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公开(公告)号：CN105474354A
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201480038163.7
申请日：2014-07-03
Applicant: 株式会社丰田自动织机 , 株式会社希克斯 , 独立行政法人产业技术综合研究所
CPC classification number: H01L21/76251 , H01L21/02002 , H01L21/187 , H01L21/2007 , H01L21/76254 , H01L29/1608
Abstract: 本发明涉及半导体基板的制造方法，对于基板表面的平坦化困难的基板也没有导致在接合界面形成氧化膜，并且具有接合强度高的接合面。半导体基板的制造方法具备对支承基板的表面进行改质而形成第一非晶质层并且对半导体的单结晶层的表面进行改质而形成第二非晶质层的非晶质层形成工序。另外，具备使第一非晶质层与第二非晶质层接触的接触工序。另外，具备对第一非晶质层与第二非晶质层接触的状态的支承基板以及单结晶层进行热处理的热处理工序。
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公开(公告)号：CN106489187A
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201580037757.0
申请日：2015-07-09
Applicant: 株式会社丰田自动织机 , 株式会社希克斯
IPC: H01L21/02 , H01L21/265 , H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 本发明提供一种能够提高具备彼此相接的第1和第2半导体层的半导体基板电特性的半导体基板制造方法等。具备照射工序，其在真空中对第1半导体层的表面照射第1杂质，并且在真空中对第2半导体层的表面照射第1杂质。具备接合工序，其在进行了照射工序的真空中，将第1半导体层的表面和第2半导体层的表面接合，生成具有接合界面的半导体基板。具备热处理工序，其对接合工序中所生成的半导体基板进行热处理。第1杂质为不使第1半导体层和第2半导体层产生载流子的非活性的杂质。热处理以第1半导体层和第2半导体层中所含的第1杂质的深度方向的浓度分布的幅度与实施热处理前相比实施后变窄的方式进行。
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公开(公告)号：CN106489187B
公开(公告)日：2019-10-25
申请号：CN201580037757.0
申请日：2015-07-09
Applicant: 株式会社希克斯
IPC: H01L21/02 , H01L21/265 , H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 本发明提供一种能够提高具备彼此相接的第1和第2半导体层的半导体基板电特性的半导体基板制造方法等。具备照射工序，其在真空中对第1半导体层的表面照射第1杂质，并且在真空中对第2半导体层的表面照射第1杂质。具备接合工序，其在进行了照射工序的真空中，将第1半导体层的表面和第2半导体层的表面接合，生成具有接合界面的半导体基板。具备热处理工序，其对接合工序中所生成的半导体基板进行热处理。第1杂质为不使第1半导体层和第2半导体层产生载流子的非活性的杂质。热处理以第1半导体层和第2半导体层中所含的第1杂质的深度方向的浓度分布的幅度与实施热处理前相比实施后变窄的方式进行。
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公开(公告)号：CN108884593B
公开(公告)日：2021-03-12
申请号：CN201780022271.9
申请日：2017-04-05
Applicant: 株式会社希克斯
Abstract: 本公开的支承基板(2)是由多晶SiC形成的多晶SiC基板，该多晶SiC基板的基板粒径变化率为0.43％以下，其中，将多晶SiC基板的两个表面中的一个表面称为第1表面，并将另一个表面称为第2表面，基板粒径变化率是用第1表面上的多晶SiC的晶体粒径的平均值与第2表面上的多晶SiC的晶体粒径的平均值之差除以多晶SiC基板的厚度而计算出的数值，并且，多晶SiC基板的曲率半径为142m以上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115976650A
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202211664306.8
申请日：2018-07-09
Applicant: 株式会社田村制作所 , 株式会社希克斯 , 国立研究开发法人情报通信研究机构
