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公开(公告)号：CN118380308A
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202410516328.2
申请日：2024-04-25
申请人： 山东有研半导体材料有限公司 , 有研半导体硅材料股份公司
摘要： 本发明公开了一种处理硅衬底激光打标损伤的方法。该方法包括以下步骤：(1)切片后进行激光刻字；(2)刷洗，并进行一次清洗；(3)进行硅片表面研磨，并进行超声清洗，研磨总压力控制在800±200kg；(4)在一定旋转速率下进行腐蚀，然后进行超声清洗，用浓度为45％±5％的氢氧化钠溶液完成腐蚀，旋转速率25±5r/min；后续完成正常抛光、清洗工序。根据本发明的方法，在不影响激光打标目视读取的前提下，通过清洗、研磨、腐蚀，将激光打标造成的孔洞周围烧结的硅粉烧结物和残留在硅片表面的硅粉有效去除，提高硅抛光片的TIR和STIR等表面几何参数以及颗粒品质，从而满足IC制造中更高精度的光刻制程，进而满足高品质轻掺硅片的制备需求。
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公开(公告)号：CN118425615A
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202410494803.0
申请日：2024-04-23
申请人： 山东有研半导体材料有限公司 , 有研半导体硅材料股份公司
摘要： 本发明公开了一种电容法测试超低阻红磷硅片电阻率的方法。该包括以下步骤：(1)使用四探针设备标定电阻率校准样片，需要标定两片电阻率校准样片；(2)将标定的电阻率校准样片的电阻率值×2，输入到电容法测试电阻率设备的校准界面，根据设备提示完成电阻率校准工作；(3)根据待测片的厚度，完成电容法测试电阻率设备的厚度校准；(4)根据设备的标准化操作，完成正常测试；(5)在测试完成后，将电阻率值/2作为最终测试数据。采用本发明的方法，能够解决小于0.001Ω·cm的重掺红磷硅片的测试，可以通过电容法测试获得电阻率具体值，设备测试重复性可达到1％，准确度对标四探针法同样可达到小于1％。
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公开(公告)号：CN111986984B
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN201910428626.5
申请日：2019-05-22
申请人： 有研半导体硅材料股份公司
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/302 , H01L21/66
摘要： 本发明公开了一种降低硅抛光片表面产生时间雾的方法。该方法包括以下步骤：(1)将去蜡清洗与硅片参数测试完成的硅抛光片依次进行：a.进行SC‑1液兆声清洗，然后进行快速高纯水冲洗(QDR)或2个纯水溢流冲洗(OF)；b.进行SC‑2液兆声清洗，然后进行快速高纯水冲洗(QDR)或2个纯水溢流冲洗(OF)；(2)热水溢流冲洗；(3)IPA Marangoni(马兰戈尼)干燥；(4)用内包装袋真空封装并存放；(5)拆除内包装袋；(6)硅片表面颗粒测试；(7)采用内层充氮气，外层抽真空，内外双层包装袋封装。采用本发明可大幅降低硅抛光片表面时间雾的产生，从而大幅减少硅抛光片因产生时间雾而造成的返工，降低生产成本。
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公开(公告)号：CN114260784A
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN202111608317.X
申请日：2021-12-24
申请人： 山东有研半导体材料有限公司 , 有研半导体硅材料股份公司
摘要： 本发明公开了一种8英寸硅抛光片边缘T型轮廓加工用倒角磨削工装及方法。工装包括铝质基体、开设在铝质基体中央位置的装配孔、设置在铝质基体外周上的磨削区，在该磨削区嵌刻有多个T型磨削槽，所述T型磨削槽的内径从磨削槽口至顶端逐渐变小，整体呈弧形形状，该弧形形状与硅抛光片倒角的目标形状相同。方法包括以下步骤：(1)根据8英寸硅抛光片边缘T型轮廓要求，设计工装磨削槽；(2)通过装配孔将工装安装在硅抛光片边缘倒角加工专用设备上；(3)对8英寸薄硅抛光片边缘进行磨削加工，得到符合要求的T型边缘轮廓。本发明可实现8英寸薄硅抛光片边缘T型轮廓的精确加工，加工精度高、重复性好，效率更高。
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公开(公告)号：CN216731039U
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202123298154.8
申请日：2021-12-24
申请人： 山东有研半导体材料有限公司 , 有研半导体硅材料股份公司
摘要： 本实用新型公开了一种8英寸硅抛光片边缘T型轮廓加工用倒角磨削工装。该工装包括铝质基体、开设在铝质基体中央位置的装配孔、设置在铝质基体外周上的磨削区，在该磨削区嵌刻有多个T型磨削槽，所述T型磨削槽的内径从磨削槽口至顶端逐渐变小，整体呈弧形形状，该弧形形状与硅抛光片倒角的目标形状相同。本实用新型可实现8英寸薄硅抛光片边缘T型轮廓的精确加工，加工精度高、重复性好，效率更高。
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