-
公开(公告)号：CN105474354A
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201480038163.7
申请日：2014-07-03
Applicant: 株式会社丰田自动织机 , 株式会社希克斯 , 独立行政法人产业技术综合研究所
CPC classification number: H01L21/76251 , H01L21/02002 , H01L21/187 , H01L21/2007 , H01L21/76254 , H01L29/1608
Abstract: 本发明涉及半导体基板的制造方法，对于基板表面的平坦化困难的基板也没有导致在接合界面形成氧化膜，并且具有接合强度高的接合面。半导体基板的制造方法具备对支承基板的表面进行改质而形成第一非晶质层并且对半导体的单结晶层的表面进行改质而形成第二非晶质层的非晶质层形成工序。另外，具备使第一非晶质层与第二非晶质层接触的接触工序。另外，具备对第一非晶质层与第二非晶质层接触的状态的支承基板以及单结晶层进行热处理的热处理工序。
-
公开(公告)号：CN105474354B
公开(公告)日：2018-04-17
申请号：CN201480038163.7
申请日：2014-07-03
Applicant: 株式会社希克斯 , 独立行政法人产业技术综合研究所
CPC classification number: H01L21/76251 , H01L21/02002 , H01L21/187 , H01L21/2007 , H01L21/76254 , H01L29/1608
Abstract: 本发明涉及半导体基板的制造方法，对于基板表面的平坦化困难的基板也没有导致在接合界面形成氧化膜，并且具有接合强度高的接合面。半导体基板的制造方法具备对支承基板的表面进行改质而形成第一非晶质层并且对半导体的单结晶层的表面进行改质而形成第二非晶质层的非晶质层形成工序。另外，具备使第一非晶质层与第二非晶质层接触的接触工序。另外，具备对第一非晶质层与第二非晶质层接触的状态的支承基板以及单结晶层进行热处理的热处理工序。
-
公开(公告)号：CN101849276A
公开(公告)日：2010-09-29
申请号：CN200880114556.6
申请日：2008-10-14
Applicant: 三菱重工业株式会社 , 独立行政法人产业技术综合研究所
CPC classification number: H01L21/2007 , C03C27/06 , H01L24/28 , H01L24/31 , H01L24/75 , H01L24/83 , H01L31/0203 , H01L33/0079 , H01L2224/83099 , H01L2224/8385 , H01L2224/83894 , H01L2924/01006 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01018 , H01L2924/0102 , H01L2924/01033 , H01L2924/0104 , H01L2924/0105 , H01L2924/01051 , H01L2924/01072 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/04941 , H01L2924/07802 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/1461 , H01L2924/3512 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的设备具备：第一基板，其主成分为二氧化硅；第二基板，其主成分为硅或化合物半导体或二氧化硅或氟化物的任一个；接合功能中间层，其配置于第一基板、和第二基板之间。第一基板通过经由接合功能中间层，使第一基板的溅射的第一表面、和第二基板的溅射的第二表面接触的常温接合，接合于第二基板。此时，接合功能中间层的材料与第一基板的主成分不同，与第二基板的主成分不同，选自氧化物或氟化物或氮化物中的具有光透过性的材料。
-
公开(公告)号：CN105658413B
公开(公告)日：2018-03-16
申请号：CN201480056987.7
申请日：2014-08-29
Applicant: 独立行政法人产业技术综合研究所
IPC: B29C59/02 , H01L21/027
CPC classification number: B29C59/022 , B29C35/0805 , B29C43/021 , B29C43/52 , B29C2035/0827 , B29C2043/025 , B29C2059/023 , B29K2079/08 , C08L79/08 , G03F7/0002 , G03F7/0387
Abstract: 提供与光刻法及激光加工等以往的聚酰亚胺加工技术相比，加工形状及其尺寸精度优异、且简便的聚酰亚胺的图案形成方法。在聚酰亚胺的精细图案形成中，作为聚酰亚胺，使用具有感光性的、能够在玻璃转变温度以下成形的溶剂可溶性的聚酰亚胺树脂组合物，并利用热压印法而图案化，并在热固化的方法中，在成形工序后从模具脱模之后，照射紫外线。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101849276B
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN200880114556.6
申请日：2008-10-14
Applicant: 三菱重工业株式会社 , 独立行政法人产业技术综合研究所
CPC classification number: H01L21/2007 , C03C27/06 , H01L24/28 , H01L24/31 , H01L24/75 , H01L24/83 , H01L31/0203 , H01L33/0079 , H01L2224/83099 , H01L2224/8385 , H01L2224/83894 , H01L2924/01006 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01018 , H01L2924/0102 , H01L2924/01033 , H01L2924/0104 , H01L2924/0105 , H01L2924/01051 , H01L2924/01072 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/04941 , H01L2924/07802 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/1461 , H01L2924/3512 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的设备具备：第一基板，其主成分为二氧化硅；第二基板，其主成分为硅或化合物半导体或二氧化硅或氟化物的任一个；接合功能中间层，其配置于第一基板、和第二基板之间。第一基板通过经由接合功能中间层，使第一基板的溅射的第一表面、和第二基板的溅射的第二表面接触的常温接合，接合于第二基板。此时，接合功能中间层的材料与第一基板的主成分不同，与第二基板的主成分不同，选自氧化物或氟化物或氮化物中的具有光透过性的材料。
