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公开(公告)号：CN1744345A
公开(公告)日：2006-03-08
申请号：CN200510092701.3
申请日：2001-03-27
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L51/5259 , H01L27/3244 , H01L51/0005 , H01L51/0034 , H01L51/0035 , H01L51/0038 , H01L51/0042 , H01L51/005 , H01L51/0084 , H01L51/0087 , H01L51/5253 , H01L51/56 , Y10S428/917 , Y10T428/23
Abstract: 提供一种在同一多室内连续形成EL层、阴极、阻挡层和覆盖层的方法。通过使用同一膜沉积方法以形成EL层和覆盖层，如图1A所示，EL层、阴极、阻挡层和覆盖层可以在同一多室内顺次形成。因此，如图1B所示，可以形成EL元件的密闭结构。
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公开(公告)号：CN1913171A
公开(公告)日：2007-02-14
申请号：CN200610114840.6
申请日：2006-08-08
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/32 , H01L23/522 , H01L21/82 , H01L21/768
CPC classification number: H01L51/5228 , H01L27/3276 , H01L51/506 , H01L51/5076
Abstract: 本发明公开了一种有源矩阵发光器件，其亮度性质在各个像素的发光元件之间不发生变化，而且甚至在面板具有更高清晰度时也能够实现。在所述发光器件中，发光元件具有位于第一电极和第二电极之间的含发光材料的层，所述发光元件的一个电极(第二电极)不仅仅在周边部分也在像素部分中和辅助布线电连接。所述含发光材料的层具有至少第一缓冲层、发光层和第二缓冲层。在像素部分中，在连接部分(第一连接部分)内，第一缓冲层和第二缓冲层之一或者全部位于辅助布线(第一辅助布线)和第二电极之间，其中在所述连接部分内第二电极和所述辅助布线电连接。
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公开(公告)号：CN1240106C
公开(公告)日：2006-02-01
申请号：CN02104561.5
申请日：2002-02-08
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/00
CPC classification number: C23C14/042 , C23C14/12 , C23C14/564 , C23C14/568 , H01L51/001 , H01L51/5012 , H01L51/56
Abstract: 本发明提供了一种用于形成包括多个功能区的有机化合物薄膜的薄膜形成装置。在一个形成室(210)内包括多个蒸气源(203a至203c)，按顺序形成由各种有机化合物构成的功能区，并且可以在各功能区之间的界面中进一步形成一个混合区。另外，如果在这样的薄膜形成室中设置一个装置，为有待在一个分子激活区(213)中形成薄膜的一种有机化合物施加能量，就能形成致密的薄膜。
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公开(公告)号：CN1320971A
公开(公告)日：2001-11-07
申请号：CN01117396.3
申请日：2001-03-27
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L51/5259 , H01L27/3244 , H01L51/0005 , H01L51/0034 , H01L51/0035 , H01L51/0038 , H01L51/0042 , H01L51/005 , H01L51/0084 , H01L51/0087 , H01L51/5253 , H01L51/56 , Y10S428/917 , Y10T428/23
Abstract: 提供一种在同一多室内连续形成EL层、阴极、阻挡层和覆盖层的方法。通过使用同一膜沉积方法以形成EL层和覆盖层,如图1A所示,EL层、阴极、阻挡层和覆盖层可以在同一多室内顺次形成。因此,如图1B所示,可以形成EL元件的密闭结构。
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公开(公告)号：CN1913171B
公开(公告)日：2011-10-05
申请号：CN200610114840.6
申请日：2006-08-08
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/32 , H01L23/522 , H01L21/82 , H01L21/768
CPC classification number: H01L51/5228 , H01L27/3276 , H01L51/506 , H01L51/5076
Abstract: 本发明公开了一种有源矩阵发光器件，其亮度性质在各个像素的发光元件之间不发生变化，而且甚至在面板具有更高清晰度时也能够实现。在所述发光器件中，发光元件具有位于第一电极和第二电极之间的含发光材料的层，所述发光元件的一个电极(第二电极)不仅仅在周边部分也在像素部分中和辅助布线电连接所述含发光材料的层具有至少第一缓冲层、发光层和第二缓冲层在像素部分中，在连接部分(第一连接部分)内，第一缓冲层和第二缓冲层之一或者全部位于辅助布线(第一辅助布线)和第二电极之间，其中在所述连接部分内第二电极和所述辅助布线电连接。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1458697A
