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公开(公告)号：CN114436641B
公开(公告)日：2022-12-20
申请号：CN202210197348.9
申请日：2022-03-02
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/453 , C23C14/35 , C23C14/08 , C04B35/622 , C04B35/64
Abstract: 本发明公开了一种磁控溅射陶瓷靶材及制备方法，所述陶瓷靶材由氧化锌、掺杂物和助烧物组成，所述掺杂物含量占比为0.7‑2.5wt%，所述助烧物含量占比为0.08‑0.15wt%；所述掺杂物的组成为钨酸锌和/或钼酸锌，当掺杂物为钨酸锌和钼酸锌的混合物时，其中钨酸锌的占比为30‑70wt%；所述助烧物为硼酸锌、硅酸锌和铋酸锌的混合物，其中硼酸锌、硅酸锌和铋酸锌的占比分别为20‑30wt%、40‑60wt%和20‑30wt%。采用本发明提供的陶瓷靶材进行磁控溅射镀膜，可以获得高载流子迁移率的透明导电薄膜。
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公开(公告)号：CN114436641A
公开(公告)日：2022-05-06
申请号：CN202210197348.9
申请日：2022-03-02
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/453 , C23C14/35 , C23C14/08 , C04B35/622 , C04B35/64
Abstract: 本发明公开了一种磁控溅射陶瓷靶材及制备方法，所述陶瓷靶材由氧化锌、掺杂物和助烧物组成，所述掺杂物含量占比为0.7‑2.5wt%，所述助烧物含量占比为0.08‑0.15wt%；所述掺杂物的组成为钨酸锌和/或钼酸锌，当掺杂物为钨酸锌和钼酸锌的混合物时，其中钨酸锌的占比为30‑70wt%；所述助烧物为硼酸锌、硅酸锌和铋酸锌的混合物，其中硼酸锌、硅酸锌和铋酸锌的占比分别为20‑30wt%、40‑60wt%和20‑30wt%。采用本发明提供的陶瓷靶材进行磁控溅射镀膜，可以获得高载流子迁移率的透明导电薄膜。
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公开(公告)号：CN104987060B
公开(公告)日：2017-06-23
申请号：CN201510344609.5
申请日：2015-06-18
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C23C14/34 , C23C14/08 , C04B35/453 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种具有骨架网络结构的氧化锌蒸镀靶材的制备方法：高温烧制获得微米级粉体，加入纳米级粉体、碎颗粒、氢氧化物浆料中的一种或者多种混合，再加入粘接剂压制成型，高温烧结后得到蒸镀靶材。本发明通过构建具有三维骨架网络的结构，实现对低密度蒸发材料的结构强化，所制备的氧化锌蒸镀材料具有较高的强度，抗热冲击性能好，彻底解决高能电子束轰击时开裂的问题。
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公开(公告)号：CN104291792A
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：CN201410507261.2
申请日：2014-09-28
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/01 , C04B35/453 , C04B35/10 , C04B35/04 , C04B35/48 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种氧化物陶瓷靶材及其制备方法，所述氧化物陶瓷靶材由30-70wt%的In2O3、5-40wt%的XO、10-50wt%的ZnO组成，上述三者比例之和为100%，其中XO是铝、镁、锡或铪的氧化物。所述制备方法包括如下步骤：（1）将30-70wt%的In2O3、5-40wt%的XO和10-50wt%的ZnO装入粉碎机中粉碎；（2）将球磨后得到的混合物粉体压制成型，获得平面或管状的素坯；（3）将平面或管状的素坯脱脂；（4）将脱脂后的素坯进行烧结，获得高密度的陶瓷靶材。本发明用于替代现有的含镓氧化物陶瓷靶材，在保持性能的同时，实现靶材及TFT器件成本的降低。
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公开(公告)号：CN104987060A
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：CN201510344609.5
申请日：2015-06-18
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/453 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种具有骨架网络结构的氧化锌蒸镀靶材的制备方法：高温烧制获得微米级粉体，加入纳米级粉体、碎颗粒、氢氧化物浆料中的一种或者多种混合，再加入粘接剂压制成型，高温烧结后得到蒸镀靶材。本发明通过构建具有三维骨架网络的结构，实现对低密度蒸发材料的结构强化，所制备的氧化锌蒸镀材料具有较高的强度，抗热冲击性能好，彻底解决高能电子束轰击时开裂的问题。
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