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公开(公告)号：CN117238752A
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN202311498465.X
申请日：2023-11-13
申请人： 山东有研半导体材料有限公司 , 有研半导体硅材料股份公司
摘要： 本发明公开了一种用于消除半导体抛光片表面色斑的装置与方法，属于半导体材料加工领域。该装置具备：反应室、紫外光源组件、臭氧循环系统以及旋转机构；其中，反应室由上反射板、下反射板及反射腔室组成，上反射板和下反射板分别与反应腔室侧壁密封连接，在反射腔室侧壁的上部和下部分别通过气密阀经密封管路与臭氧循环系统连接；紫外光源组件包括设置在反应室内的紫外光源阵列以及控制照射光强度与时间的紫外光功率控制器；旋转机构包括花篮卡台、驱动电机、滚轴，所述滚轴设置在花篮卡台上，并与花篮内的抛光片的边缘摩擦接触；所述驱动电机驱动滚轴转动从而带动抛光片旋转。该方法通过紫外线阵列及臭氧循环去除抛光片表面的色斑。
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公开(公告)号：CN116103748A
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202211601075.6
申请日：2022-12-14
申请人： 山东有研半导体材料有限公司 , 有研半导体硅材料股份公司
摘要： 本发明公开了一种改善硅单晶直拉炉加热器寿命的方法，包括以下步骤：(1)制作几何形状适配于电极柱和加热器脚形态的石墨纸环；(2)将制作的不同内外径尺寸的石墨纸环装入对应的直拉单晶炉内加热器脚与电极柱连接部位，正常运行拉制单晶；(3)记录不同单晶炉加热器脚与电极柱连接部位氧化物沉积产生的有无以及程度，得到能改善直拉单晶炉加热器寿命合适的内外径石墨纸环参数。本发明利用石墨纸环特异几何形状与石墨电极柱、加热器脚二者形成良好接触，有利于减少硅直拉单晶炉内氧化物在石墨加热器部件连接处的沉积，防止沉积物结块硬化、有利于减少间隙打火，有利于增强加热器电连接鲁棒性从而改善加热器的使用寿命。
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公开(公告)号：CN112735942B
公开(公告)日：2022-10-28
申请号：CN202011642678.1
申请日：2020-12-30
申请人： 有研半导体硅材料股份公司 , 山东有研半导体材料有限公司
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/205 , H01L29/10 , H01L29/739 , C30B15/00 , C30B28/12 , C30B29/06 , C30B30/04 , B28D5/02
摘要： 本发明公开了一种IGBT用硅衬底抛光片的制备方法，包括：硅单晶生长→晶体检测→滚磨→多线切割→倒角→双面研磨→化学腐蚀→POLY薄膜生长→中间检测→化学机械抛光→清洗→出厂检验，在拉晶过程中采用水平磁场，磁场强度为1000‑5000高斯，磁场形状为马鞍形，晶转为5‑15rpm，埚转为0.1‑3rpm，晶体生长时控制液面位置波动范围为±0.5mm；在倒角工序中，分别使用1000#倒角轮倒角2次，3000#倒角轮倒角2次，最终倒角幅长控制在500‑700μm；在POLY薄膜生长工序中，载具转速为0.5‑3rpm，LPCVD的工艺温度区间为600‑630℃，LPCVD的气体流量区间为50‑200mL/min。采用本发明能够获得晶体微缺陷极少、几何参数高度精密的IGBT用8英寸硅衬底抛光片。
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公开(公告)号：CN114346924B
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202111616066.X
申请日：2021-12-27
申请人： 山东有研半导体材料有限公司 , 有研半导体硅材料股份公司
IPC分类号： B24D18/00 , B24B1/00 , B28D5/04 , B28D5/00 , H01L21/762
摘要： 本发明公开了一种用于键合工艺的硅衬底抛光片的制备方法，包括以下步骤：(1)采用磁场拉晶法进行拉晶，磁场类型为水平磁场，磁场强度为1000‑5000高斯，磁场形状为马鞍形，晶转为5‑15rpm，埚转为0.1‑3rpm；控制晶体生长时液面位置+/‑0.5mm波动范围；(2)进行滚磨及线切割；(3)进行倒角轮廓设计与加工，进行四次倒角，分别使用800#导轮粗倒2次，1000‑3000#导轮精倒2次，使用非对称倒角，轮廓幅长X1大于600μm，X2小于300μm；(4)进行研磨腐蚀，先进行碱腐蚀，再进行酸腐蚀，碱腐蚀去除量控制在5‑15μm，酸腐蚀去除量控制在15‑20μm；(5)进行抛光，抛光转速控制在30‑50rpm，压力控制在300‑500kg，化学液浓度控制在1∶15‑1∶30，pH值控制在9‑13，蜡膜厚度控制在1‑3μm；(6)进行清洗检测；(7)进行边缘形状评估。
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公开(公告)号：CN117758352A
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202311840508.8
申请日：2023-12-28
申请人： 山东有研半导体材料有限公司 , 有研半导体硅材料股份公司
摘要： 本发明公开了一种用于硅单晶棒连续生产的直拉硅单晶炉副炉室及方法，属于半导体单晶炉拉晶技术领域。所述副炉室具备：炉筒、多段波纹管以及气路连接装置，炉筒由多段腔体构成，在相邻两段腔体之间密封连接有波纹管，波纹管可沿炉筒轴向变形，并且具有径向抗压的性能；在炉筒上下两端分别设有具有密封功能的隔离阀，炉筒下端的隔离阀与主炉室上端的隔离阀匹配；在炉筒上下两端设有气路连接装置；在副炉室内部设有晶体固定机构；采用本发明的副炉室及配套的固定及转移设施，通过多个副炉室的交替使用，可实现消耗一个坩埚拉制多根单晶，缩短生产周期，大幅度提高了生产效率。
