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公开(公告)号：CN111819428A
公开(公告)日：2020-10-23
申请号：CN201980017122.2
申请日：2019-03-05
Applicant: 株式会社电装
Abstract: 具备：基板(31)，具有一面(31a)；第1金属膜(36)，形成在一面上；绝缘膜(37)，在一面(31a)上以将第1金属膜(36)覆盖的状态形成，并形成有使第1金属膜(36)露出的接触孔(37a)；以及第2金属膜(38)，形成在从第1金属膜(36)中的从接触孔(37a)露出的部分到绝缘膜(37)中的接触孔(37a)的周围。并且，使焊盘部(34)为第1金属膜(36)和第2金属膜(38)被层叠的结构，在绝缘膜(37)形成作为应力降低构造(37b)的缝。
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公开(公告)号：CN108701615A
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201780014552.X
申请日：2017-02-23
Applicant: 株式会社电装
IPC: H01L21/3205 , G01L9/00 , H01L21/768 , H01L23/522 , H01L29/84
CPC classification number: H01L23/3192 , G01L9/0042 , G01L9/0054 , H01L21/02126 , H01L21/0217 , H01L21/02271 , H01L21/0273 , H01L21/266 , H01L21/3065 , H01L21/31116 , H01L21/3205 , H01L21/324 , H01L21/565 , H01L21/768 , H01L21/76802 , H01L21/76898 , H01L23/3171 , H01L23/481 , H01L23/528 , H01L23/544 , H01L23/60 , H01L29/84 , H01L2223/54426
Abstract: 具备：第1基板(10)，在一面(10a)侧形成有多个连接部(19～21)；第2基板(30)，被与第1基板(10)接合，沿着与第1基板(10)的层叠方向形成有使多个连接部(19～21)分别露出的多个贯通孔(36)；多个贯通电极(38)，配置在多个贯通孔(36)的每一个中，与多个连接部(19～21)分别电连接；以及保护膜(41)，将多个贯通电极(38)一体地覆盖。并且，保护膜(41)形成有当从第1基板(10)的一面(10a)的法线方向观察时将多个贯通孔(36)的开口部分别包围的多个框状的狭缝(41d)；比狭缝(41)靠内缘侧的区域和比狭缝(41)靠外缘侧的区域被狭缝(41)分离。
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公开(公告)号：CN104603918A
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：CN201380046296.4
申请日：2013-09-03
Applicant: 株式会社电装
IPC: H01L21/3205 , H01L21/3065 , H01L21/768 , H01L23/522
CPC classification number: H01L21/76898 , B81C1/00095 , B81C1/00269 , B81C2203/0118 , B81C2203/0792 , H01L21/30604 , H01L21/308 , H01L21/31116 , H01L21/31144 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 在具有贯通电极构造的半导体装置的制造方法中，以架设在形成于第二半导体基板(3)的贯通孔(3a)上的方式形成掩模构件(10)，并且在掩模构件(10)中与贯通孔(3a)对应的位置形成孔(10a)，通过该孔(10a)在绝缘膜(5)形成接触孔(5a)。根据这种制造方法，即使从第二半导体基板(3)的表面一直到贯通孔(3a)的底部有大的水平差异，通过光刻进行曝光的仅是架设在贯通孔(3a)上的掩模构件(10)，无需大的水平差异的光刻。为此，能够在掩模构件(10)上良好地形成孔(10a)，并且用通过了该孔(10a)的各向异性干刻，即使是大的水平差异的蚀刻，也能够良好地形成接触孔(5a)。
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公开(公告)号：CN102809732A
公开(公告)日：2012-12-05
申请号：CN201210174051.7
申请日：2012-05-30
Applicant: 株式会社电装
IPC: G01R33/09
CPC classification number: G01R33/093 , G01R33/098 , H01L27/22 , H01L43/08 , H01L43/12 , Y10T29/4902
Abstract: 提供一种磁传感器装置的制造方法，该磁传感器装置在向多个MRE(22)施加外部磁场的情况下，根据各MRE的电阻值的变化来检测物理量，该方法包括：准备基板(10、14、16)，在所述基板的上方形成具有磁化方向变化的自由磁性层(22c)和固定了磁化方向的钉扎磁性层(22a)的各MRE，并分别形成对应于各MRE的加热器(30)，在与基板平行的第1方向具有磁场方向的外部磁场中，配置所述基板，加热一部分加热器部，将该一部分钉扎磁性层的磁化方向充磁为所述第1方向，在与第1方向不同的第2方向具有磁场方向的外部磁场中，配置所述基板，加热另一部分的加热器部，将该另一部分的钉扎磁性层的磁化方向充磁为所述第2方向。
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公开(公告)号：CN108701615B
公开(公告)日：2022-09-16
申请号：CN201780014552.X
申请日：2017-02-23
Applicant: 株式会社电装
IPC: H01L21/3205 , G01L9/00 , H01L21/768 , H01L23/522 , H01L29/84
