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公开(公告)号：CN112735942B
公开(公告)日：2022-10-28
申请号：CN202011642678.1
申请日：2020-12-30
申请人： 有研半导体硅材料股份公司 , 山东有研半导体材料有限公司
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/205 , H01L29/10 , H01L29/739 , C30B15/00 , C30B28/12 , C30B29/06 , C30B30/04 , B28D5/02
摘要： 本发明公开了一种IGBT用硅衬底抛光片的制备方法，包括：硅单晶生长→晶体检测→滚磨→多线切割→倒角→双面研磨→化学腐蚀→POLY薄膜生长→中间检测→化学机械抛光→清洗→出厂检验，在拉晶过程中采用水平磁场，磁场强度为1000‑5000高斯，磁场形状为马鞍形，晶转为5‑15rpm，埚转为0.1‑3rpm，晶体生长时控制液面位置波动范围为±0.5mm；在倒角工序中，分别使用1000#倒角轮倒角2次，3000#倒角轮倒角2次，最终倒角幅长控制在500‑700μm；在POLY薄膜生长工序中，载具转速为0.5‑3rpm，LPCVD的工艺温度区间为600‑630℃，LPCVD的气体流量区间为50‑200mL/min。采用本发明能够获得晶体微缺陷极少、几何参数高度精密的IGBT用8英寸硅衬底抛光片。
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公开(公告)号：CN111986984B
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN201910428626.5
申请日：2019-05-22
申请人： 有研半导体硅材料股份公司
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/302 , H01L21/66
摘要： 本发明公开了一种降低硅抛光片表面产生时间雾的方法。该方法包括以下步骤：(1)将去蜡清洗与硅片参数测试完成的硅抛光片依次进行：a.进行SC‑1液兆声清洗，然后进行快速高纯水冲洗(QDR)或2个纯水溢流冲洗(OF)；b.进行SC‑2液兆声清洗，然后进行快速高纯水冲洗(QDR)或2个纯水溢流冲洗(OF)；(2)热水溢流冲洗；(3)IPA Marangoni(马兰戈尼)干燥；(4)用内包装袋真空封装并存放；(5)拆除内包装袋；(6)硅片表面颗粒测试；(7)采用内层充氮气，外层抽真空，内外双层包装袋封装。采用本发明可大幅降低硅抛光片表面时间雾的产生，从而大幅减少硅抛光片因产生时间雾而造成的返工，降低生产成本。
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公开(公告)号：CN111261496B
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN201811462145.8
申请日：2018-11-30
申请人： 有研半导体硅材料股份公司
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/683
摘要： 本发明公开了一种适用于单面抛光的大直径衬底晶圆的酸腐蚀加工方法。该方法包括以下步骤：(1)在衬底晶圆背表面粘贴一层聚四氟乙烯掩蔽蓝膜；(2)经过表面清洗，将衬底晶圆放入酸腐蚀机的酸液中进行一次表面腐蚀，去除部分正表面损伤层；(3)经过表面清洗，进入去膜机去除掩蔽蓝膜；(4)再次经过表面清洗，清洗后的衬底晶圆再次进入酸腐蚀机的酸液中进行二次表面腐蚀，去除正表面损伤层和部分背表面损伤层；(5)再次经过表面清洗后，衬底晶圆腐蚀加工完成。该方法能够降低腐蚀片正表面损伤层深度，大大降低抛光加工去除量，同时使腐蚀片背表面保留吸杂作用，提高了抛光加工效率，简化了加工流程，提高了产品质量，降低了生产成本。
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公开(公告)号：CN111261495B
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN201811462122.7
申请日：2018-11-30
申请人： 有研半导体硅材料股份公司
IPC分类号： H01L21/02
摘要： 本发明公开了一种抛光硅片清洗干燥工艺，包括：步骤S1：干燥槽注满高纯水并溢流5‑10s，高纯水的电阻率大于18MΩ·cm；步骤S2：用机械手将装有1‑50片相同直径抛光硅片的两篮四氟花篮放到干燥槽底部的支架上，该支架包含四氟花篮定位卡槽部分与硅片支撑部分；步骤S3：快排，快排时间控制在8‑15s。步骤S4：在50s内向干燥槽内注满高纯水，并溢流5‑10s；步骤S5：将经常温氮气雾化后的异丙醇注入干燥内；步骤S6：慢排；步骤S7：快排；步骤S8：停止注入异丙醇，热氮气干燥抛光硅片与四氟花篮；步骤S9：将装有抛光硅片的四氟花篮移出干燥槽。采用本发明可实现在同一干燥槽内干燥两种不同直径的抛光硅片，大幅提高清洗机的使用效率，降低清洗工序的生产成本。
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