公开(公告)日：2003-11-26
申请号：CN03141000.6
申请日：2003-05-15
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/78 , H01L27/12 , H01L21/336 , H01L21/84
CPC classification number: G02F1/136286 , H01L21/76838 , H01L21/76895 , H01L27/124 , H01L29/78621
Abstract: 在制作一半导体器件时，提供了一种能够减少其制作步骤的方法，以及用于实现这种方法的结构，从而可提高产量，降低制作成本。分别在一元件衬底上以行方向和列方向形成的布线(源极布线、漏极布线等)由同一种导电膜形成。在此情况下，行方向和列方向上的各布线中的一条布线就会在布线相互交叉的部分不连续地形成，而且在布线上形成绝缘膜。因此，用于连接不连续布线的连接布线是由与形成设置在绝缘膜上的电极相同的膜形成的。从而形成连续的布线。
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公开(公告)号：CN1369900A
公开(公告)日：2002-09-18
申请号：CN02104561.5
申请日：2002-02-08
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/00
CPC classification number: C23C14/042 , C23C14/12 , C23C14/564 , C23C14/568 , H01L51/001 , H01L51/5012 , H01L51/56
Abstract: 本发明提供了一种用于形成包括多个功能区的有机化合物薄膜的薄膜形成装置。在一个形成室(210)内包括多个蒸气源(203a至203c),按顺序形成由各种有机化合物构成的功能区,并且可以在各功能区之间的界面中进一步形成一个混合区。另外,如果在这样的薄膜形成室中设置一个装置,为有待在一个分子激活区(213)中形成薄膜的一种有机化合物施加能量,就能形成致密的薄膜。
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公开(公告)号：CN100399601C
公开(公告)日：2008-07-02
申请号：CN02122216.9
申请日：2002-05-31
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 本发明在于提供一种复杂的有源矩阵型有机半导体器件。在绝缘表面上形成第一电极102。借助第一绝缘膜103在第一电极102上形成第二绝缘膜104。在第二绝缘膜104上形成的开口部分和第二绝缘膜104上形成有机半导体膜。通过抛光有机半导体膜直到暴露出第二绝缘膜104来获得有机半导体膜105。此外，通过在有机半导体膜105上形成第二电极106和第三电极107，可获得本发明的一种有机半导体器件。
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公开(公告)号：CN1905239A
公开(公告)日：2007-01-31
申请号：CN200610100227.9
申请日：2001-03-27
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L51/56
CPC classification number: H01L51/5259 , H01L27/3244 , H01L51/0005 , H01L51/0034 , H01L51/0035 , H01L51/0038 , H01L51/0042 , H01L51/005 , H01L51/0084 , H01L51/0087 , H01L51/5253 , H01L51/56 , Y10S428/917 , Y10T428/23
Abstract: 提供一种在同一多室内连续形成EL层、阴极、阻挡层和覆盖层的方法。通过使用同一膜沉积方法以形成EL层和覆盖层，如图1A所示，EL层、阴极、阻挡层和覆盖层可以在同一多室内顺次形成。因此，如图1B所示，可以形成EL元件的密闭结构。
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公开(公告)号：CN1398007A
公开(公告)日：2003-02-19
申请号：CN02122216.9
申请日：2002-05-31
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L51/0014 , H01L21/76895 , H01L27/32 , H01L27/3244 , H01L51/0002 , H01L51/0039 , H01L51/0042 , H01L51/0059 , H01L51/0062 , H01L51/0081 , H01L51/0084 , H01L51/0085 , H01L51/0525 , H01L51/0545 , H01L51/0558
Abstract: 本发明在于提供一种复杂的有源矩阵型有机半导体器件。在绝缘表面上形成第一电极102。借助第一绝缘膜103在第一电极102上形成第二绝缘膜104。在第二绝缘膜104上形成的开口部分和第二绝缘膜104上形成有机半导体膜。通过抛光有机半导体膜直到暴露出第二绝缘膜104来获得有机半导体膜105。此外，通过在有机半导体膜105上形成第二电极106和第三电极107，可获得本发明的一种有机半导体器件。
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