Abstract: 具备：第1基板(10)，在一面(10a)侧形成有多个连接部(19～21)；第2基板(30)，被与第1基板(10)接合，沿着与第1基板(10)的层叠方向形成有使多个连接部(19～21)分别露出的多个贯通孔(36)；多个贯通电极(38)，配置在多个贯通孔(36)的每一个中，与多个连接部(19～21)分别电连接；以及保护膜(41)，将多个贯通电极(38)一体地覆盖。并且，保护膜(41)形成有当从第1基板(10)的一面(10a)的法线方向观察时将多个贯通孔(36)的开口部分别包围的多个框状的狭缝(41d)；比狭缝(41)靠内缘侧的区域和比狭缝(41)靠外缘侧的区域被狭缝(41)分离。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110352339A
公开(公告)日：2019-10-18
申请号：CN201880013835.7
申请日：2018-02-22
Applicant: 株式会社电装
Abstract: 具备：第一基板(10)，通过在另一表面(10b)侧形成凹部(11)，在一表面(10a)侧形成薄膜部(12)；第二基板(20)，在一表面(20a)中的与凹部(11)对置的部分形成凹陷部(20c)，第一基板(10)的凹部(11)及第二基板(20)的凹陷部(20c)为，将凹部(11)的底面的端部投影到第一基板(10)的一表面(10a)得到的投影线成为包围凹陷部(20c)的开口端的大小。并且，在薄膜部(12)中的第一基板(10)的另一表面(10b)侧的表面中，设与穿过凹陷部(20c)的开口端且沿相对于第一基板(10)的一表面(10a)的法线方向的延长线交叉的位置为特定位置，则在薄膜部(12)向凹陷部(20c)侧位移时，薄膜部(12)在特定位置处产生最大拉伸应力。
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公开(公告)号：CN107209078B
公开(公告)日：2019-07-09
申请号：CN201680006742.2
申请日：2016-02-03
Applicant: 株式会社电装
IPC: G01L9/00 , B81C3/00 , G01C19/5783 , H01L29/84
CPC classification number: B81C1/00357 , B81B2201/0264 , B81B2203/0127 , B81C1/00293 , G01L9/0042 , G01L9/0051 , H01L21/187 , H01L21/2007 , H01L21/76251
Abstract: 本发明提供一种在第1基板(10)与第2基板(20)的凹部(20c)之间构成有真空的气密室(30)的半导体装置的制造方法，其中，具有下述工序：准备含有硅的所述第1及第2基板，对所述第1及第2基板进行接合，进行用于排出所述气密室内的氢气(31)的加热处理，在所述接合前在所述第1及第2基板的凹部的壁面上生成OH基。在所述接合中，使所述第1及第2基板的OH基共价键合。在所述加热处理中，以1℃/sec以下的升温速度进行加热，使所述第1及第2基板的生成有所述OH基的部分达到700℃以上而生成氢气，以所述氢气的扩散距离达到所述气密室的壁面与大气之间的最短距离以上的方式调整加热温度及加热时间，从而从所述气密室排出所述氢气。
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公开(公告)号：CN102809732B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201210174051.7
申请日：2012-05-30
Applicant: 株式会社电装
IPC: G01R33/09
CPC classification number: G01R33/093 , G01R33/098 , H01L27/22 , H01L43/08 , H01L43/12 , Y10T29/4902
Abstract: 提供一种磁传感器装置的制造方法，该磁传感器装置在向多个MRE(22)施加外部磁场的情况下，根据各MRE的电阻值的变化来检测物理量，该方法包括：准备基板(10、14、16)，在所述基板的上方形成具有磁化方向变化的自由磁性层(22c)和固定了磁化方向的钉扎磁性层(22a)的各MRE，并分别形成对应于各MRE的加热器(30)，在与基板平行的第1方向具有磁场方向的外部磁场中，配置所述基板，加热一部分加热器部，将该一部分钉扎磁性层的磁化方向充磁为所述第1方向，在与第1方向不同的第2方向具有磁场方向的外部磁场中，配置所述基板，加热另一部分的加热器部，将该另一部分的钉扎磁性层的磁化方向充磁为所述第2方向。
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公开(公告)号：CN110352339B
公开(公告)日：2021-03-12
申请号：CN201880013835.7
申请日：2018-02-22
Applicant: 株式会社电装
Abstract: 具备：第一基板(10)，通过在另一表面(10b)侧形成凹部(11)，在一表面(10a)侧形成薄膜部(12)；第二基板(20)，在一表面(20a)中的与凹部(11)对置的部分形成凹陷部(20c)，第一基板(10)的凹部(11)及第二基板(20)的凹陷部(20c)为，将凹部(11)的底面的端部投影到第一基板(10)的一表面(10a)得到的投影线成为包围凹陷部(20c)的开口端的大小。并且，在薄膜部(12)中的第一基板(10)的另一表面(10b)侧的表面中，设与穿过凹陷部(20c)的开口端且沿相对于第一基板(10)的一表面(10a)的法线方向的延长线交叉的位置为特定位置，则在薄膜部(12)向凹陷部(20c)侧位移时，薄膜部(12)在特定位置处产生最大拉伸应力。
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公开(公告)号：CN110730905A
公开(公告)日：2020-01-24
申请号：CN201880038599.4
申请日：2018-05-11
Applicant: 株式会社电装
Abstract: 半导体装置具备第1基板(11)、第2基板(12)、氧化膜(13)和保护膜(14)。第1基板具有第1面(11c)。第2基板具有一部分通过大气压等离子体活性而与第1面的一部分相接合的第2面(12b)。氧化膜形成于第1面。保护膜层叠在氧化膜的与第1基板相反侧的表面上。半导体装置的制造方法具备如下工序：在形成了保护膜后，在大气中对第1面实施等离子体活性处理。
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