公开(公告)号：CN1617311A

公开(公告)日：2005-05-18

申请号：CN200410092709.5

申请日：2004-11-11

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 米田健司

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/82 ,  H01L21/8242

CPC classification number: H01L28/60 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/32105 ,  H01L27/1085 ,  H01L28/84

Abstract: 一种半导体器件的制造方法，把由多晶体硅构成并且表面粗糙化的下部电极(19)暴露在氧等离子体(61)中，在下部电极(19)的表面形成氧化硅膜(19a)，通过把形成该氧化硅膜(19a)的下部电极(19)暴露在氮等离子体(62)中，把氧化硅膜(19a)的表面及其附近变质为氮化硅膜(19b)。接着，在形成该氮化硅膜(19b)的下部电极(19)上形成由氧化钽构成的电容绝缘膜(20)，然后，把电容绝缘膜(20)暴露在氧等离子体(63)中，对该电容绝缘膜(20)供给氧。接着，对电容绝缘膜(20)进行氧化性气氛的热处理，把它结晶，接着在结晶的电容绝缘膜(20)上形成上部电极(21)。

公开(公告)号：CN100369220C

公开(公告)日：2008-02-13

申请号：CN200410059242.4

申请日：2004-06-14

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 米田健司

IPC: H01L21/324 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8238

CPC classification number: H01L21/28185 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/3225 ,  H01L29/518

Abstract: 一种半导体装置的制造方法。是以在不得不缩小精细化了的热预算的制造工序中，形成覆盖硅晶片防止金属污染的除气点，以及在形成的除气点确实可以捕获金属杂质为目的。作为对硅半导体衬底进行最初的热处理，即进行了作为第1热处理的650℃～750℃的温度下持续30分钟～240分钟的热处理，其后的第2热处理的900℃～1100℃的温度下持续30分钟～120分钟的热处理。还有，即使第3次热处理，在形成栅极绝缘膜之前，进行升温温度为8℃/min加热到1000℃的，在1000℃的加热温度下持续30分钟的热处理。

公开(公告)号：CN1398005A

公开(公告)日：2003-02-19

申请号：CN02126314.0

申请日：2002-07-18

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 米田健司

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/283 ,  H01L21/316

CPC classification number: H01L21/28185 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/823462 ,  H01L21/823857 ,  H01L29/518 ,  Y10S438/981

Abstract: 一种半导体装置的制造方法，在划分为第一元件形成区域(51)和第二元件形成区域(52)的半导体衬底(11)上形成由氧化膜构成的第一栅绝缘膜(13A)。接着，除去第一栅绝缘膜(13A)的包含在第二元件形成区域(52)中的部分，通过对半导体衬底(11)，在氮氧化性气体介质中进行热处理，在第二元件形成区域(52)上形成膜厚度比第一栅绝缘膜(13A)还小的由氮氧化膜构成的第二栅绝缘膜(15B)。接着，把第一栅绝缘膜(13A)和第二栅绝缘膜(15B)暴露在氮等离子体中，形成又导入了氮原子的第一栅绝缘膜(13C)和第二栅绝缘膜(15C)。防止掺杂剂原子从被薄膜化至有直接沟道电流流动程度的栅绝缘膜的栅电极向衬底扩散，并且能降低栅漏电流。

公开(公告)号：CN100334697C

公开(公告)日：2007-08-29

申请号：CN03178460.7

申请日：2003-07-16

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 庭山雅彦 ,  米田健司

IPC: H01L21/324

CPC classification number: H01L21/324 ,  H01L21/2686

Abstract: 本发明的目的，是提供一种为取得快速热成法(RTP)温度控制性的提高，又可廉价降低晶片表面内的温度偏差的半导体装置的制造方法。其解决的方法是，在半导体衬底上照射灯光进行加热的工序中，在半导体衬底中事先设置好吸收所照射的灯光的自由载流子吸收层。由此，快速热成法(RTP)温度控制性就可以提高，还不只低温区域，工序温度区域的衬底温度的偏差也可以廉价地降低，要求热处理的高精度要求半导体装置的特性在不被降低就可以进行制造。

公开(公告)号：CN1282230C

公开(公告)日：2006-10-25

申请号：CN200410033379.2

申请日：2004-04-07

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 米田健司

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/318 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L21/02164 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/02258 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/823462 ,  H01L21/823857 ,  H01L29/6659

Abstract: 本发明涉及半导体装置的制造方法及半导体装置。通过蚀刻去掉热氧化形成的第1氧化膜(3)的一部分。将热硝酸作用于该去掉的部位(4)，形成第2氧化膜(6)。使用低能量的氮等离子体(8)将这两个氧化膜(3、6)氮化，作为氮氧化膜的第1栅极绝缘膜(11)及第2栅极绝缘膜(12)。其目的是要提供能够精确控制膜厚、形成适应高速驱动需要的很薄的栅极绝缘膜、进而在进行氮化时能够不穿透到半导体基板侧的半导体装置的制造方法，以及具有良质的很薄的栅极绝缘膜、半导体基板侧几乎未被氮化的半导体装置。

