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    用于磨削背面的胶粘片及半导体晶片的制造方法
    3.
    发明公开
    用于磨削背面的胶粘片及半导体晶片的制造方法 有权

    公开(公告)号：CN113165136A

    公开(公告)日：2021-07-23

    申请号：CN202080006585.1

    申请日：2020-02-21

    Applicant: 株式会社迪思科 ,  电化株式会社

    Inventor： 卡尔·海因茨·普利瓦西尔 ,  津久井友也 ,  金井朋之 ,  齐籐岳史

    IPC: B24B7/22 ,  C09J201/00 ,  B24B37/30 ,  B24B41/06 ,  H01L21/304 ,  H01L21/683 ,  C09J7/22 ,  C09J7/29

    Abstract: 提供一种用于磨削背面的胶粘片，能够适当保护设于半导体晶片的凸部的同时可适当进行背面磨削。根据本发明，提供一种用于磨削具有凸部的半导体晶片的背面的胶粘片，其具备非粘合性的垫层以及设于上述垫层上的粘合剂层，上述粘合剂层具有直径小于上述半导体晶片直径的开口部，上述半导体晶片的外周部以上述半导体晶片的凸部配置于上述开口部内的方式粘贴于上述粘合剂层，在上述半导体晶片粘贴于上述粘合剂层的状态下，上述凸部被上述垫层保护的方式构成，满足以下条件(1)～(2)中至少一项：(1)上述垫层是根据JIS Z 1702使用哑铃冲模，构成为以标记线之间距离40mm、拉伸速度300mm/min拉长25％时的拉伸应力为2～30N/10mm；(2)上述垫层由熔体流动速率(JIS K 7210、125℃/10.0kg荷重)为0.2～30g/10min、熔点为60～110℃的热塑性树脂构成。

    处理晶圆的方法和保护膜
    5.
    发明授权
    处理晶圆的方法和保护膜 有权

    公开(公告)号：CN108933098B

    公开(公告)日：2024-12-24

    申请号：CN201810477901.8

    申请日：2018-05-18

    Applicant: 株式会社迪思科

    Inventor： 卡尔·海因茨·普利瓦西尔

    IPC: H01L21/683 ,  H01L21/78

    Abstract: 处理晶圆的方法和保护膜。本发明涉及一种处理晶圆的方法，该晶圆在一侧具有器件区域，该器件区域具有多个器件。该方法包括提供保护膜并且将用于覆盖晶圆上的器件的保护膜施加到晶圆的所述一侧，使得保护膜的前表面与晶圆的所述一侧直接接触。该方法还包括在将保护膜施加到晶圆的所述一侧期间和/或之后对保护膜加热，使得保护膜附接到晶圆的所述一侧，并且处理晶圆的与所述一侧相反的侧。此外，本发明涉及一种处理这种晶圆的方法，其中液体粘合剂仅被分配到保护膜的周边部分上和/或仅被分配到晶圆的周边部分上。

    生产衬底的方法以及生产衬底的系统
    6.
    发明授权
    生产衬底的方法以及生产衬底的系统 有权

    公开(公告)号：CN111524804B

    公开(公告)日：2024-05-17

    申请号：CN202010078537.5

    申请日：2020-02-03

    Applicant: 株式会社迪思科

    Inventor： 卡尔·海因茨·普利瓦西尔 ,  星野仁志

    IPC: H01L21/30 ,  H01L21/58 ,  H01L21/67 ,  B28D5/00 ,  B28D5/02 ,  B28D5/04

    Abstract: 生产衬底的方法以及生产衬底的系统。本发明涉及一种生产具有功能层(12)的衬底(16)的方法。该方法包括提供具有第一表面(4)和与第一表面(4)相反的第二表面(6)的工件(2)，以及在工件(2)的内部形成改性层(8)，该改性层(8)包括多个改性部位。此外，该方法包括，在工件(2)的内部形成改性层(8)之后，在工件(2)的第一表面(4)上形成功能层(12)，以及在工件(2)的第一表面(4)上形成功能层(12)之后，沿着改性层(8)分割工件(2)，从而获得具有功能层(12)的衬底(16)。沿着改性层(8)分割工件(2)包括向工件(2)施加外部刺激。此外，本发明还涉及用于执行该方法的衬底生产系统。

