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1.

发明公开
半导体元件及其制造方法,半导体器件及其制造方法失效

公开(公告)号：CN1179625A

公开(公告)日：1998-04-22

申请号：CN97121494.8

申请日：1997-09-30

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 东和司 , 原法人 , 米泽隆弘 , 八木能彦 , 北山喜文 , 大谷博之

IPC: H01L21/768 , H01L21/28 , H01L21/60 , H01L23/50

CPC classification number: H01L24/78 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L2224/11003 , H01L2224/1134 , H01L2224/11822 , H01L2224/13017 , H01L2224/13018 , H01L2224/13019 , H01L2224/13082 , H01L2224/131 , H01L2224/13124 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/1329 , H01L2224/133 , H01L2224/16225 , H01L2224/45015 , H01L2224/451 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/45155 , H01L2224/78303 , H01L2924/00013 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01023 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01039 , H01L2924/01057 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/014 , H01L2924/14 , Y10T29/49179 , Y10T29/49181 , H01L2224/13099 , H01L2224/48 , H01L2924/00 , H01L2924/20752 , H01L2924/00015 , H01L2924/00012 , H01L2224/05599 , H01L2224/85399

Abstract: 一种在IC电极上形成凸点电极的方法,包括以下步骤:利用丝焊设备在IC电极上形成球焊部位;向上移动焊接毛细管;横向移动焊接毛细管然后向下;把金丝焊接于球焊部位;和切断金丝,通过把焊接毛细管的下降位置预先设定为高于球焊形成位置的位置,可以防止丝与除球焊部位之外的球焊部位周边接触。

2.

发明授权
IC卡的制造方法失效转让

公开(公告)号：CN1313966C

公开(公告)日：2007-05-02

申请号：CN99102061.8

申请日：1999-03-03

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 奥光正 , 秋口尚士 , 村上慎司 , 原田豐 , 原法人 , 横枕光则 , 佐藤健一

IPC: G06K19/07 , B42D15/10

CPC classification number: G06K19/0775 , G06K19/07749 , G06K19/07779 , G06K19/07783 , H01F5/003 , H01F27/40 , H01F41/041 , H01L21/4867 , H01L24/32 , H01L2224/05567 , H01L2224/05573 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/27013 , H01L2224/32057 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/81193 , H01L2224/83051 , H01L2224/83385 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01057 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/14 , H01L2924/19041 , H01L2924/19105 , H01L2924/30107 , H01L2924/3011 , H05K1/095 , H05K3/222 , H05K3/321 , H05K3/4685 , H05K2201/0367 , H05K2201/10674 , H05K2203/1453 , Y10T29/4902 , Y10T29/4913 , Y10T29/49144 , Y10T29/49155 , H01L2224/05599

Abstract: 本发明提供元器件的安装方法和IC卡及其制造方法，其特征在于，将处理从线圈(3)接收到信号的IC芯片(4)的第一电极(7a)连接于形成在第一基材(1a)的线圈图形(2)的内圈端(3b)。然后用跳线布线手段(8)连接线圈图形(2)外圈端(3a)和IC芯片(4)第二电极(7b)。本发明具有减少工序步骤、提高生产率、降低成本及芯片小型化等优点。

3.

发明公开
半导体器件及其制造方法失效

公开(公告)号：CN1130306A

公开(公告)日：1996-09-04

申请号：CN95113148.6

申请日：1995-12-25

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 八木能彦 , 东和司 , 原法人 , 熊谷浩一 , 米泽隆弘

IPC: H01L23/48 , H01L23/50 , H01L21/60

CPC classification number: H01L24/12 , H01L24/11 , H01L24/16 , H01L2224/0401 , H01L2224/05568 , H01L2224/05573 , H01L2224/0603 , H01L2224/1134 , H01L2224/11822 , H01L2224/1184 , H01L2224/131 , H01L2224/13144 , H01L2224/1403 , H01L2224/16 , H01L2224/45144 , H01L2224/81191 , H01L2924/00013 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01033 , H01L2924/01039 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/014 , H01L2924/14 , H01L2224/13099 , H01L2924/00 , H01L2224/05599 , H01L2924/00012

Abstract: 设置于半导体芯片(4)的表面上的电极端(5)在平面视图上具有方形。而且，设置于电极端(5)上的凸块(8)的突出顶部(8a)指向电极端(5)的角部(5a)。于是，使通过毛细管(1)供给的金丝(2)的下端部熔化而形成的金球(2a)与电极端(5)接合，然后，沿方形电极(5)的对角线方向移动毛细管(1)。因而，使金丝(2)的主体与金球(2a)分离开，以形成凸块(8)。

4.

发明公开
电子组件结构体无效

公开(公告)号：CN1195423A

公开(公告)日：1998-10-07

申请号：CN97190679.3

申请日：1997-06-09

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 原法人

IPC: H01L21/60

CPC classification number: H01L24/86 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/14 , H01L24/17 , H01L2224/05573 , H01L2224/1134 , H01L2224/1184 , H01L2224/1308 , H01L2224/13082 , H01L2224/131 , H01L2224/13124 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/1411 , H01L2924/00013 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2224/13099 , H01L2224/05599

Abstract: 一种电子组件结构体,要解决当使半导体元件(1)与带状载体(5)的内引线(6)接合时,多余合金层(9)流至半导体元件(1)的边缘与之接触而引起半导体元件(1)工作不良这一问题。将金属线顶端熔融形成的金属球接合在半导体元件(1)的电极(2)之上,在电极(2)上形成凸头(11),并在带状载体(5)内引线(6)表面形成镀层,使内引线(6)与凸头(11)位置对准,在此状态使镀层熔融,利用合金层(9)使半导体元件(1)与内引线(6)接合。该电子组件结构体在电极(2)上形成有多个凸头(11),增大了保持合金层(9)的力,阻止了合金层(9)的流动。