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公开(公告)号：CN112385144A
公开(公告)日：2021-02-19
申请号：CN201980042056.4
申请日：2019-07-02
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 弹性波装置(100)具备支承基板(10)和在该支承基板(10)上相邻地形成的谐振部(12、13)。谐振部(12、13)各自包含：压电薄膜(20)；IDT电极(40)，配置在压电薄膜(20)上；和支承层(30)，配置为在俯视弹性波装置(100)的情况下包围压电薄膜(20)的周围。支承层(30)具有与压电薄膜(20)不同的线膨胀系数。谐振部(12)的压电薄膜和谐振部(13)的压电薄膜被处于谐振部(12)与谐振部(13)之间的支承层(30)分割。通过这样的结构，能够提高在公共的支承基板上形成了多个弹性波谐振器的弹性波装置中的TCF特性。
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公开(公告)号：CN111448757A
公开(公告)日：2020-07-24
申请号：CN201880079648.9
申请日：2018-11-28
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H03H9/25 , H01L25/065 , H01L25/07 , H01L25/18 , H01L41/047 , H01L41/053 , H01L41/187
Abstract: 在将弹性波元件和半导体元件形成为一体来谋求小型化的同时，降低向支承构件的漏电流的产生。电子部件(1)具备支承构件(2)、压电膜(4)和IDT电极(5)。支承构件(2)以硅为主成分。压电膜(4)直接或者间接地设置在支承构件(2)上。IDT电极(5)包含多个电极指(51)。多个电极指(51)相互隔离地排列设置。IDT电极(5)设置在压电膜(4)的主面(41)。在将由IDT电极(5)的电极指间距规定的弹性波的波长设为λ的情况下，压电膜(4)的膜厚(L1)为3.5λ以下。在支承构件(2)中，高杂质浓度区域(27)与低杂质浓度区域(28)相比远离压电膜(4)。
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公开(公告)号：CN110431743B
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN201880016602.2
申请日：2018-03-08
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 提供一种能够抑制在压电体传播的第一高次模式的响应的弹性波装置。弹性波装置(1)在由硅构成的支承基板(2)上层叠有氧化硅膜(3)、压电体(4)及IDT电极(5)。当将由IDT电极(5)的电极指间距决定的波长设为λ时，支承基板(2)的厚度为3λ以上。在压电体(4)传播的第一高次模式的声速与由从下述的式(2)导出的x的解V1、V2、V3中的V1规定的、在支承基板内传播的体波的声速VSi＝(V1)1/2相同、或者与Vsi相比为高速。Ax3+Bx2+Cx+D＝0...式(2)。
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公开(公告)号：CN111448757B
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN201880079648.9
申请日：2018-11-28
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 在将弹性波元件和半导体元件形成为一体来谋求小型化的同时，降低向支承构件的漏电流的产生。电子部件(1)具备支承构件(2)、压电膜(4)和IDT电极(5)。支承构件(2)以硅为主成分。压电膜(4)直接或者间接地设置在支承构件(2)上。IDT电极(5)包含多个电极指(51)。多个电极指(51)相互隔离地排列设置。IDT电极(5)设置在压电膜(4)的主面(41)。在将由IDT电极(5)的电极指间距规定的弹性波的波长设为λ的情况下，压电膜(4)的膜厚(L1)为3.5λ以下。在支承构件(2)中，高杂质浓度区域(27)与低杂质浓度区域(28)相比远离压电膜(4)。
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公开(公告)号：CN107615658B
公开(公告)日：2020-12-11
申请号：CN201680029063.7
申请日：2016-06-10
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H03H9/25
Abstract: 本发明提供一种难以产生压电薄膜的破裂、缺口且难以产生层叠膜中的界面剥离，进而强度高的弹性波装置。在支承基板(2)上层叠了层叠膜(13)的弹性波装置(1)。设置有第一支承层(8a)，使得包围设置有IDT电极(5a、5d)的区域。在被第一支承层(8a)包围的区域设置有第二支承层(8b)。在第一支承层(8a)、第二支承层(8b)上，固定有覆盖构件(9)，使得封闭由第一支承层(8a)形成的开口部。层叠膜(13)部分地不存在，在不存在层叠膜(13)的区域(R1)的至少一部分设置有绝缘层(12)。第一支承层(8a)以及第二支承层(8b)中的至少一方设置在绝缘层(12)上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113474995B
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202080015449.9
