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公开(公告)号：CN103236497B
公开(公告)日：2015-10-28
申请号：CN201310145707.7
申请日：2013-04-25
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明公开了一种基于钛酸铋材料的阻变存储器及其制备方法。阻变存储介质层为Bi4Ti3O12及其掺杂物，掺杂元素包括Nb、Ta、La、Sr、V、Nd、Ce、Sm、Ca和Pr，阻变介质层为薄膜形态。器件结构为衬底/下电极/阻变介质层/上电极，上、下电极材料为导电氧化物或金属，上、下电极的厚度为80nm到500nm，阻变介质层厚度为10nm到1000nm。整个存储器的制备使用磁控溅射方法。本发明的有益效果在于采用钛酸铋作为存储介质的阻变存储器具有较大的高低电阻比，有利于数字信息0和1的区分，降低了数据的写入和读取的误判。
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公开(公告)号：CN110041074B
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN201910478416.7
申请日：2019-06-03
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/495 , C04B35/622
Abstract: 本发明提供了一种上转换发光透明铁电陶瓷材料及其制备方法和应用，属于陶瓷材料领域。本发明提供的陶瓷材料结构式为：(1‑x)K0.5Na0.5NbO3‑xSr(Yb0.5Nb0.5)O3‑yM，M为Er或Ho，x＝0.05～0.35，y＝0.001～0.01。本发明提供的陶瓷材料以K0.5Na0.5NbO3(KNN)铁电陶瓷为基体，固溶第二组元Sr(Yb0.5Nb0.5)O3后，使陶瓷材料具有透明性能；在此基础上，通过掺杂稀土Er或Ho，使陶瓷材料同时具有上转换光致发光性能。本发明提供的陶瓷材料同时具备较好的上转换发光性能和铁电性能，而且透光性较好，是一种多功能陶瓷材料。
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公开(公告)号：CN112830781A
公开(公告)日：2021-05-25
申请号：CN202110068249.6
申请日：2021-01-19
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/495 , C04B35/622 , C04B35/63
Abstract: 本发明提供了一种无铅透明铁电陶瓷材料及其制备方法和应用，涉及陶瓷材料技术领域。本发明提供的无铅透明铁电陶瓷材料的化学组成为(1‑x)K0.5Na0.5NbO3‑xSr(Bi0.5Nb0.5)O3，x＝0.02～0.07。本发明以KNN铁电陶瓷为基体，固溶第二组元Sr(Bi0.5Nb0.5)O3后，使陶瓷材料具有透光性能；通过控制第二组元的固溶比例，有效调控陶瓷的相结构，使陶瓷处在四方相和立方相两项共存的伪立方相结构，显著提高陶瓷的透过率，并使陶瓷材料具备较好的铁电性能。本发明提供的透明铁电陶瓷材料不含铅，且具有良好的透光性能和铁电性能，是一种光、电功能共存且可调控的多功能陶瓷材料。
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公开(公告)号：CN103236497A
公开(公告)日：2013-08-07
申请号：CN201310145707.7
申请日：2013-04-25
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明公开了一种基于钛酸铋材料的阻变存储器及其制备方法。阻变存储介质层为Bi4Ti3O12及其掺杂物，掺杂元素包括Nb、Ta、La、Sr、V、Nd、Ce、Sm、Ca和Pr，阻变介质层为薄膜形态。器件结构为衬底/下电极/阻变介质层/上电极，上、下电极材料为导电氧化物或金属，上、下电极的厚度为80nm到500nm，阻变介质层厚度为10nm到1000nm。整个存储器的制备使用磁控溅射方法。本发明的有益效果在于采用钛酸铋作为存储介质的阻变存储器具有较大的高低电阻比，有利于数字信息0和1的区分，降低了数据的写入和读取的误判。
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公开(公告)号：CN112830781B
公开(公告)日：2022-10-28
申请号：CN202110068249.6
申请日：2021-01-19
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/495 , C04B35/622 , C04B35/63
Abstract: 本发明提供了一种无铅透明铁电陶瓷材料及其制备方法和应用，涉及陶瓷材料技术领域。本发明提供的无铅透明铁电陶瓷材料的化学组成为(1‑x)K0.5Na0.5NbO3‑xSr(Bi0.5Nb0.5)O3，x＝0.02～0.07。本发明以KNN铁电陶瓷为基体，固溶第二组元Sr(Bi0.5Nb0.5)O3后，使陶瓷材料具有透光性能；通过控制第二组元的固溶比例，有效调控陶瓷的相结构，使陶瓷处在四方相和立方相两项共存的伪立方相结构，显著提高陶瓷的透过率，并使陶瓷材料具备较好的铁电性能。本发明提供的透明铁电陶瓷材料不含铅，且具有良好的透光性能和铁电性能，是一种光、电功能共存且可调控的多功能陶瓷材料。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110041074A
