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公开(公告)号：CN104576569A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201410550808.7
申请日：2014-10-16
Applicant: 本田技研工业株式会社 , 富士电机株式会社
IPC: H01L23/367
CPC classification number: H01L23/473 , H01L23/3672 , H01L23/3675 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 提供了一种半导体装置，其包括冷却器，在该冷却器中通过改进冷却剂的导入口、排出口的连接部等的形状能够减小连接部等中的压力损失。半导体装置(1)的冷却器(20)包括：设置在壳体(22)的彼此相对的侧壁(22b1、22b2)上成对角的位置处的导入口(27)和排出口(28)；连接到导入口(27)且形成在壳体(22)中的导入路径(24)；连接到排出口(28)且形成在壳体(22)中的排出路径(25)；以及在导入路径(24)和排出路径(25)之间的冷却流路(26)。导入口(27)的开口的高度大于导入路径(24)的高度，在导入口(27)和导入路径(24)之间的连接部(271)包括从连接部(271)的底面朝向导入路径(24)的长度方向倾斜的倾斜面(271b)。
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公开(公告)号：CN104576569B
公开(公告)日：2019-03-12
申请号：CN201410550808.7
申请日：2014-10-16
Applicant: 本田技研工业株式会社 , 富士电机株式会社
IPC: H01L23/367
Abstract: 提供了一种半导体装置，其包括冷却器，在该冷却器中通过改进冷却剂的导入口、排出口的连接部等的形状能够减小连接部等中的压力损失。半导体装置(1)的冷却器(20)包括：设置在壳体(22)的彼此相对的侧壁(22b1、22b2)上成对角的位置处的导入口(27)和排出口(28)；连接到导入口(27)且形成在壳体(22)中的导入路径(24)；连接到排出口(28)且形成在壳体(22)中的排出路径(25)；以及在导入路径(24)和排出路径(25)之间的冷却流路(26)。导入口(27)的开口的高度大于导入路径(24)的高度，在导入口(27)和导入路径(24)之间的连接部(271)包括从连接部(271)的底面朝向导入路径(24)的长度方向倾斜的倾斜面(271b)。
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公开(公告)号：CN105531817B
公开(公告)日：2019-10-18
申请号：CN201580001835.1
申请日：2015-01-28
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L23/36 , B23K1/00 , H01L23/29 , B23K101/40
Abstract: 本发明的目的在于提供轻小型且散热性能优良、合格率高、容易组装的半导体模块单元、以及使该半导体模块单元和冷却器形成为一体型而成的半导体模块。本发明的半导体模块具备：半导体芯片(3)；绝缘电路基板(11)，其在绝缘基板(2)的一侧的主面内具有与半导体芯片(3)电连接电路部件(6)，并且在绝缘基板(2)的另一侧的主面内具有第一金属部件(7)；第二金属部件(10a)，其配置于第一金属部件(7)的外边缘侧，并且至少一部分配置于比绝缘基板(2)靠近外侧的位置；模塑树脂部(9)，其在使第一金属部件(7)的一部分和第二金属部件(10a)的一部分露出的状态下密封半导体芯片(3)、绝缘电路基板(11)和第二金属部件(10a)；冷却器(1)；第一接合部件(8a)，将冷却器(1)和第一金属部件(7)之间进行接合；第二接合部件(8b)，将冷却器(1)和第二金属部件(10a)之间进行接合。
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公开(公告)号：CN107195604B
公开(公告)日：2022-05-06
申请号：CN201710057386.3
申请日：2017-01-26
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L23/473 , H01L23/40
Abstract: 本发明提供与冷却部一体化而成的半导体模块。提供半导体模块，其具备：被冷却装置、安装有被冷却装置且具有供用于冷却被冷却装置的制冷剂流动的流路的第1冷却部、固定有第1冷却部且具有与第1冷却部的流路连结的流路的第2冷却部。另外，提供半导体模块的制造方法，其包括将被冷却装置安装到具有供用于冷却被冷却装置的制冷剂流动的流路的第1冷却部的阶段、将第1冷却部固定到具有与第1冷却部的流路连结的流路的第2冷却部。
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公开(公告)号：CN103858224B
公开(公告)日：2018-04-10
申请号：CN201280049849.7
申请日：2012-10-12
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L23/473 , H02M7/48 , H05K7/20
CPC classification number: H01L23/473 , F28F3/02 , F28F3/12 , F28F9/026 , H01L23/3735 , H01L2924/0002 , H02M7/003 , H05K7/20927 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种能消除仅一部分半导体元件的温度上升，从而均匀且稳定地对半导体元件进行冷却的半导体模块用冷却器。该半导体模块用冷却器从外部向水套（2A）提供制冷剂，对配置在其外表面的半导体元件进行冷却。在水套（2A）的左侧壁（2Ab）上配置有导入口（24）及排出口（25），导入口部（21a）和排出口部（22a）均从相同的左侧壁（2Ab）突出。在作为第二流路的制冷剂排出流路（22）上配置有与翅片（2C）相平行的流速调节板（28），该制冷剂排出流路（22）与作为第一流路的制冷剂导入流路（21）并排且隔开间隔进行配置。利用制冷剂冲击流路调节板（28）而产生的压力可对翅片（2C）中的流速分布进行调整。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105531817A
公开(公告)日：2016-04-27
申请号：CN201580001835.1
申请日：2015-01-28
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L23/36 , B23K1/00 , H01L23/29 , B23K101/40
Abstract: 本发明的目的在于提供轻小型且散热性能优良、合格率高、容易组装的半导体模块单元、以及使该半导体模块单元和冷却器形成为一体型而成的半导体模块。本发明的半导体模块具备：半导体芯片(3)；绝缘电路基板(11)，其在绝缘基板(2)的一侧的主面内具有与半导体芯片(3)电连接电路部件(6)，并且在绝缘基板(2)的另一侧的主面内具有第一金属部件(7)；第二金属部件(10a)，其配置于第一金属部件(7)的外边缘侧，并且至少一部分配置于比绝缘基板(2)靠近外侧的位置；模塑树脂部(9)，其在使第一金属部件(7)的一部分和第二金属部件(10a)的一部分露出的状态下密封半导体芯片(3)、绝缘电路基板(11)和第二金属部件(10a)；冷却器(1)；第一接合部件(8a)，将冷却器(1)和第一金属部件(7)之间进行接合；第二接合部件(8b)，将冷却器(1)和第二金属部件(10a)之间进行接合。
