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公开(公告)号：CN114318513B
公开(公告)日：2024-03-05
申请号：CN202111680189.X
申请日：2021-12-30
申请人： 山东有研半导体材料有限公司 , 有研半导体硅材料股份公司
摘要： 本发明公开了一种精准控制单晶生长界面的方法，包括以下步骤：(1)等径直径稳定后，通过单晶炉客户端依次获得等径过程中直径稳定位置A和单晶重量W1、位置B和单晶重量W2、位置C和单晶重量W3；其中位置C为生长界面所在位置，计算位置A到位置B的单晶重量随着长度的变化率α＝(W2‑W1)/(B‑A)、以及位置B到位置C的单晶重量随着长度的变化率β＝(W3‑W2)/(C‑B)；率m，按照m随长度的变化得到一条线，并以此线作为基准线；(3)比较α和β的数值，若m＜α＜β，则判断生长界面为凸面，提升拉速；若m＞α＞β，则判断生长界面为凹面，降低拉速；(4)随着单晶长度增加，不断比较连续两段的重量随长度的变化率值，及时调整拉速。(2)通过计算确定出单晶理论重量随长度的变化
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公开(公告)号：CN112735942B
公开(公告)日：2022-10-28
申请号：CN202011642678.1
申请日：2020-12-30
申请人： 有研半导体硅材料股份公司 , 山东有研半导体材料有限公司
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/205 , H01L29/10 , H01L29/739 , C30B15/00 , C30B28/12 , C30B29/06 , C30B30/04 , B28D5/02
摘要： 本发明公开了一种IGBT用硅衬底抛光片的制备方法，包括：硅单晶生长→晶体检测→滚磨→多线切割→倒角→双面研磨→化学腐蚀→POLY薄膜生长→中间检测→化学机械抛光→清洗→出厂检验，在拉晶过程中采用水平磁场，磁场强度为1000‑5000高斯，磁场形状为马鞍形，晶转为5‑15rpm，埚转为0.1‑3rpm，晶体生长时控制液面位置波动范围为±0.5mm；在倒角工序中，分别使用1000#倒角轮倒角2次，3000#倒角轮倒角2次，最终倒角幅长控制在500‑700μm；在POLY薄膜生长工序中，载具转速为0.5‑3rpm，LPCVD的工艺温度区间为600‑630℃，LPCVD的气体流量区间为50‑200mL/min。采用本发明能够获得晶体微缺陷极少、几何参数高度精密的IGBT用8英寸硅衬底抛光片。
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公开(公告)号：CN114318513A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111680189.X
申请日：2021-12-30
申请人： 山东有研半导体材料有限公司 , 有研半导体硅材料股份公司
摘要： 本发明公开了一种精准控制单晶生长界面的方法，包括以下步骤：(1)等径直径稳定后，通过单晶炉客户端依次获得等径过程中直径稳定位置A和单晶重量W1、位置B和单晶重量W2、位置C和单晶重量W3；其中位置C为生长界面所在位置，计算位置A到位置B的单晶重量随着长度的变化率α＝(W2‑W1)/(B‑A)、以及位置B到位置C的单晶重量随着长度的变化率β＝(W3‑W2)/(C‑B)；(2)通过计算确定出单晶理论重量随长度的变化率m，按照m随长度的变化得到一条线，并以此线作为基准线；(3)比较α和β的数值，若m＜α＜β，则判断生长界面为凸面，提升拉速；若m＞α＞β，则判断生长界面为凹面，降低拉速；(4)随着单晶长度增加，不断比较连续两段的重量随长度的变化率值，及时调整拉速。
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公开(公告)号：CN116240621A
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202211727056.8
申请日：2022-12-27
申请人： 山东有研半导体材料有限公司 , 有研半导体硅材料股份公司
摘要： 本发明公开了一种直拉法制备超高电阻率硅衬底的方法，该方法的工艺流程为：直拉法制备硅单晶→单晶棒滚磨→多线切割→边缘倒角→双面研磨→化学腐蚀→热处理→化学机械抛光；其中，在所述直拉法制备硅单晶的工序中，单晶生长过程中使用水平超导磁场，磁场强度为1000‑5000高斯，同时，采用特定的晶体转速和坩埚转速相配合，晶体转速为1‑12rpm，坩埚转速为0.1‑2rpm；在所述热处理工序为POLY+LTO薄膜生长；或者为高温退火。该方法适用于制备直径在8英寸及以上、电阻率在3000Ω·cm以上、氧含量在5ppma以下的P型硅衬底。所制备的单晶氧含量低于5ppma，退火后电阻率能够达到3000Ω·cm以上，并且氧含量均匀性小于10％，电阻率均匀性小于5％。
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公开(公告)号：CN216919476U
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202123382045.4
申请日：2021-12-29