Abstract: 提供一种包含单晶Ga2O3系基板的半导体基板，其特征在于，包含将包括Ga2O3系单晶的单晶Ga2O3系基板的接合面与包括多晶体的多晶基板的接合面接合而成的接合基板，上述多晶基板是多晶SiC基板、多晶金刚石基板、多晶Si基板、多晶Al2O3基板、多晶AlN基板中的任意一基板，上述单晶Ga2O3系基板的厚度比上述多晶基板的厚度薄，通过遵循JIS R 1607的断裂韧性试验得到的上述多晶基板的断裂韧性值为3MPa·m1/2以上。
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公开(公告)号：CN105474354B
公开(公告)日：2018-04-17
申请号：CN201480038163.7
申请日：2014-07-03
Applicant: 株式会社希克斯 , 独立行政法人产业技术综合研究所
CPC classification number: H01L21/76251 , H01L21/02002 , H01L21/187 , H01L21/2007 , H01L21/76254 , H01L29/1608
Abstract: 本发明涉及半导体基板的制造方法，对于基板表面的平坦化困难的基板也没有导致在接合界面形成氧化膜，并且具有接合强度高的接合面。半导体基板的制造方法具备对支承基板的表面进行改质而形成第一非晶质层并且对半导体的单结晶层的表面进行改质而形成第二非晶质层的非晶质层形成工序。另外，具备使第一非晶质层与第二非晶质层接触的接触工序。另外，具备对第一非晶质层与第二非晶质层接触的状态的支承基板以及单结晶层进行热处理的热处理工序。
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公开(公告)号：CN110869543A
公开(公告)日：2020-03-06
申请号：CN201880046032.1
申请日：2018-07-09
Applicant: 株式会社田村制作所 , 株式会社希克斯 , 国立研究开发法人情报通信研究机构
IPC: C30B29/16 , C30B33/06 , H01L21/02 , H01L21/336 , H01L29/12 , H01L29/78 , H01L29/872
Abstract: 提供一种半导体基板(1)，其是由单晶Ga2O3系基板(10)与多晶基板(11)接合而成的，单晶Ga2O3系基板(10)的厚度薄于多晶基板(11)的厚度，多晶基板(11)的断裂韧性值高于单晶Ga2O3系基板(10)的断裂韧性值。
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公开(公告)号：CN108884593A
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201780022271.9
申请日：2017-04-05
Applicant: 株式会社希克斯
IPC: C30B29/36
Abstract: 本公开的支承基板(2)是由多晶SiC形成的多晶SiC基板，该多晶SiC基板的基板粒径变化率为0.43％以下，其中，将多晶SiC基板的两个表面中的一个表面称为第1表面，并将另一个表面称为第2表面，基板粒径变化率是用第1表面上的多晶SiC的晶体粒径的平均值与第2表面上的多晶SiC的晶体粒径的平均值之差除以多晶SiC基板的厚度而计算出的数值，并且，多晶SiC基板的翘曲的曲率半径为142m以上。
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公开(公告)号：CN118056038A
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202280067308.0
申请日：2022-08-08
Applicant: 株式会社希克斯
Inventor： 八木邦明
IPC: C30B29/36 , C23C16/02 , C23C16/42 , C30B25/18 , H01L21/304
Abstract: 本发明的课题是提供在不改变多晶碳化硅基板的品质的情况下实现降低制造成本的多晶碳化硅基板(33)的制造方法。本发明的解决手段是，其特征在于，具有：碳层形成工序，该工序在第一基底基材(11)的表面形成碳层(21)来制造第二基底基材(12)；多晶碳化硅成膜工序，该工序通过化学气相生长法将多晶碳化硅膜(31)在第二基底基材的表面成膜；碳层露出工序，该工序去除在第二基底基材的表面成膜的多晶碳化硅膜的外周端部而使碳层露出；以及多晶碳化硅分离工序，该工序在氧环境下使露出的碳层燃烧，将多晶碳化硅膜从去除碳层后的第二基底基材分离，在不会使第一基底基材消失的情况下实现其再利用，因此具有能够降低多晶碳化硅基板的制造成本的效果。
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