公开(公告)号：CN100440462C

公开(公告)日：2008-12-03

申请号：CN200410104963.2

申请日：2004-12-15

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 庭山雅彦 ,  米田健司 ,  高桥一马

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/8238

CPC classification number: H01L29/6659 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/26586 ,  H01L29/045 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/7833

Abstract: 一种半导体装置的制造方法，在半导体晶片(11)上，通过栅极绝缘膜(14A)形成栅电极(15A)后，再在栅电极(15A)的侧面形成第1侧壁(16A)。以栅电极(15A)及第1侧壁(16A)为掩模，使用批处理式离子注入装置，注入第1导电性的杂质离子，从而形成扩散区(17)。在形成扩散区(17)之际，将杂质离子的注入方向设定成垂直于半导体晶片(11)，并且分作4次进行离子注入，在每次的离子注入时，使半导体晶片(11)旋转90°。能够在形成与源极扩散区及漏极扩散区连接的低浓度的扩展区之际，以令人满意的合格率形成对栅电极而言对称性良好的扩展区。

公开(公告)号：CN1630047A

公开(公告)日：2005-06-22

申请号：CN200410104963.2

申请日：2004-12-15

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 庭山雅彦 ,  米田健司 ,  高桥一马

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/8238

CPC classification number: H01L29/6659 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/26586 ,  H01L29/045 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/7833

Abstract: 一种半导体装置的制造方法，在半导体晶片(11)上，通过栅极绝缘膜(14A)形成栅电极(15A)后，再在栅电极(15A)的侧面形成第1侧壁(16A)。以栅电极(15A)及第1侧壁(16A)为掩模，使用批处理式离子注入装置，注入第1导电性的杂质离子，从而形成扩散区(17)。在形成扩散区(17)之际，将杂质离子的注入方向设定成垂直于半导体晶片(11)，并且分作4次进行离子注入，在每次的离子注入时，使半导体晶片(11)旋转90°。能够在形成与源极扩散区及漏极扩散区连接的低浓度的扩展区之际，以令人满意的合格率形成对栅电极而言对称性良好的扩展区。