半导体基板
    10.
    发明授权

    公开(公告)号:CN109478495B

    公开(公告)日:2020-10-02

    申请号:CN201780044382.X

    申请日:2017-07-13

    Abstract: 本发明提供一种贴合半导体基板,能够降低界面电阻。半导体基板具备单晶SiC基板和多晶SiC基板。单晶SiC基板与多晶SiC基板接合。单晶SiC基板与多晶SiC基板的接合区域含有1×1021(atoms/cm3)以上的特定原子。

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