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公开(公告)号：CN118676098A
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202311102879.6
申请日：2023-08-30
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H01L23/495 , H01L23/31 , H01L29/739 , H01L29/78
Abstract: 实施方式提供可靠性高的半导体装置。实施方式的半导体装置具备：片；在第一方向上夹着片的第一导电体及第二导电体；第一接合材料，将片及第一导电体接合；以及第二接合材料，将片及第二导电体接合。第一导电体的与片对置的第一面具有凹陷。
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