    处理晶圆的方法
    7.
    发明授权
    处理晶圆的方法 有权

    公开(公告)号：CN110164820B

    公开(公告)日：2023-11-14

    申请号：CN201910110077.7

    申请日：2019-02-11

    Applicant: 株式会社迪思科

    Inventor： 卡尔·海因茨·普利瓦西尔 ,  R·齐默尔曼 ,  星野仁志

    IPC: H01L21/78

    Abstract: 本发明涉及一种处理晶圆(W)的方法，晶圆在一个侧面(1)上具有包括多个器件(27)的器件区域(2)。该方法包括：提供保护膜(4)；将保护膜施加到晶圆的一个侧面(1)或晶圆的与一个侧面相对的侧面(6)，使得至少保护膜的前表面(4a)的中央区域与晶圆的一个侧面或晶圆的与一个侧面相对的侧面直接接触。该方法还包括：将保护膜附接至晶圆的一个侧面或晶圆的与一个侧面相对的侧面，使得保护膜的周边部分的至少一部分沿着晶圆的整个圆周附接至晶圆的侧边缘(5)的至少一部分。晶圆的侧边缘从晶圆的一个侧面延伸到晶圆的与一个侧面相对的侧面。而且，该方法包括：处理晶圆的一个侧面/或晶圆的与一个侧面相对的侧面。

    晶片分割方法
    8.
    发明授权
    晶片分割方法 有权

    公开(公告)号：CN105931956B

    公开(公告)日：2020-01-07

    申请号：CN201610109044.7

    申请日：2016-02-26

    Applicant: 株式会社迪思科

    Inventor： 卡尔·海因茨·普利瓦西尔

    IPC: H01L21/301

    Abstract: 晶片分割方法。本发明涉及将一侧具有器件区域的晶片分割成裸片的方法，该器件区域具有由多条分割线划分的多个器件。该方法包括：将保护晶片上的器件的胶带附接至晶片的一侧，通过附接装置将支承胶带的载体附接至胶带的与面向晶片的一侧相反的侧。此外，该方法包括：研磨晶片的与一侧相反的侧以调节晶片厚度；研磨后，将保护层应用到晶片的与一侧相反的侧；和沿分割线切割晶片。以第一切割宽度机械地不完全切割晶片的与一侧相反的侧，在已形成不完全切口或多个不完全切口的区域或多个区域中，以第二切割宽度从晶片的与一侧相反的侧在晶片厚度方向上机械切割和/或激光切割和/或等离子体切割晶片的剩余部分。第二切割宽度小于或等于第一切割宽度。

    表面保护部件以及加工方法
    10.
    发明授权
    表面保护部件以及加工方法 有权

    公开(公告)号：CN103700584B

    公开(公告)日：2018-06-29

    申请号：CN201310446641.5

    申请日：2013-09-25

    Applicant: 株式会社迪思科

    Inventor： 卡尔·海因茨·普利瓦西尔

    IPC: H01L21/304

    CPC classification number: H01L29/06 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/78 ,  H01L2221/68318 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68381 ,  Y10S438/977

    Abstract: 本发明提供一种表面保护部件以及使用了该表面保护部件的加工方法，该保护部件容易从晶片表面剥离，且不会在器件表面残留粘接剂。使晶片(1)的器件区域(3)和配设在表面保护部件的凹部(12)的凹凸吸收部件(14)对应地将晶片(1)配设到表面保护部件上，并且将粘接剂(20)配设到器件区域的外侧，从而将表面保护部件(10)和晶片(1)固定(固定步骤)，将表面保护部件侧保持至保持工作台(21)并通过磨削构件(22)来磨削晶片的背面(1b)，从而薄化至预定厚度(磨削步骤)，接下来从晶片上除去表面保护部件(除去步骤)。通过将粘接剂局部性地配设到器件区域的外侧，容易剥离，不会在器件表面残留粘接剂。

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