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公开(公告)号：CN116240621A
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202211727056.8
申请日：2022-12-27
申请人： 山东有研半导体材料有限公司 , 有研半导体硅材料股份公司
摘要： 本发明公开了一种直拉法制备超高电阻率硅衬底的方法，该方法的工艺流程为：直拉法制备硅单晶→单晶棒滚磨→多线切割→边缘倒角→双面研磨→化学腐蚀→热处理→化学机械抛光；其中，在所述直拉法制备硅单晶的工序中，单晶生长过程中使用水平超导磁场，磁场强度为1000‑5000高斯，同时，采用特定的晶体转速和坩埚转速相配合，晶体转速为1‑12rpm，坩埚转速为0.1‑2rpm；在所述热处理工序为POLY+LTO薄膜生长；或者为高温退火。该方法适用于制备直径在8英寸及以上、电阻率在3000Ω·cm以上、氧含量在5ppma以下的P型硅衬底。所制备的单晶氧含量低于5ppma，退火后电阻率能够达到3000Ω·cm以上，并且氧含量均匀性小于10％，电阻率均匀性小于5％。
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公开(公告)号：CN117238752B
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN202311498465.X
申请日：2023-11-13
申请人： 山东有研半导体材料有限公司 , 有研半导体硅材料股份公司
摘要： 本发明公开了一种用于消除半导体抛光片表面色斑的装置与方法，属于半导体材料加工领域。该装置具备：反应室、紫外光源组件、臭氧循环系统以及旋转机构；其中，反应室由上反射板、下反射板及反射腔室组成，上反射板和下反射板分别与反应腔室侧壁密封连接，在反射腔室侧壁的上部和下部分别通过气密阀经密封管路与臭氧循环系统连接；紫外光源组件包括设置在反应室内的紫外光源阵列以及控制照射光强度与时间的紫外光功率控制器；旋转机构包括花篮卡台、驱动电机、滚轴，所述滚轴设置在花篮卡台上，并与花篮内的抛光片的边缘摩擦接触；所述驱动电机驱动滚轴转动从而带动抛光片旋转。该方法通过紫外线阵列及臭氧循环去除抛光片表面的色斑。
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公开(公告)号：CN114346924A
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN202111616066.X
申请日：2021-12-27
申请人： 山东有研半导体材料有限公司 , 有研半导体硅材料股份公司
IPC分类号： B24D18/00 , B24B1/00 , B28D5/04 , B28D5/00 , H01L21/762
摘要： 本发明公开了一种用于键合工艺的硅衬底抛光片的制备方法，包括以下步骤：(1)采用磁场拉晶法进行拉晶，磁场类型为水平磁场，磁场强度为1000‑5000高斯，磁场形状为马鞍形，晶转为5‑15rpm，埚转为0.1‑3rpm；控制晶体生长时液面位置+/‑0.5mm波动范围；(2)进行滚磨及线切割；(3)进行倒角轮廓设计与加工，进行四次倒角，分别使用800#导轮粗倒2次，1000‑3000#导轮精倒2次，使用非对称倒角，轮廓幅长X1大于600μm，X2小于300μm；(4)进行研磨腐蚀，先进行碱腐蚀，再进行酸腐蚀，碱腐蚀去除量控制在5‑15μm，酸腐蚀去除量控制在15‑20μm；(5)进行抛光，抛光转速控制在30‑50rpm，压力控制在300‑500kg，化学液浓度控制在1∶15‑1∶30，pH值控制在9‑13，蜡膜厚度控制在1‑3μm；(6)进行清洗检测；(7)进行边缘形状评估。
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公开(公告)号：CN109932337B
公开(公告)日：2021-08-03
申请号：CN201711370681.0
申请日：2017-12-18
申请人： 有研半导体硅材料股份公司
摘要： 本发明公开了一种用于评价硅基背封膜致密性的装置和方法。该装置包括：24V电源、漏点检测槽、检测电解质、检测电极和矩形连接电极；其中，24V电源的正极和负极分别通过导线与检测电极和矩形连接电极相连接；检测电极和矩形连接电极置于漏点检测槽中，硅基背封膜待测样品的正面与矩形连接电极相连；检测电极位于硅基背封膜待测样品上方。方法包括：(1)测试待测样品背封膜的折射率；(2)将样品正面薄膜去除，与矩形电极相连；(3)将连接好电极的样品平放于电解质中；(4)打开电源，用检测电极检漏；(5)测试整个面的漏点数；(6)测试漏电和良率。本发明不受制备工艺限制，应用广泛，填补了硅基二氧化硅背封膜致密性检测的空白。
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公开(公告)号：CN111261496B
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN201811462145.8
申请日：2018-11-30
申请人： 有研半导体硅材料股份公司
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/683
摘要： 本发明公开了一种适用于单面抛光的大直径衬底晶圆的酸腐蚀加工方法。该方法包括以下步骤：(1)在衬底晶圆背表面粘贴一层聚四氟乙烯掩蔽蓝膜；(2)经过表面清洗，将衬底晶圆放入酸腐蚀机的酸液中进行一次表面腐蚀，去除部分正表面损伤层；(3)经过表面清洗，进入去膜机去除掩蔽蓝膜；(4)再次经过表面清洗，清洗后的衬底晶圆再次进入酸腐蚀机的酸液中进行二次表面腐蚀，去除正表面损伤层和部分背表面损伤层；(5)再次经过表面清洗后，衬底晶圆腐蚀加工完成。该方法能够降低腐蚀片正表面损伤层深度，大大降低抛光加工去除量，同时使腐蚀片背表面保留吸杂作用，提高了抛光加工效率，简化了加工流程，提高了产品质量，降低了生产成本。
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