公开(公告)日：2019-07-23
申请号：CN201910478416.7
申请日：2019-06-03
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/495 , C04B35/622
Abstract: 本发明提供了一种上转换发光透明铁电陶瓷材料及其制备方法和应用，属于陶瓷材料领域。本发明提供的陶瓷材料结构式为：(1-x)K0.5Na0.5NbO3-xSr(Yb0.5Nb0.5)O3-yM，M为Er或Ho，x＝0.05～0.35，y＝0.001～0.01。本发明提供的陶瓷材料以K0.5Na0.5NbO3(KNN)铁电陶瓷为基体，固溶第二组元Sr(Yb0.5Nb0.5)O3后，使陶瓷材料具有透明性能；在此基础上，通过掺杂稀土Er或Ho，使陶瓷材料同时具有上转换光致发光性能。本发明提供的陶瓷材料同时具备较好的上转换发光性能和铁电性能，而且透光性较好，是一种多功能陶瓷材料。
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公开(公告)号：CN103236498B
公开(公告)日：2015-10-28
申请号：CN201310145858.2
申请日：2013-04-25
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种非极性阻变存储器及其制备方法，包括导电衬底兼下电极、阻变存储介质、金属上电极。导电衬底材料为p+型硅片衬底，阻变存储介质薄膜为ZnMn2O4及其掺杂物，掺杂元素包括Y、Sc、Mg、Si、Sn和In，厚度为20nm到1200nm。金属上电极材料包括Al、Ag、Au、Cu、Ni、Pt和Ti，其厚度为50nm到200nm。本发明的优点是：同一种结构的阻变存储器同时具备双极性和单极性的存储特性。根据不同极性的阻变存储特性，可扩展阻变存储器的应用前景。
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公开(公告)号：CN103236498A
公开(公告)日：2013-08-07
申请号：CN201310145858.2
申请日：2013-04-25
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种非极性阻变存储器及其制备方法，包括导电衬底兼下电极、阻变存储介质、金属上电极。导电衬底材料为p+型硅片衬底，阻变存储介质薄膜为ZnMn2O4及其掺杂物，掺杂元素包括Y、Sc、Mg、Si、Sn和In，厚度为20nm到1200nm。金属上电极材料包括Al、Ag、Au、Cu、Ni、Pt和Ti，其厚度为50nm到200nm。本发明的优点是：同一种结构的阻变存储器同时具备双极性和单极性的存储特性。根据不同极性的阻变存储特性，可扩展阻变存储器的应用前景。
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公开(公告)号：CN205429011U
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201620211105.6
申请日：2016-03-21
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01L43/10
Abstract: 本实用新型公开了一种低漏电流铁酸铋薄膜，所述薄膜包括衬底，以及衬底上的Bi4?xNdxTi3O12薄膜层，Bi4?xNdxTi3O12薄膜层上是BiFeO3薄膜层，并且Bi4?xNdxTi3O12薄膜层与BiFeO3薄膜层交替搭配，形成Bi4?xNdxTi3O12/BiFeO3复合薄膜，其中X的取值范围是0.4?0.85。本实用新型通过在BiFeO3薄膜与衬底间引入Bi4?xNdxTi3O12铁电薄膜缓冲层来降低BiFeO3薄膜的漏电流，提高铁电性能，在高电场下，该复合薄膜的漏电流密度比纯BiFeO3薄膜降低了4个数量级，铁电性能也得到了很大的提高。
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公开(公告)号：CN209296847U
公开(公告)日：2019-08-23
申请号：CN201822214203.7
申请日：2018-12-27
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G01R31/00
Abstract: 本实用新型公开了一种数字电位器调节特性和调节灵敏度的测量装置，包括电阻箱和电路主板模块及与电路主板模块连接的数字电压表和数字电流表，电路主板模块设有单片机及与单片机电连接的数字电位器和电源，数字电位器包含RH端、RL端和RW端，其中RH端为数字电位器的高电压端，RL端为数字电位器的低电压端，RW端为数字电位器的滑动端，通过数字电位器的RH端、RL端和RW端可实现数字电位器分压电路和限流电路的连接，单片机外接键盘和数码管，电源外接开关和指示灯。这种装置可精确地控制和显示数字电位器的RW位置，提高数字电位器的读数精度，而且操作方便，测定的调节特性曲线和调节灵敏度曲线与理论曲线相一致。
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