公开(公告)号：CN116323018A

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN202180064157.9

申请日：2021-08-26

Applicant: 株式会社电装 ,  株式会社堀场制作所

Inventor： 中村崇规 ,  杉大作 ,  宇木大辅 ,  河野高博 ,  神崎丰树

IPC: B08B3/02

Abstract: 本发明提供异物除去装置和异物除去方法，不论形成在对象物的表面的结构物的结构如何都能够提高异物除去性能，在利用从形成有吹出口的喷嘴吹出的气体除去附着在对象物上的异物的异物除去装置中，所述吹出口的两端部的开口率小于该吹出口的中央部的开口率。

公开(公告)号：CN110730905A

公开(公告)日：2020-01-24

申请号：CN201880038599.4

申请日：2018-05-11

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 河野高博 ,  与仓久则 ,  藤原刚

IPC: G01L9/00 ,  H01L21/02 ,  H01L29/84

Abstract: 半导体装置具备第1基板(11)、第2基板(12)、氧化膜(13)和保护膜(14)。第1基板具有第1面(11c)。第2基板具有一部分通过大气压等离子体活性而与第1面的一部分相接合的第2面(12b)。氧化膜形成于第1面。保护膜层叠在氧化膜的与第1基板相反侧的表面上。半导体装置的制造方法具备如下工序：在形成了保护膜后，在大气中对第1面实施等离子体活性处理。