-
公开(公告)号：CN101500742A
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：CN200780029959.6
申请日：2007-09-06
Applicant: 三菱重工业株式会社 , 独立行政法人产业技术综合研究所
CPC classification number: H01L21/2007 , B23K20/02 , B23K20/16 , B23K20/24 , B23K2101/36 , C23C14/16 , C23C14/3464 , C23C14/46
Abstract: 一种常温接合方法，是将多个基板隔着中间件在常温下接合的方法，包括物理溅射多个靶从而在所述基板的被接合面上形成所述中间件的工序和将被接合面用离子束活性化的工序。这种情况下，优选是物理溅射由多种材料构成的靶。从基板的被接合面看，由于从沿各种方向配置的多个靶溅射中间件的材料，因而能够往所述被接合面上均匀地形成中间件。再有，由于以多种材料形成中间件，因此无需接合时的加热和过度压接而能够实现由单一种类材料形成中间件时很难接合的基板彼此的常温接合。
-
公开(公告)号：CN105658413A
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：CN201480056987.7
申请日：2014-08-29
Applicant: 独立行政法人产业技术综合研究所
IPC: B29C59/02 , H01L21/027
CPC classification number: B29C59/022 , B29C35/0805 , B29C43/021 , B29C43/52 , B29C2035/0827 , B29C2043/025 , B29C2059/023 , B29K2079/08 , C08L79/08 , G03F7/0002 , G03F7/0387
Abstract: 提供与光刻法及激光加工等以往的聚酰亚胺加工技术相比，加工形状及其尺寸精度优异、且简便的聚酰亚胺的图案形成方法。在聚酰亚胺的精细图案形成中，作为聚酰亚胺，使用具有感光性的、能够在玻璃转变温度以下成形的溶剂可溶性的聚酰亚胺树脂组合物，并利用热压印法而图案化，并在热固化的方法中，在成形工序后从模具脱模之后，照射紫外线。
-
公开(公告)号：CN102498542B
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201080038691.4
申请日：2010-09-03
Applicant: 住友化学株式会社 , 国立大学法人东京大学 , 独立行政法人产业技术综合研究所
IPC: H01L21/02 , H01L21/336 , H01L27/12 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/78681 , H01L21/76251 , H01L21/76256 , H01L29/4966 , H01L29/517 , H01L29/66742
Abstract: 本发明提供一种半导体基板、场效应晶体管、集成电路和半导体基板的制造方法，通过隔着绝缘膜而使基板彼此粘合，从而能够将一个基板上所形成的半导体层形成在另一个基板上，并且此时不会使该半导体层的晶体结构损伤而能够保持维持高品质的晶体结构的情况下简单地进行制造。MISFET(1)中，通过在InP基板(12)上的III-V族化合物半导体层(7)上使用ALD法来形成表面平坦的氧化膜(6)，从而在常温下仅使该氧化膜(6)和Si基板(2)粘合，就能够将这些氧化膜(6)和Si基板(2)强固地接合，因此能够将一个InP基板(12)上所形成的III-V族化合物半导体层(7)形成在另一个Si基板(2)上，并且此时不会使III-V族化合物半导体层(7)的晶体结构损伤而能够保持维持在高品质的情况下简单地进行制造。
-
公开(公告)号：CN102498542A
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：CN201080038691.4
申请日：2010-09-03
Applicant: 住友化学株式会社 , 国立大学法人东京大学 , 独立行政法人产业技术综合研究所
IPC: H01L21/02 , H01L21/336 , H01L27/12 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/78681 , H01L21/76251 , H01L21/76256 , H01L29/4966 , H01L29/517 , H01L29/66742
Abstract: 本发明提供一种半导体基板、场效应晶体管、集成电路和半导体基板的制造方法，通过隔着绝缘膜而使基板彼此粘合，从而能够将一个基板上所形成的半导体层形成在另一个基板上，并且此时不会使该半导体层的晶体结构损伤而能够保持维持高品质的晶体结构的情况下简单地进行制造。MISFET(1)中，通过在InP基板(12)上的III-V族化合物半导体层(7)上使用ALD法来形成表面平坦的氧化膜(6)，从而仅在常温下使该氧化膜(6)和Si基板(2)粘合，就能够将这些氧化膜(6)和Si基板(2)强固地接合，因此能够将一个InP基板(12)上所形成的III-V族化合物半导体层(7)形成在另一个Si基板(2)上，并且此时不会使III-V族化合物半导体层(7)的晶体结构损伤而能够保持维持在高品质的情况下简单地进行制造。
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
9
records
(took 0.042 seconds)
