磁传感器
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN106104828B

    公开(公告)日:2020-07-03

    申请号:CN201580010832.4

    申请日:2015-02-23

    Abstract: 磁传感器(1)具备磁化固定层(20)、磁场检测层(40)、以及中间层(30)。所述磁化固定层形成为薄膜状,磁化方向被固定为与面内方向平行的方向。所述磁场检测层的磁化方向根据外部磁场而变化。所述中间层被配置在所述磁化固定层与所述磁场检测层之间,且电阻值根据所述磁化固定层的所述磁化方向与所述磁场检测层的所述磁化方向之间的角度而变化。所述磁场检测层的每单位面积的磁化量小于0.2[memu/cm2]。

    磁传感器
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN104428913A

    公开(公告)日:2015-03-18

    申请号:CN201380035609.6

    申请日:2013-07-03

    Abstract: 在磁传感器(10)中,钉扎层(15)具有从相对于布线层(14)与基板(11)相反的一侧覆盖布线层(14)且截面弯曲状的弯曲部(15A)。自由层(17a、17b)被配置在相对于钉扎层(15)与基板(11)相反的一侧。自由层(17a、17b)的面方向的尺寸被设定为比钉扎层(15)的面方向的尺寸小的尺寸。来自钉扎层(15)的泄露磁场能够在基板(11)侧、即相对于钉扎层(15)与自由层(17a、17b)相反的一侧形成闭环。从而,能够抑制来自钉扎层(15)的泄露磁场给予自由层(17a、17b)的影响。

    磁传感器及其制造方法
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN102809732A

    公开(公告)日:2012-12-05

    申请号:CN201210174051.7

    申请日:2012-05-30

    Abstract: 提供一种磁传感器装置的制造方法,该磁传感器装置在向多个MRE(22)施加外部磁场的情况下,根据各MRE的电阻值的变化来检测物理量,该方法包括:准备基板(10、14、16),在所述基板的上方形成具有磁化方向变化的自由磁性层(22c)和固定了磁化方向的钉扎磁性层(22a)的各MRE,并分别形成对应于各MRE的加热器(30),在与基板平行的第1方向具有磁场方向的外部磁场中,配置所述基板,加热一部分加热器部,将该一部分钉扎磁性层的磁化方向充磁为所述第1方向,在与第1方向不同的第2方向具有磁场方向的外部磁场中,配置所述基板,加热另一部分的加热器部,将该另一部分的钉扎磁性层的磁化方向充磁为所述第2方向。

    磁传感器
    5.
    发明授权

    公开(公告)号:CN104428913B

    公开(公告)日:2017-06-09

    申请号:CN201380035609.6

    申请日:2013-07-03

    Abstract: 在磁传感器(10)中,钉扎层(15)具有从相对于布线层(14)与基板(11)相反的一侧覆盖布线层(14)且截面弯曲状的弯曲部(15A)。自由层(17a、17b)被配置在相对于钉扎层(15)与基板(11)相反的一侧。自由层(17a、17b)的面方向的尺寸被设定为比钉扎层(15)的面方向的尺寸小的尺寸。来自钉扎层(15)的泄露磁场能够在基板(11)侧、即相对于钉扎层(15)与自由层(17a、17b)相反的一侧形成闭环。从而,能够抑制来自钉扎层(15)的泄露磁场给予自由层(17a、17b)的影响。

    磁传感器及其制造方法
    6.
    发明授权

    公开(公告)号:CN102809732B

    公开(公告)日:2016-01-20

    申请号:CN201210174051.7

    申请日:2012-05-30

    Abstract: 提供一种磁传感器装置的制造方法,该磁传感器装置在向多个MRE(22)施加外部磁场的情况下,根据各MRE的电阻值的变化来检测物理量,该方法包括:准备基板(10、14、16),在所述基板的上方形成具有磁化方向变化的自由磁性层(22c)和固定了磁化方向的钉扎磁性层(22a)的各MRE,并分别形成对应于各MRE的加热器(30),在与基板平行的第1方向具有磁场方向的外部磁场中,配置所述基板,加热一部分加热器部,将该一部分钉扎磁性层的磁化方向充磁为所述第1方向,在与第1方向不同的第2方向具有磁场方向的外部磁场中,配置所述基板,加热另一部分的加热器部,将该另一部分的钉扎磁性层的磁化方向充磁为所述第2方向。

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