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公开(公告)号:CN119173604A
公开(公告)日:2024-12-20
申请号:CN202380015667.6
申请日:2023-11-08
Applicant: 株式会社LG化学
IPC: C09J163/00 , C09J11/04 , C08L61/04 , C08L33/20 , C08L71/00 , H01L21/683
Abstract: 本发明涉及非导电膜、半导体装置及其制造方法。所述非导电膜可以有效地防止在半导体制造过程期间产生空隙,并充分地粘附至半导体元件,从而提供具有优异可靠性的半导体装置。
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公开(公告)号:CN111406095A
公开(公告)日:2020-07-10
申请号:CN201980005954.2
申请日:2019-01-09
Applicant: 株式会社LG化学
Abstract: 本发明涉及用于模制半导体的环氧树脂组合物以及使用这样的用于模制半导体的环氧树脂组合物的模制膜和半导体封装,所述用于模制半导体的环氧树脂组合物在具有低的热膨胀系数并因此表现出改善的翘曲特性的同时具有优异的耐热性和机械特性并且还具有改善的可见性。
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公开(公告)号:CN110770366A
公开(公告)日:2020-02-07
申请号:CN201880040649.2
申请日:2018-06-22
Applicant: 株式会社LG化学
IPC: C23C16/455 , C23C16/54 , C03C17/00 , C03B35/20
Abstract: 本发明涉及用于涂覆多孔基底的表面的设备和方法,根据本发明的一个方面,提供了用于涂覆具有第一表面和与第一表面相对的第二表面的多孔基底的表面的设备,所述设备包括:用于将源气体供应至多孔基底的第一表面的第一供应部;用于在多孔基底内部产生从多孔基底的第一表面朝向第二表面的方向上的流动流的第一泵送部;用于将源气体供应至多孔基底的第二表面的第二供应部;用于在多孔基底内部产生从多孔基底的第二表面朝向第一表面的方向上的流动流的第二泵送部;和用于输送基底的基底载体。
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公开(公告)号:CN111406095B
公开(公告)日:2023-06-13
申请号:CN201980005954.2
申请日:2019-01-09
Applicant: 株式会社LG化学
Abstract: 本发明涉及用于模制半导体的环氧树脂组合物以及使用这样的用于模制半导体的环氧树脂组合物的模制膜和半导体封装,所述用于模制半导体的环氧树脂组合物在具有低的热膨胀系数并因此表现出改善的翘曲特性的同时具有优异的耐热性和机械特性并且还具有改善的可见性。
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公开(公告)号:CN115298242B
公开(公告)日:2024-04-19
申请号:CN202180021448.X
申请日:2021-04-16
Applicant: 株式会社LG化学
Abstract: 本公开内容涉及固化剂、包含固化剂的用于半导体器件的粘合剂组合物、用于半导体器件的粘合剂膜和包括其的半导体封装件,所述粘合剂组合物表现出优异的粘合强度并且由于抑制开裂而具有优异的耐久性。
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公开(公告)号:CN111406312A
公开(公告)日:2020-07-10
申请号:CN201880075979.5
申请日:2018-12-20
Applicant: 株式会社LG化学
IPC: H01L23/29 , H01L23/482 , H01L23/485 , H01L21/02
Abstract: 本发明涉及用于制造半导体封装用绝缘层的方法和使用用于制造半导体封装用绝缘层的方法获得的半导体封装用绝缘层,其可以通过利用磁特性除去在半导体封装用绝缘层的制造期间在绝缘层中产生的孔来改善可靠性并且具有优异的耐热性。
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公开(公告)号:CN118414394A
公开(公告)日:2024-07-30
申请号:CN202380015403.0
申请日:2023-04-06
Applicant: 株式会社LG化学
IPC: C09J7/38 , C09J163/00 , C08L33/00 , H01L21/683
Abstract: 本公开内容涉及用于接合半导体的膜和使用其的半导体封装,所述用于接合半导体的膜在表现出优异的粘合力的同时容易地控制嵌条,并且可以防止焊料熔化并与芯片熔合的问题。
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