公开(公告)号：CN106489187B

公开(公告)日：2019-10-25

申请号：CN201580037757.0

申请日：2015-07-09

Applicant: 株式会社希克斯

Inventor： 今冈功 ,  小林元树 ,  内田英次 ,  八木邦明 ,  河原孝光 ,  八田直记 ,  南章行 ,  坂田丰和 ,  牧野友厚 ,  加藤光治

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/265 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明提供一种能够提高具备彼此相接的第1和第2半导体层的半导体基板电特性的半导体基板制造方法等。具备照射工序，其在真空中对第1半导体层的表面照射第1杂质，并且在真空中对第2半导体层的表面照射第1杂质。具备接合工序，其在进行了照射工序的真空中，将第1半导体层的表面和第2半导体层的表面接合，生成具有接合界面的半导体基板。具备热处理工序，其对接合工序中所生成的半导体基板进行热处理。第1杂质为不使第1半导体层和第2半导体层产生载流子的非活性的杂质。热处理以第1半导体层和第2半导体层中所含的第1杂质的深度方向的浓度分布的幅度与实施热处理前相比实施后变窄的方式进行。

公开(公告)号：CN105474354B

公开(公告)日：2018-04-17

申请号：CN201480038163.7

申请日：2014-07-03

Applicant: 株式会社希克斯 ,  独立行政法人产业技术综合研究所

Inventor： 今冈功 ,  小林元树 ,  内田英次 ,  八木邦明 ,  河原孝光 ,  八田直记 ,  南章行 ,  坂田丰和 ,  牧野友厚 ,  高木秀树 ,  仓岛优一

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L21/76251 ,  H01L21/02002 ,  H01L21/187 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/76254 ,  H01L29/1608

Abstract: 本发明涉及半导体基板的制造方法，对于基板表面的平坦化困难的基板也没有导致在接合界面形成氧化膜，并且具有接合强度高的接合面。半导体基板的制造方法具备对支承基板的表面进行改质而形成第一非晶质层并且对半导体的单结晶层的表面进行改质而形成第二非晶质层的非晶质层形成工序。另外，具备使第一非晶质层与第二非晶质层接触的接触工序。另外，具备对第一非晶质层与第二非晶质层接触的状态的支承基板以及单结晶层进行热处理的热处理工序。

公开(公告)号：CN106489187A

公开(公告)日：2017-03-08

申请号：CN201580037757.0

申请日：2015-07-09

Applicant: 株式会社丰田自动织机 ,  株式会社希克斯

Inventor： 今冈功 ,  小林元树 ,  内田英次 ,  八木邦明 ,  河原孝光 ,  八田直记 ,  南章行 ,  坂田丰和 ,  牧野友厚 ,  加藤光治

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/265 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明提供一种能够提高具备彼此相接的第1和第2半导体层的半导体基板电特性的半导体基板制造方法等。具备照射工序，其在真空中对第1半导体层的表面照射第1杂质，并且在真空中对第2半导体层的表面照射第1杂质。具备接合工序，其在进行了照射工序的真空中，将第1半导体层的表面和第2半导体层的表面接合，生成具有接合界面的半导体基板。具备热处理工序，其对接合工序中所生成的半导体基板进行热处理。第1杂质为不使第1半导体层和第2半导体层产生载流子的非活性的杂质。热处理以第1半导体层和第2半导体层中所含的第1杂质的深度方向的浓度分布的幅度与实施热处理前相比实施后变窄的方式进行。

公开(公告)号：CN108884593A

公开(公告)日：2018-11-23

申请号：CN201780022271.9

申请日：2017-04-05

Applicant: 株式会社希克斯

Inventor： 八木邦明 ,  小林元树

IPC: C30B29/36

Abstract: 本公开的支承基板(2)是由多晶SiC形成的多晶SiC基板，该多晶SiC基板的基板粒径变化率为0.43％以下，其中，将多晶SiC基板的两个表面中的一个表面称为第1表面，并将另一个表面称为第2表面，基板粒径变化率是用第1表面上的多晶SiC的晶体粒径的平均值与第2表面上的多晶SiC的晶体粒径的平均值之差除以多晶SiC基板的厚度而计算出的数值，并且，多晶SiC基板的翘曲的曲率半径为142m以上。

公开(公告)号：CN108884593B

公开(公告)日：2021-03-12

申请号：CN201780022271.9

申请日：2017-04-05

Applicant: 株式会社希克斯

Inventor： 八木邦明 ,  小林元树

IPC: C23C16/32 ,  C30B29/36

Abstract: 本公开的支承基板(2)是由多晶SiC形成的多晶SiC基板，该多晶SiC基板的基板粒径变化率为0.43％以下，其中，将多晶SiC基板的两个表面中的一个表面称为第1表面，并将另一个表面称为第2表面，基板粒径变化率是用第1表面上的多晶SiC的晶体粒径的平均值与第2表面上的多晶SiC的晶体粒径的平均值之差除以多晶SiC基板的厚度而计算出的数值，并且，多晶SiC基板的曲率半径为142m以上。

公开(公告)号：CN105474354A

公开(公告)日：2016-04-06

申请号：CN201480038163.7

申请日：2014-07-03

Applicant: 株式会社丰田自动织机 ,  株式会社希克斯 ,  独立行政法人产业技术综合研究所

Inventor： 今冈功 ,  小林元树 ,  内田英次 ,  八木邦明 ,  河原孝光 ,  八田直记 ,  南章行 ,  坂田丰和 ,  牧野友厚 ,  高木秀树 ,  仓岛优一

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L21/76251 ,  H01L21/02002 ,  H01L21/187 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/76254 ,  H01L29/1608

Abstract: 本发明涉及半导体基板的制造方法，对于基板表面的平坦化困难的基板也没有导致在接合界面形成氧化膜，并且具有接合强度高的接合面。半导体基板的制造方法具备对支承基板的表面进行改质而形成第一非晶质层并且对半导体的单结晶层的表面进行改质而形成第二非晶质层的非晶质层形成工序。另外，具备使第一非晶质层与第二非晶质层接触的接触工序。另外，具备对第一非晶质层与第二非晶质层接触的状态的支承基板以及单结晶层进行热处理的热处理工序。