用于制造半导体封装的方法

    公开(公告)号:CN112154537A

    公开(公告)日:2020-12-29

    申请号:CN202080002869.3

    申请日:2020-01-23

    Abstract: 本公开涉及用于制造半导体封装的方法,所述方法包括:在其上提供有复数个硅通孔并形成有凸块电极的基板上真空层合非导电膜,然后进行UV照射,其中可以将在UV照射前后的熔体粘度的增加调节至30%或更小,由此可以在热压接合期间在没有空隙的情况下进行接合,并且可以防止焊料之间的树脂嵌入现象,可以使嵌条最小化并且可以改善可靠性。

    用于制造半导体封装的方法

    公开(公告)号:CN112154537B

    公开(公告)日:2024-08-13

    申请号:CN202080002869.3

    申请日:2020-01-23

    Abstract: 本公开涉及用于制造半导体封装的方法,所述方法包括:在其上提供有复数个硅通孔并形成有凸块电极的基板上真空层合非导电膜,然后进行UV照射,其中可以将在UV照射前后的熔体粘度的增加调节至30%或更小,由此可以在热压接合期间在没有空隙的情况下进行接合,并且可以防止焊料之间的树脂嵌入现象,可以使嵌条最小化并且可以改善可靠性。

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