公开(公告)号：CN111986984B

公开(公告)日：2024-04-19

申请号：CN201910428626.5

申请日：2019-05-22

申请人： 有研半导体硅材料股份公司

发明人： 刘云霞 ,  史训达 ,  林霖 ,  周莹莹 ,  刘卓 ,  王玥 ,  王磊 ,  蔡丽艳 ,  陈海滨 ,  陈克强 ,  杨少昆 ,  程凤伶

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/302 ,  H01L21/66

摘要： 本发明公开了一种降低硅抛光片表面产生时间雾的方法。该方法包括以下步骤：(1)将去蜡清洗与硅片参数测试完成的硅抛光片依次进行：a.进行SC‑1液兆声清洗，然后进行快速高纯水冲洗(QDR)或2个纯水溢流冲洗(OF)；b.进行SC‑2液兆声清洗，然后进行快速高纯水冲洗(QDR)或2个纯水溢流冲洗(OF)；(2)热水溢流冲洗；(3)IPA Marangoni(马兰戈尼)干燥；(4)用内包装袋真空封装并存放；(5)拆除内包装袋；(6)硅片表面颗粒测试；(7)采用内层充氮气，外层抽真空，内外双层包装袋封装。采用本发明可大幅降低硅抛光片表面时间雾的产生，从而大幅减少硅抛光片因产生时间雾而造成的返工，降低生产成本。

公开(公告)号：CN111261495B

公开(公告)日：2022-07-12

申请号：CN201811462122.7

申请日：2018-11-30

申请人： 有研半导体硅材料股份公司

发明人： 刘云霞 ,  史训达 ,  李彦君 ,  林霖 ,  徐继平 ,  王磊 ,  李俊峰 ,  李奇 ,  杨少昆 ,  程凤伶

IPC分类号： H01L21/02

摘要： 本发明公开了一种抛光硅片清洗干燥工艺，包括：步骤S1：干燥槽注满高纯水并溢流5‑10s，高纯水的电阻率大于18MΩ·cm；步骤S2：用机械手将装有1‑50片相同直径抛光硅片的两篮四氟花篮放到干燥槽底部的支架上，该支架包含四氟花篮定位卡槽部分与硅片支撑部分；步骤S3：快排，快排时间控制在8‑15s。步骤S4：在50s内向干燥槽内注满高纯水，并溢流5‑10s；步骤S5：将经常温氮气雾化后的异丙醇注入干燥内；步骤S6：慢排；步骤S7：快排；步骤S8：停止注入异丙醇，热氮气干燥抛光硅片与四氟花篮；步骤S9：将装有抛光硅片的四氟花篮移出干燥槽。采用本发明可实现在同一干燥槽内干燥两种不同直径的抛光硅片，大幅提高清洗机的使用效率，降低清洗工序的生产成本。

公开(公告)号：CN112086342B

公开(公告)日：2023-10-20

申请号：CN201910519243.9

申请日：2019-06-14

申请人： 有研半导体硅材料股份公司

发明人： 林霖 ,  史训达 ,  刘云霞 ,  陈克强 ,  杨少坤 ,  周莹莹 ,  李奇 ,  李兰军

IPC分类号： H01L21/02 ,  B24B1/00

摘要： 本发明公开了一种有效去除背封硅片背面背封点的工艺方法。该工艺方法包括以下步骤：(1)使用单面抛光机对背封片的背封面进行清洁处理，抛光机提供的压强为50～100g/cm2，清洗液为纯水，流量4～20L/min，抛光时间为1～100分钟；(2)对步骤(1)处理过的背封片进行清洗并甩干，清洗液为含过氧化氢和氨的混合溶液；(3)用有蜡贴片的方式对背封片做粗、中、精抛光。本发明能够消除背封点对抛光后的硅片表面形貌造成影响，降低后道CMP工序的Dimple缺陷发生率，从而提升硅衬底材料制造过程的整体成品率。