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公开(公告)号：CN1789971B
公开(公告)日：2010-05-12
申请号：CN200510125855.8
申请日：2005-11-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 株式会社拓普康
IPC: G01N15/06 , G01N15/02 , G01N21/49 , H01L21/3065
Abstract: 本发明涉及一种能够精确地检测低速粒子数量的粒子检测方法，以及一种粒子检测设备。使用光接收感测器以预定时间间隔测量当发射入气流的光被粒子散射时所产生的散射光的强度。将用以测量散射光强度的测量周期分成每个定义为一预定周期的测量周期，并且在每个测量周期中选择一可测量所测量的散射光强度最大值的测量时间点。根据在每个测量周期选择的所测量的时间点对已自光接收感测器前方通过的粒子数量进行计数。
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公开(公告)号：CN1789971A
公开(公告)日：2006-06-21
申请号：CN200510125855.8
申请日：2005-11-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 株式会社拓普康
IPC: G01N15/06 , G01N15/02 , G01N21/49 , H01L21/3065
Abstract: 本发明涉及一种能够精确地检测低速粒子数量的粒子检测方法，以及一种储存用以实施该方法的程序的存储介质。使用光接收感测器以预定时间间隔测量当发射入气流的光被粒子散射时所产生的散射光的强度。将用以测量散射光强度的测量周期分成每个定义为一预定周期的测量周期，并且在每个测量周期中选择一可测量所测量的散射光强度最大值的测量时间点。根据在每个测量周期选择的所测量的时间点对已自光接收感测器前方通过的粒子数量进行计数。
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公开(公告)号：CN100523780C
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：CN200510114966.9
申请日：2005-11-16
Applicant: 株式会社拓普康 , 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: G01N15/1434 , G01N2015/1486 , G01N2015/1493
Abstract: 本发明提供的粒子监测装置，能够防止或降低监测出的散射光强度，相应于气流通过区域中的粒子通过位置产生变化，从而可以提高对粒子尺寸的监测精度。其方式是由激光光源(10)射出呈一维形式排列的10条激光光束(L1、…L10)，通过投射光学系统(20)将这些光束(L1、…L10)转换为整体呈一条带状(带状宽度方向为d)的光束(LO)，并且按照使所述光束(LO)的光强度，在半导体制造工序(200)的气流贯穿区域(R)中相对其带状宽度方向(d)呈大致均匀分布的方式，使由激光光源(10)射出的10条激光光束(L1、…L10)部分彼此重合。
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公开(公告)号：CN1776400A
公开(公告)日：2006-05-24
申请号：CN200510114966.9
申请日：2005-11-16
Applicant: 株式会社拓普康 , 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: G01N15/1434 , G01N2015/1486 , G01N2015/1493
Abstract: 本发明提供的粒子监测装置，能够防止或降低监测出的散射光强度，相应于气流通过区域中的粒子通过位置产生变化，从而可以提高对粒子尺寸的监测精度。其方式是由激光光源(10)射出呈一维形式排列的10条激光光束(L1、......L10)，通过投射光学系统(20)将这些光束(L1、......L10)转换为整体呈一条带状(带状宽度方向为d)的光束(L0)，并且按照使所述光束(L0)的光强度，在半导体制造工序(200)的气流贯穿区域(R)中相对其带状宽度方向(d)呈大致均匀分布的方式，使由激光光源(10)射出的10条激光光束(L1、......L10)部分彼此重合。
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公开(公告)号：CN101488456B
公开(公告)日：2010-12-15
申请号：CN200810188835.9
申请日：2008-12-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 齐藤进
IPC: H01L21/3065 , H01L21/66
Abstract: 本发明提供即便加上干扰也能够稳定正确地计算蚀刻量的蚀刻量计算方法和蚀刻量计算装置。在用掩膜(131)形成沟槽(132)的晶片(W)的蚀刻中，将激光(L1)照射在晶片(W)上，接受叠加了掩膜干涉光和沟槽干涉光的叠加干涉光，计算叠加干涉波，提取将现在定时T作为终点的窗波形，从用熵法对该窗波形实施频率分析得到的频率分布检测沟槽干涉光，使窗的终点只偏离Δt并反复进行叠加干涉波的计算、窗波形的提取、窗波形的频率分析和沟槽干涉周期的检测，每次反复都对检测出的沟槽干涉周期进行累计平均，根据该累计平均了的沟槽干涉周期计算沟槽(132)的蚀刻量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101038860A