公开(公告)号：CN1577737A

公开(公告)日：2005-02-09

申请号：CN200410045863.7

申请日：2004-05-25

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 米田健司

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/30 ,  G03F7/20 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L21/6875 ,  H01L21/68757

Abstract: 在半导体衬底(晶片)固定在载物台上的状态下的这个半导体衬底主面上，对于光平板印刷线的曝光光线的假设焦点平面不产生偏差。将晶片(10)固定在销夹头(pin chuck)(20)上，接下来，向固定地晶片(10)上用通过具有设计图案的掩膜的曝光光线曝光，在晶片(10)的主面上复印设计图案。晶片(10)的背面(10b)具有剖面凸凹形状周期在300μm以上的弯曲和开口直径在100μm以下的凹陷部分(10c)，形成为弯曲的深度和凹陷部分的深度的算数平均值在200nm以下的样子。还有，曝光光线的焦点位置和固定在销夹头(20)上的晶片(10)的主面之间的距离差设定在设计标准的50％以下。

公开(公告)号：CN1305112C

公开(公告)日：2007-03-14

申请号：CN200410045863.7

申请日：2004-05-25

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 米田健司

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/30 ,  G03F7/20 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L21/6875 ,  H01L21/68757

Abstract: 在半导体衬底(晶片)固定在载物台上的状态下的这个半导体衬底主面上，对于光平板印刷线的曝光光线的假设焦点平面不产生偏差。将晶片(10)固定在销夹头(pin chuck)(20)上，接下来，向固定地晶片(10)上用通过具有设计图案的掩膜的曝光光线曝光，在晶片(10)的主面上复印设计图案。晶片(10)的背面(10b)具有剖面凸凹形状周期在300μm以上的弯曲和开口直径在100μm以下的凹陷部分(10c)，形成为弯曲的深度和凹陷部分的深度的算数平均值在200nm以下的样子。还有，曝光光线的焦点位置和固定在销夹头(20)上的晶片(10)的主面之间的距离差设定在设计标准的50%以下。

公开(公告)号：CN1280920C

公开(公告)日：2006-10-18

申请号：CN02126314.0

申请日：2002-07-18

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 米田健司

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/283 ,  H01L21/316

CPC classification number: H01L21/28185 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/823462 ,  H01L21/823857 ,  H01L29/518 ,  Y10S438/981

Abstract: 一种半导体装置的制造方法，在划分为第一元件形成区域(51)和第二元件形成区域(52)的半导体衬底(11)上形成由氧化膜构成的第一栅绝缘膜(13A)。接着，除去第一栅绝缘膜(13A)的包含在第二元件形成区域(52)中的部分，通过对半导体衬底(11)，在氮氧化性气体介质中进行热处理，在第二元件形成区域(52)上形成膜厚度比第一栅绝缘膜(13A)还小的由氮氧化膜构成的第二栅绝缘膜(15B)。接着，把第一栅绝缘膜(13A)和第二栅绝缘膜(15B)暴露在氮等离子体中，形成又导入了氮原子的第一栅绝缘膜(13C)和第二栅绝缘膜(15C)。防止掺杂剂原子从被薄膜化至有直接沟道电流流动程度的栅绝缘膜的栅电极向衬底扩散，并且能降低栅漏电流。

公开(公告)号：CN1630047A

公开(公告)日：2005-06-22

申请号：CN200410104963.2

申请日：2004-12-15

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 庭山雅彦 ,  米田健司 ,  高桥一马

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/8238

CPC classification number: H01L29/6659 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/26586 ,  H01L29/045 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/7833

Abstract: 一种半导体装置的制造方法，在半导体晶片(11)上，通过栅极绝缘膜(14A)形成栅电极(15A)后，再在栅电极(15A)的侧面形成第1侧壁(16A)。以栅电极(15A)及第1侧壁(16A)为掩模，使用批处理式离子注入装置，注入第1导电性的杂质离子，从而形成扩散区(17)。在形成扩散区(17)之际，将杂质离子的注入方向设定成垂直于半导体晶片(11)，并且分作4次进行离子注入，在每次的离子注入时，使半导体晶片(11)旋转90°。能够在形成与源极扩散区及漏极扩散区连接的低浓度的扩展区之际，以令人满意的合格率形成对栅电极而言对称性良好的扩展区。

公开(公告)号：CN1536627A

公开(公告)日：2004-10-13

申请号：CN200410033379.2

申请日：2004-04-07

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 米田健司

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/318 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L21/02164 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/02258 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/823462 ,  H01L21/823857 ,  H01L29/6659

Abstract: 本发明涉及半导体装置的制造方法及半导体装置。通过蚀刻去掉热氧化形成的第1氧化膜(3)的一部分。将热硝酸作用于该去掉的部位(4)，形成第2氧化膜(6)。使用低能量的氮等离子体(8)将这两个氧化膜(3、6)氮化，作为氮氧化膜的第1栅极绝缘膜(11)及第2栅极绝缘膜(12)。其目的是要提供能够精确控制膜厚、形成适应高速驱动需要的很薄的栅极绝缘膜、进而在进行氮化时能够不穿透到半导体基板侧的半导体装置的制造方法，以及具有良质的很薄的栅极绝缘膜、半导体基板侧几乎未被氮化的半导体装置。