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公开(公告)号：CN103283042B
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201180062905.6
申请日：2011-07-04
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L33/42 , H01L33/14 , H01L33/38 , H01L33/405
Abstract: 根据实施方式，发光元件具备：包括发光层的半导体层叠体；在半导体层叠体之上与半导体层叠体直接地连接的第一上部电极；至少一个第二上部电极，从第一上部电极延伸，在半导体层叠体之上隔着第一接触层与半导体层叠体连接；以及设置在半导体层叠体之下的下部电极。发光元件具备：透明导电层，设置在半导体层叠体与下部电极之间，透射从发光层发出的光；设置在透明导电层与下部电极之间的光反射层；以及电流阻止层，设置在半导体层叠体与透明导电层之间以及半导体层叠体与第一上部电极以及第二上部电极之间的至少任一方，从相对于发光层的主面垂直的方向观察时，选择性地设置有至少一个狭缝。
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公开(公告)号：CN115084326B
公开(公告)日：2024-12-20
申请号：CN202110965770.X
申请日：2021-08-23
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 实施方式涉及半导体发光装置及光耦合装置。实施方式的半导体发光装置具备基板、第1导电型的第1半导体层、活性层和第2导电型的第2半导体层。上述基板具有第1能带隙。上述第1半导体层设在上述基板上，具有比上述第1能带隙宽的第2能带隙。上述活性层设在上述第1半导体层上，包括具有比上述第1及第2能带隙窄的第3能带隙的量子阱层和设在上述第1半导体层与上述量子阱层之间的第1势垒层。上述第2半导体层设在上述活性层上。上述基板的折射率比上述第1半导体层的折射率大，上述第1半导体层的折射率与上述第1势垒层的折射率相同或比上述第1势垒层的折射率大。
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公开(公告)号：CN103283042A
公开(公告)日：2013-09-04
申请号：CN201180062905.6
申请日：2011-07-04
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L33/42 , H01L33/14 , H01L33/38 , H01L33/405
Abstract: 根据实施方式，发光元件具备：包括发光层的半导体层叠体；在半导体层叠体之上与半导体层叠体直接地连接的第一上部电极；至少一个第二上部电极，从第一上部电极延伸，在半导体层叠体之上隔着第一接触层与半导体层叠体连接；以及设置在半导体层叠体之下的下部电极。发光元件具备：透明导电层，设置在半导体层叠体与下部电极之间，透射从发光层发出的光；设置在透明导电层与下部电极之间的光反射层；以及电流阻止层，设置在半导体层叠体与透明导电层之间以及半导体层叠体与第一上部电极以及第二上部电极之间的至少任一方，从相对于发光层的主面垂直的方向观察时，选择性地设置有至少一个狭缝。
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公开(公告)号：CN1445869A
公开(公告)日：2003-10-01
申请号：CN03119983.6
申请日：2003-03-14
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明提供一种光取出效率高且良品率高、寿命长的半导体发光芯片及半导体发光器件。一种半导体发光芯片，其特征在于，具有：发光层，其放射光；及衬底，其对来自上述发光层的上述光具有透光性，具备设有上述发光层的上表面、与上述上表面相对的底面、连接上述上表面和上述底面的侧面，上述侧面有从上述上表面侧朝向上述底面侧的第1侧面、从该第1侧面朝向上述底面侧的第2侧面、从该第2侧面朝向上述底面侧的第3侧面，上述第3侧面朝上述上表面扩展倾斜，上述第2侧面朝上述上表面扩展倾斜从而将来自上述发光层的上述光的一部分向外部射出，上述第1侧面是通过沿解理面解理而成的侧面。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106531864A
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201610116648.4
申请日：2016-03-02
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 本发明的实施方式提供一种能够抑制光量的偏向的发光装置。实施方式的发光装置具备：衬底，能够透过光；导电层，具有设置在衬底之上的第1导电部分、及以与第1导电部分相邻的方式设置在衬底之上且较第1导电部分薄的第2导电部分；发光层，设置在第1导电部分之上；第1电极，设置在第2导电部分之上；以及第2电极，设置在发光层之上。