申请日：2020-03-11
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H03H9/145
Abstract: 提供一种弹性波装置，能够在不伴随阻抗特性等的劣化的情况下难以产生反射器的抗蚀剂的残渣。弹性波装置(1)具备压电性基板(2)和设置在压电性基板(2)上的IDT电极(3)及反射器(13A、13B)。IDT电极(3)具有：沿着第一方向(x)(弹性波传播方向)设置有第一、第二开口部(4d、6d)的第一、第二汇流条(4、6)；第一、第二边缘区域(Ca、Cb)；和第一、第二间隙区域(Da、Db)。由第一、第二边缘区域(Ca、Cb)构成低声速区域，由设置有第一、第二开口部(4d、6d)的区域构成高声速区域。反射器(13A)具有第一、第二反射器汇流条(14A、16A)和第二端部(15a)与第二反射器汇流条(16A)对置的第一反射电极指(15A)，在从第一方向(x)观察时，第一反射电极指(15A)与第二间隙区域(Db)的全部重叠。
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公开(公告)号：CN113474995A
公开(公告)日：2021-10-01
申请号：CN202080015449.9
申请日：2020-03-11
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H03H9/145
Abstract: 提供一种弹性波装置，能够在不伴随阻抗特性等的劣化的情况下难以产生反射器的抗蚀剂的残渣。弹性波装置(1)具备压电性基板(2)和设置在压电性基板(2)上的IDT电极(3)及反射器(13A、13B)。IDT电极(3)具有：沿着第一方向(x)(弹性波传播方向)设置有第一、第二开口部(4d、6d)的第一、第二汇流条(4、6)；第一、第二边缘区域(Ca、Cb)；和第一、第二间隙区域(Da、Db)。由第一、第二边缘区域(Ca、Cb)构成低声速区域，由设置有第一、第二开口部(4d、6d)的区域构成高声速区域。反射器(13A)具有第一、第二反射器汇流条(14A、16A)和第二端部(15a)与第二反射器汇流条(16A)对置的第一反射电极指(15A)，在从第一方向(x)观察时，第一反射电极指(15A)与第二间隙区域(Db)的全部重叠。
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公开(公告)号：CN111758219A
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN201980014467.2
申请日：2019-03-13
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 提供能够对横模纹波和阻带上端处的响应这两者进行抑制的弹性波装置。弹性波装置(1)具有：串联臂谐振器(S1～S4)，具有第1IDT电极；和并联臂谐振器(P1～P3)，具有第2IDT电极，在第1IDT电极中，作为通过将多个第1电极指的顶端相连而形成的虚拟线的第1包络线相对于弹性波传播方向而倾斜地延伸，作为通过将多个第2电极指的顶端相连而形成的虚拟线的第2包络线相对于弹性波传播方向而倾斜地延伸，第2IDT电极具有：中央区域；第1低声速区域，声速低于中央区域中的声速；第2低声速区域，声速低于中央区域中的声速；第1高声速区域，声速高于中央区域中的声速；和第2高声速区域，声速高于中央区域中的声速。
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公开(公告)号：CN110168932A
公开(公告)日：2019-08-23
申请号：CN201780082505.9
申请日：2017-12-11
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H03H9/145
Abstract: 本发明提供一种能够在IDT电极内容易且可靠地设置中央区域和边缘区域的声速差的弹性波装置。在弹性波装置(1)中，在压电性基板(2)上设置有IDT电极(3)以及第一电介质层(6)，IDT电极(3)的第一电极指(3c)和第二电极指(3d)在弹性波传播方向上观察时相互重叠的交叉区域具有：中央区域B；以及第一边缘区域(C)、第二边缘区域(D)，在第一电极指(3c)、第二电极指(3d)延伸的方向上配置在中央区域B的两侧，层叠在第一电介质层(6)上的质量附加膜(7)具有至少两种厚度部分。
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公开(公告)号：CN111758219B
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN201980014467.2
申请日：2019-03-13
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 提供能够对横模纹波和阻带上端处的响应这两者进行抑制的弹性波装置。弹性波装置(1)具有：串联臂谐振器(S1～S4)，具有第1IDT电极；和并联臂谐振器(P1～P3)，具有第2IDT电极，在第1IDT电极中，作为通过将多个第1电极指的顶端相连而形成的虚拟线的第1包络线相对于弹性波传播方向而倾斜地延伸，作为通过将多个第2电极指的顶端相连而形成的虚拟线的第2包络线相对于弹性波传播方向而倾斜地延伸，第2IDT电极具有：中央区域；第1低声速区域，声速低于中央区域中的声速；第2低声速区域，声速低于中央区域中的声速；第1高声速区域，声速高于中央区域中的声速；和第2高声速区域，声速高于中央区域中的声速。
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