ,  C04B35/626 ,  C04B41/00

Abstract: 本发明公开了一种无铅压电纳米阵列及其制备方法，材料组成为：0.9Bi0.5Na0.5TiO3‑0.1Bi2(Mn4/3Ni2/3)O6。通过Bi0.5Na0.5TiO3和A位纯Bi的Bi2(Mn4/3Ni2/3)O6铁电体复合，结合固相烧结及热处理技术，生长纳米阵列，其中纳米线长度在2‑10μm，直径为60‑800nm，工艺简单，产率高，成本低廉，适合大规模工业生产。

公开(公告)号：CN107010947B

公开(公告)日：2020-09-01

申请号：CN201710302249.1

申请日：2017-05-02

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 周昌荣 ,  黎清宁 ,  许积文 ,  杨玲 ,  袁昌来 ,  曾卫东 ,  陈国华

IPC: C04B35/49

Abstract: 本发明公开了一种具有临界突变开关效应的无铅铁电陶瓷材料及其制备方法，材料配方为：Bi1/2Na1/2Ti0.85(Li1/4Nb3/4)0.05(Zr1/2Zn1/2)0.10O3；通过B位与Ti4+离子相同化合价的复合离子(Li1/4Nb3/4)4+，以及不同化合价复合离子(Zr1/2Zn1/2)3+，严格以1:2的比例，在B位取代Ti4+离子，产生不同带电缺陷类型，形成相邻晶胞缺陷有序排列，产生电子和空穴补偿型的带电电畴(非空位或者离子补偿效应)，因而出现特殊的临界开关效应的电场诱导巨应变行为。制得产品经实验测量具有电场诱导的巨应变性能，应变量可达S%=0.47%，同时具有在临界开关电场EC=56kV/cm巨应变发生，并且在很窄的电场范围内ΔE=2kV/cm发生完全应变，在临界区域，应变变化率α可达2.8×103。这些性能目前还未见报道，可以在特殊的场合应用。