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公开(公告)号：CN102549743A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201080029038.1
申请日：2010-07-28
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L23/473
CPC classification number: H01L23/473 , H01L23/3735 , H01L2224/32225 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了一种包括通过其获得良好的冷却效果的冷却单元的半导体模块。与从制冷剂导入口延伸的制冷剂导入流路和延伸到制冷剂排出口的制冷剂排出流路两者连通的多个冷却流路(21c)彼此平行地排列在冷却单元(20)中。翼片(22)排列在每个冷却流路(21c)中。半导体元件(32)和(33)排列在冷却单元(20)上，以使半导体元件(32)和(33)热连接到翼片(22)。通过这样做，形成半导体模块(10)。半导体元件(32)和(33)所产生的热被传导到排列在能够冷却流路(21c)的翼片(22)，并且沿着每个冷却流路(21c)流动的制冷剂驱散。
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公开(公告)号：CN1449005A
公开(公告)日：2003-10-15
申请号：CN03107634.3
申请日：2003-03-20
Applicant: 富士电机株式会社
CPC classification number: H01L24/83 , B23K1/0016 , B23K1/008 , B23K1/206 , H01L24/32 , H01L24/75 , H01L2224/29111 , H01L2224/32145 , H01L2224/83101 , H01L2224/8319 , H01L2224/8385 , H01L2924/01004 , H01L2924/01006 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01082 , H01L2924/0132 , H01L2924/014 , H01L2924/07802 , H01L2924/10253 , H01L2924/15787 , H01L2924/1579 , H01L2924/3025 , H05K1/0306 , H05K3/0058 , H05K3/341 , H01L2924/3512 , H01L2924/00 , H01L2924/00014
Abstract: 为了获得在软焊连接层中无空隙的半导体器件，在短时间内实施软焊过程而焊接一层叠物，提供一种制造半导体器件的方法。其中，该层叠物包括一金属底板，一软焊料片，一绝缘体基底，一软焊料片，和一硅芯片。将该层叠物放置在一减压炉内，在炉内抽真空之后，炉内达到正压下的氢气气氛，以还原层叠物各个部件的表面，在加热和熔化软焊料之后，炉内达到真空气氛，以除去软焊料中的空隙，且炉内达到正压下的氢气气氛，以阻止隧道形孔通过空隙的流动形成在软焊料中，由此，获得一均匀的软焊角焊缝形。此后，快速冷却层叠物使软焊料结构变得更细密，由此，提高用作焊接绝缘体基底和金属底板的软焊料的蠕变速率，以快速将金属底板的翘曲恢复到原始的状态。
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公开(公告)号：CN105940491B
公开(公告)日：2019-06-25
申请号：CN201580006839.9
申请日：2015-08-03
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L23/473 , H01L25/07 , H01L25/18 , H05K7/20
CPC classification number: H01L23/473 , H01L23/3672 , H01L23/3675 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L25/072 , H01L25/18 , H01L2224/291 , H01L2224/32225 , H01L2224/45655 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2924/13055 , H05K7/20927 , H01L2924/014 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
Abstract: 半导体装置的冷却器(20)具有冷却液的导入部(27)和排出部(28)、导入路径(24)、排出路径(25)以及冷却用流路(26)。导入路径(24)和排出路径(25)具有非对称的俯视形状。导入路径(24)与导入部(27)之间的连接部(271)与冷却用流路(26)的位于在冷却器(20)上排列的多个电路基板(13)正下方的部分相对。排出路径(25)与排出部(28)之间的连接部(281)与冷却用流路(26)的位于在冷却器(20)上排列的多个电路基板(13)正下方的部分相对。
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公开(公告)号：CN104247009A
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201380018894.0
申请日：2013-08-13
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L23/473 , H05K7/20
CPC classification number: H01L23/473 , H01L23/12 , H01L23/3735 , H01L24/81 , H01L2224/32225 , H01L2224/81085 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/15787 , H01L2924/351 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种半导体装置以及半导体装置的制造方法，所述半导体装置的散热性良好，可靠性高，且抑制了加工成本的负担增大。半导体装置(1)包括绝缘基板(12)、半导体元件(13、14)以及冷却器(20)。冷却器(20)具有：散热基板(21)，与绝缘基板(12)接合；多个散热片(22)，设置在所述散热基板(21)的与绝缘基板(12)接合的面的相反侧的面；以及壳体(23)，收纳散热片(22)并且设置有冷却液的导入口及排出口。在设置在所述壳体(23)的侧壁(23b)的上端部的缺口(23k)设置有散热基板(21)的端部并且散热基板(21)与壳体(23)液密地接合。
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