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公开(公告)号：CN100416870C
公开(公告)日：2008-09-03
申请号：CN200410005240.7
申请日：2004-02-17
Applicant: 株式会社东芝
Inventor： 近藤且章
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/20 , H01L33/08 , H01L33/145
Abstract: 本发明的目的在于提供能提高从活性层中取出光的效率，同时能把该光高效率地取出到元件外侧的半导体发光元件。其特征在于具有：第1半导体层(WL)；半导体发光层(EM)，它有选择地被设置在上述第1半导体层上；高阻的电流限制层(CB)，它被设置在上述第1半导体层上的上述半导体发光层的周围；第2半导体层(WL)，它被设置在上述半导体发光层和电流限制层上；第1电极(UE)，它被设置在上述第2半导体层上；以及，第2电极(LE)，它被设置在上述第1半导体层的背面上，从上述半导体发光层放射出的光的一部分(L1)通过上述第1半导体层而被放射到外部，从上述半导体发光层放射出的光的一部分(L2)通过上述第2半导体层而被放射到外部。
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公开(公告)号：CN1242497C
公开(公告)日：2006-02-15
申请号：CN03119983.6
申请日：2003-03-14
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明提供一种光取出效率高且良品率高、寿命长的半导体发光芯片及半导体发光器件。一种半导体发光芯片，其特征在于，具有：发光层，其放射光；及衬底，其对来自上述发光层的上述光具有透光性，具备设有上述发光层的上表面、与上述上表面相对的底面、连接上述上表面和上述底面的侧面，上述侧面有从上述上表面侧朝向上述底面侧的第1侧面、从该第1侧面朝向上述底面侧的第2侧面、从该第2侧面朝向上述底面侧的第3侧面，上述第3侧面朝上述上表面扩展倾斜，上述第2侧面朝上述上表面扩展倾斜从而将来自上述发光层的上述光的一部分向外部射出，上述第1侧面是通过沿解理面解理而成的侧面。
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公开(公告)号：CN1523682A
公开(公告)日：2004-08-25
申请号：CN200410005240.7
申请日：2004-02-17
Applicant: 株式会社东芝
Inventor： 近藤且章
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/20 , H01L33/08 , H01L33/145
Abstract: 本发明的目的在于提供能提高从活性层中取出光的效率，同时能把该光高效率地取出到元件外侧的半导体发光元件。其特征在于具有：第1半导体层(WL)；半导体发光层(EM)，它有选择地被设置在上述第1半导体层上；高阻的电流区层(CB)，它被设置在上述第1半导体层上的上述半导体发光层的周围；第2半导体层(WL)，它被设置在上述半导体发光层和电流区层上；第1电极(UE)，它被设置在上述第2半导体层上；以及，第2电极(LE)，它被设置在上述第1半导体层的背面上，从上述半导体发光层放射出的光的一部分(L1)通过上述第1半导体层而被放射到外部，从上述半导体发光层放射出的光的一部分(L2)通过上述第2半导体层而被放射到外部。
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公开(公告)号：CN115084326A
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202110965770.X
申请日：2021-08-23
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 实施方式涉及半导体发光装置及光耦合装置。实施方式的半导体发光装置具备基板、第1导电型的第1半导体层、活性层和第2导电型的第2半导体层。上述基板具有第1能带隙。上述第1半导体层设在上述基板上，具有比上述第1能带隙宽的第2能带隙。上述活性层设在上述第1半导体层上，包括具有比上述第1及第2能带隙窄的第3能带隙的量子阱层和设在上述第1半导体层与上述量子阱层之间的第1势垒层。上述第2半导体层设在上述活性层上。上述基板的折射率比上述第1半导体层的折射率大，上述第1半导体层的折射率与上述第1势垒层的折射率相同或比上述第1势垒层的折射率大。
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