半导体发光芯片及半导体发光器件

    公开(公告)号:CN1445869A

    公开(公告)日:2003-10-01

    申请号:CN03119983.6

    申请日:2003-03-14

    CPC classification number: H01L33/20 H01L33/38

    Abstract: 本发明提供一种光取出效率高且良品率高、寿命长的半导体发光芯片及半导体发光器件。一种半导体发光芯片,其特征在于,具有:发光层,其放射光;及衬底,其对来自上述发光层的上述光具有透光性,具备设有上述发光层的上表面、与上述上表面相对的底面、连接上述上表面和上述底面的侧面,上述侧面有从上述上表面侧朝向上述底面侧的第1侧面、从该第1侧面朝向上述底面侧的第2侧面、从该第2侧面朝向上述底面侧的第3侧面,上述第3侧面朝上述上表面扩展倾斜,上述第2侧面朝上述上表面扩展倾斜从而将来自上述发光层的上述光的一部分向外部射出,上述第1侧面是通过沿解理面解理而成的侧面。

    半导体装置
    4.
    发明公开
    半导体装置 审中-实审

    公开(公告)号:CN119866545A

    公开(公告)日:2025-04-22

    申请号:CN202480003934.2

    申请日:2024-03-04

    Abstract: 实施方式的半导体装置具备:压片(60),具有设置有多个焊盘(618)的第一面;第一接合材料,设置在第一面上;以及第一金属板(20),设置在第一接合材料上,与多个焊盘(618)电连接,包含与第一面对置的第二面和设置于第二面的多个突起部(211),多个突起部(211)分别与多个焊盘(618)中的排列有多个焊盘的方向上的一端的焊盘(618A)以及另一端的焊盘(618B)对置。

    半导体装置
    5.
    发明公开
    半导体装置 审中-公开

    公开(公告)号:CN119790492A

    公开(公告)日:2025-04-08

    申请号:CN202480003818.0

    申请日:2024-02-26

    Inventor: 远藤佳纪

    Abstract: 提供可靠性高的半导体装置。实施方式的半导体装置具备:颗粒;第一导电体及第二导电体,在第一方向上夹着所述颗粒;第一接合件,将所述颗粒及所述第一导电体接合;以及第二接合件,将所述颗粒及所述第二导电体接合,所述第一导电体的与所述颗粒对置的第一面具有在所述第一方向上观察时与所述颗粒重叠的多个突起及以包围所述颗粒的方式设置的槽,所述多个突起的高度的设计值为第一值,所述槽的体积基于所述颗粒与所述第一导电体之间的第一高度为比所述第一值大的第二值的情况下的由所述颗粒和所述第一导电体夹着的部分的体积而设置。

    半导体发光芯片及半导体发光器件

    公开(公告)号:CN1242497C

    公开(公告)日:2006-02-15

    申请号:CN03119983.6

    申请日:2003-03-14

    CPC classification number: H01L33/20 H01L33/38

    Abstract: 本发明提供一种光取出效率高且良品率高、寿命长的半导体发光芯片及半导体发光器件。一种半导体发光芯片,其特征在于,具有:发光层,其放射光;及衬底,其对来自上述发光层的上述光具有透光性,具备设有上述发光层的上表面、与上述上表面相对的底面、连接上述上表面和上述底面的侧面,上述侧面有从上述上表面侧朝向上述底面侧的第1侧面、从该第1侧面朝向上述底面侧的第2侧面、从该第2侧面朝向上述底面侧的第3侧面,上述第3侧面朝上述上表面扩展倾斜,上述第2侧面朝上述上表面扩展倾斜从而将来自上述发光层的上述光的一部分向外部射出,上述第1侧面是通过沿解理面解理而成的侧面。

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