公开(公告)日：2007-09-19
申请号：CN200710088374.3
申请日：2007-03-16
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/3065 , H01L21/311 , H01L21/3213 , H01L21/66 , C23F4/00 , H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理方法及等离子体处理装置，能够自动判定基板的种类，自动选择与所判定基板类别对应的终点检测设定，由此，能够在不限定基板类别的情况下进行正确的终点检测。预先求得与多种晶片类别对应而设定的晶片类别数据与光学数据的相关关系，在等离子体处理晶片时，利用相关关系，从开始等离子体处理时得到的光学数据算出晶片类别数据(S221、S222)，基于算出的晶片类别数据判定晶片类别(S223)，从存储在数据存储单元中的各终点检测设定数据中选择与所判定晶片类别对应的终点检测设定数据(S224)，基于所选择的终点检测设定数据进行等离子体处理的终点检测。
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公开(公告)号：CN1680800A
公开(公告)日：2005-10-12
申请号：CN200510063258.7
申请日：2005-04-07
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种粒子监视装置，其具备：发出测量光的光源；和连接到所述减压容器上，向所述减压容器内投射所发的测量光而且接受来自在所述减压容器内浮游着的粒子的散射光的光投射接收单元。所述光投射接收单元被配置为与所述测量光大体上平行地接受所述散射光。该粒子监视装置还具备检测所述光投射接收单元所接受到的散射光的强度的接收光强度检测单元。所述接收光强度检测单元包括：判别所述所检测到的强度是否比规定值大的接收光强度判别部件；和根据该判别结果对所述处理装置发出所述处理装置的处理动作的开始、继续或停止的指令的指示部件。
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公开(公告)号：CN100411114C
公开(公告)日：2008-08-13
申请号：CN200510084674.5
申请日：2005-07-14
Applicant: 维里蒂器械公司 , 东京毅力科创株式会社
Inventor： 齐藤进 , 安德鲁·威克斯·库恩
IPC: H01L21/3065 , H01L21/66 , H01L21/00 , G02F1/136 , G01N21/00
CPC classification number: G01N21/68 , H01J37/32972
Abstract: 本发明的主题为一种等离子处理装置和光检测方法，该方法能够检测从多个测量位置得到的多个光学信号，并能够使用装置分析每个测量位置的状态，其中该装置具有更简化的结构的优势。干涉光L1通过光纤222并传输至分光镜部件230。等离子光L2通过光纤224并传输至分光镜部件230。分别对这些光束单独进行分光。通过对干涉光L1分光得到的干涉光光谱L1g通过第一光路226，并照射在光电转换部件240的干涉光感光区域上。通过对等离子光L2分光得到的等离子光光谱L2g通过第二光路228，并照射在光电转换部件240的等离子光感光区域上。
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公开(公告)号：CN114730717A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202080080650.5
申请日：2020-11-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 齐藤进
IPC: H01L21/66
Abstract: 一种对基板进行处理的装置，具有：腔室，其用于收容基板；热源，其对基板进行热处理；热线感应型传感器，其设置于所述腔室的外部，接受从基板辐射的红外线；以及红外线透过窗，其设置于所述腔室并使具有8μm以上的波长的红外线透过并朝向所述热线感应型传感器。
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公开(公告)号：CN109427523B
公开(公告)日：2021-11-26
申请号：CN201811030301.3
申请日：2018-09-05
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/244 , H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种等离子体探测装置，其包括：天线部，其隔着将真空空间与大气空间之间密封的密封部件安装于开口部中，其中，上述开口部形成在处理容器的壁部或载置台；与上述天线部连接的电极；和由电介质形成的对上述天线部从周围进行支承的电介质支承部，上述天线部与上述壁部或上述载置台的相对面以规定的距离隔开间隔，上述天线部的从上述开口部露出的面，与形成有该开口部的上述壁部或上述载置台的等离子体生成空间侧的面相比凹入到内侧。由此，能够提供避免气体侵入的等离子体探测装置。
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