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公开(公告)号：CN115976650A
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202211664306.8
申请日：2018-07-09
Applicant: 株式会社田村制作所 , 株式会社希克斯 , 国立研究开发法人情报通信研究机构
Abstract: 提供一种包含单晶Ga2O3系基板的半导体基板，其特征在于，包含将包括Ga2O3系单晶的单晶Ga2O3系基板的接合面与包括多晶体的多晶基板的接合面接合而成的接合基板，上述多晶基板是多晶SiC基板、多晶金刚石基板、多晶Si基板、多晶Al2O3基板、多晶AlN基板中的任意一基板，上述单晶Ga2O3系基板的厚度比上述多晶基板的厚度薄，通过遵循JIS R 1607的断裂韧性试验得到的上述多晶基板的断裂韧性值为3MPa·m1/2以上。
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公开(公告)号：CN110869543A
公开(公告)日：2020-03-06
申请号：CN201880046032.1
申请日：2018-07-09
Applicant: 株式会社田村制作所 , 株式会社希克斯 , 国立研究开发法人情报通信研究机构
IPC: C30B29/16 , C30B33/06 , H01L21/02 , H01L21/336 , H01L29/12 , H01L29/78 , H01L29/872
Abstract: 提供一种半导体基板(1)，其是由单晶Ga2O3系基板(10)与多晶基板(11)接合而成的，单晶Ga2O3系基板(10)的厚度薄于多晶基板(11)的厚度，多晶基板(11)的断裂韧性值高于单晶Ga2O3系基板(10)的断裂韧性值。
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公开(公告)号：CN109898135B
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN201910106987.8
申请日：2015-07-01
Abstract: 一种β－Ga2O3系单晶衬底的制造方法，包含以下工序：在包含惰性气体、以及与所述惰性气体的流量比为0～2％的氧的环境中，通过EFG法培养线状凹坑的密度的平均值为1000个/cm2以下的β－Ga2O3系单晶的工序；以及从所述β－Ga2O3系单晶截出β－Ga2O3系单晶衬底的工序，在培养所述β－Ga2O3系单晶的工序中，根据所述β－Ga2O3系单晶中的有效载流子浓度将所述流量比在0～2％的范围内设定为规定的值。
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公开(公告)号：CN106471164A
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201580032689.9
申请日：2015-06-29
IPC: C30B29/16
CPC classification number: C30B29/16 , C01G15/00 , C01P2002/77 , C30B15/34
Abstract: 提供一种晶体构造偏差小的高品质的β－Ga2O3系单晶衬底。在一个实施方式中，提供一种由β－Ga2O3系单晶构成的β－Ga2O3系单晶衬底通过所述主面的中心的所述主面上的任意直线上的Δω的最大值为0.7264以下。在如下情形时，Δω是从测定位置的各位置的ωs减去ωa后而得到的值的最大值与最小值之差，该情形为：将所述直线上的、X射线摇摆曲线的峰值位置的X射线的入射方向与所述主面所成的角度设为所述ωs，将采用最小二乘法对表示所述ωs与其所述测定位置之间的关系的曲线进行线性近似所求出的近似直线上的角度设为所述ωa。(1)，主面是平行于β－Ga2O3系单晶的b轴的面，
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105229208A
公开(公告)日：2016-01-06
申请号：CN201480026184.7
申请日：2014-05-02
Abstract: 提供能得到晶体质量高的平板状β-Ga2O3系单晶的β-Ga2O3系单晶的培育方法以及β-Ga2O3系单晶基板及其制造方法。在一实施方式中，提供一种β-Ga2O3系单晶(25)的培育方法，包含：使平板状的晶种(20)接触Ga2O3系熔融液(12)的工序；以及提拉晶种(20)，以不继承附着于晶种(20)的主面的Ga2O3系熔融液(12)的蒸发物(23)的晶体信息的方式使具有与(100)面相交的主面(26a)的平板状的β-Ga2O3系单晶(25)生长的工序，在使β-Ga2O3系单晶(25)生长时，仅在厚度方向(t)进行β-Ga2O3系单晶(25)的扩肩。
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公开(公告)号：CN104878449A
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201510089930.3
申请日：2015-02-27
CPC classification number: H01L33/16 , C30B15/34 , C30B29/16 , H01L33/02 , Y10T428/21
Abstract: 一种β-Ga2O3基单晶基板包括β-Ga2O3基单晶。所述β-Ga2O3基单晶具有小于75秒的X射线摇摆曲线的半高宽。
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公开(公告)号：CN104736748A
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：CN201380054859.4
申请日：2013-10-09
Abstract: 提供一种β－Ga2O3系单晶的培养方法，能得到晶体品质高的板状的β－Ga2O3系单晶。在一实施方式中，提供β－Ga2O3系单晶的培养方法，其使用导模法，所述β－Ga2O3系单晶的培养方法包含：使板状的晶种(20)与Ga2O3系熔体(12)接触的工序和提拉晶种(20)使β－Ga2O3系单晶(25)生长的工序，所述板状的晶种(20)由全部区域的缺陷密度为5×105/cm2以下的β－Ga2O3系单晶构成。
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公开(公告)号：CN105229208B
公开(公告)日：2019-03-19
申请号：CN201480026184.7
申请日：2014-05-02
Abstract: 在一实施方式中，提供一种β‑Ga2O3系单晶(25)的培育方法，包含：使平板状的晶种(20)接触Ga2O3系熔融液(12)的工序；以及提拉晶种(20)，以不继承附着于晶种(20)的主面的Ga2O3系熔融液(12)的蒸发物(23)的晶体信息的方式使具有与(100)面相交的主面(26a)的平板状的β‑Ga2O3系单晶(25)生长的工序，在使β‑Ga2O3系单晶(25)生长时，仅在厚度方向(t)进行β‑Ga2O3系单晶(25)的扩肩。
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