申请人： 山东有研半导体材料有限公司 , 有研半导体硅材料股份公司
摘要： 本实用新型公开了一种用于直拉硅单晶多次加掺掺杂剂的装置，该装置包括籽晶和掺杂剂仓，所述掺杂剂仓与所述籽晶均为硅材质，二者通过螺纹连接，掺杂剂装载在掺杂剂仓中。所述籽晶下端表面铣有外螺纹；所述掺杂剂仓中间镂空且在其上端内壁铣有与籽晶的外螺纹啮合的内螺纹。所述籽晶表面的外螺纹的长度大于掺杂剂仓的内螺纹的长度。所述籽晶表面的外螺纹的长度为掺杂剂仓的内螺纹的长度的数倍。采用本实用新型的装置来加掺掺杂剂，炉内不必改变液面温度条件，不会对热场使用寿命造成影响。另外，通过籽晶插入液面掺杂，过程简单，耗时短，不会影响石英坩埚使用寿命。该装置加掺掺杂剂不会存在炸裂等风险，除了掺杂剂仓外，籽晶可实现多次使用。
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公开(公告)号：CN112917723B
公开(公告)日：2022-11-08
申请号：CN201911237936.5
申请日：2019-12-05
申请人： 有研半导体硅材料股份公司
摘要： 本发明公开了一种用于截断大尺寸单晶硅棒头尾的装置，该装置包括操作台，和依次设置在操作台上的单晶头部固定件、单晶等径部分固定件、单晶尾部锥体固定件和单晶尾部固定件；单晶头部固定件和单晶尾部固定件分别位于操作台的两端，二者结构相同，包括支撑杆和螺纹杆，该支撑杆上设有螺纹孔，螺纹杆通过该螺纹孔连接在支撑杆上，该螺纹杆在朝向单晶硅棒的端部上设有具有防滑涂层的端面；单晶等径部分固定件包括分别设置在操作台两侧边上的第二部件，该两个第二部件之间通过连接有可拆卸的软绳；单晶尾部锥体固定件包括分别位于操作台两侧和上部的固定件，该三个固定件的结构与单晶头部固定件的结构相同，还包括支撑单晶尾部锥体下部的横梁。
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公开(公告)号：CN112735942A
公开(公告)日：2021-04-30
申请号：CN202011642678.1
申请日：2020-12-30
申请人： 有研半导体材料有限公司 , 山东有研半导体材料有限公司
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/205 , H01L29/10 , H01L29/739 , C30B15/00 , C30B28/12 , C30B29/06 , C30B30/04 , B28D5/02
摘要： 本发明公开了一种IGBT用硅衬底抛光片的制备方法。该方法依次包括以下工序：硅单晶生长→晶体检测→滚磨→多线切割→倒角→双面研磨→化学腐蚀→POLY薄膜生长→中间检测→化学机械抛光→清洗→出厂检验，其中，在拉晶过程中采用水平磁场，磁场强度为1000‑5000高斯，磁场形状为马鞍形，晶转为5‑15rpm，埚转为0.1‑3rpm，晶体生长时控制液面位置波动范围为±0.5mm；在倒角工序中，分别使用1000#倒角轮倒角2次，3000#倒角轮倒角2次，最终倒角幅长控制在500‑700μm；在POLY薄膜生长工序中，载具转速为0.5‑3rpm，LPCVD的工艺温度区间为600‑630℃，LPCVD的气体流量区间为50‑200mL/min。采用本发明能够获得晶体微缺陷极少、几何参数高度精密的IGBT用8英寸硅衬底抛光片。
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公开(公告)号：CN112831829A
公开(公告)日：2021-05-25
申请号：CN202011609839.7
申请日：2020-12-29
申请人： 有研半导体材料有限公司 , 山东有研半导体材料有限公司
摘要： 本发明公开了一种直拉硅单晶收尾阶段单晶收放趋势的判断方法，包括以下步骤：(1)按照所生产单晶直径的1‑1.3倍预算出收尾长度，结合勾股定理算出收尾的两个角度为63°和69°，根据两个角度分别计算不同长度段内的重量随长度变化斜率，绘制出理论重量随长度变化曲线图；(2)通过单晶炉客户端获得收尾部分任意位置A和重量B；通过单晶炉客户端获得收尾部分位置A下的位置C和重量D；计算位置A到位置C的重量随着长度的变化斜率α＝(D‑B)/(C‑A)；(3)将理论重量随长度变化曲线图划分成提高拉速区、拉速维持区、降低拉速区，将α放入理论重量随长度变化曲线图中，实时调节拉速。采用本发明能够及时有效的判断出单晶收放趋势，正确的调节拉速，提高单晶的完好率。
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公开(公告)号：CN211284617U
公开(公告)日：2020-08-18
申请号：CN201922260970.6
申请日：2019-12-13
申请人： 山东有研半导体材料有限公司
摘要： 本实用新型公开了一种防止直拉单晶硅石英坩埚变形的装置。该装置包括石墨坩埚、石英坩埚、卡箍、定位螺丝；石英坩埚置于石墨坩埚内，卡箍设置在石英坩埚和石墨坩埚的上端，并且石英坩埚和石墨坩埚的上缘嵌入卡箍的凹槽内，卡箍和石墨坩埚上分别设有相互对应的定位孔，并通过定位螺丝固定。本实用新型的装置能够防止直拉单晶硅熔料过程中，由于坩埚软化严重或者石英坩埚上端挂料严重而变形的现象发生；保证单晶拉制的基本条件，避免不必要的损失。加装本实用新型的装置后，可以适当提高熔料功率，减少熔料时间，降低成本。
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