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公开(公告)号：CN114318512B
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN202111626097.3
申请日：2021-12-28
申请人： 山东有研半导体材料有限公司 , 有研半导体硅材料股份公司
摘要： 本发明公开了一种通过监控直拉单晶硅转肩直径自动调节拉速的方法，该方法筛选单晶转肩形状较好的直径数据，作图进行拟合，得到拟合函数并将该函数内嵌至PLC中；根据CCD相机测量直径与函数给出直径差值，通过自动调整拉速，拉速灵敏性通过调整PID参数进行控制，根据实际转肩直径与预定直径符合程度通过调整PID参数来控制拉速，反复几次即可调整出合适PID参数，实现转肩过程自动调节拉速。本发明的方法可以实现转肩过程的拉速自动调控，提高转肩的成功率和过程的可重复性。本发明的方法可以实现自动转肩过程，无需人为操作，避免因人为操作对单晶拉制过程造成的影响，明显降低了人员操作强度，提高了生产效率，增加了产量，降低人工成本。
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公开(公告)号：CN114318512A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111626097.3
申请日：2021-12-28
申请人： 山东有研半导体材料有限公司 , 有研半导体硅材料股份公司
摘要： 本发明公开了一种通过监控直拉单晶硅转肩直径自动调节拉速的方法，该方法筛选单晶转肩形状较好的直径数据，作图进行拟合，得到拟合函数并将该函数内嵌至PLC中；根据CCD相机测量直径与函数给出直径差值，通过自动调整拉速，拉速灵敏性通过调整PID参数进行控制，根据实际转肩直径与预定直径符合程度通过调整PID参数来控制拉速，反复几次即可调整出合适PID参数，实现转肩过程自动调节拉速。本发明的方法可以实现转肩过程的拉速自动调控，提高转肩的成功率和过程的可重复性。本发明的方法可以实现自动转肩过程，无需人为操作，避免因人为操作对单晶拉制过程造成的影响，明显降低了人员操作强度，提高了生产效率，增加了产量，降低人工成本。
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公开(公告)号：CN117758356A
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202311733108.7
申请日：2023-12-14
申请人： 山东有研半导体材料有限公司 , 有研半导体硅材料股份公司
摘要： 本发明公开了一种防止P型直拉硅单晶头部电阻率虚高与反型的方法，属于直拉单晶硅技术领域。该方法包括：在导流筒上方增设可上下移动的圆筒形加热装置及可旋转激光测温装置，在单晶等径生长过程中，当单晶未露出热屏口上沿时，加热装置在炉盖最上侧，以保证单晶散热能力，具有较大的纵向梯度；当单晶露出热屏口上沿时，加热装置下移至单晶与炉盖之间，同时激光测温装置对单晶头部进行测温，若单晶头部温度低于500℃，加热装置启动加热，并控制头部区域温度大于500℃。本发明通过在传统热场结构中增设可上下移动的加热装置，实现了对单晶炉盖区域的温度控制，从而避免了硅单晶中氧施主的聚集，改善了硅单晶头部电阻率虚高甚至反型的情况。
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公开(公告)号：CN116005250A
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN202211600313.1
申请日：2022-12-13
申请人： 山东有研半导体材料有限公司 , 有研半导体硅材料股份公司
摘要： 本发明公开了一种提高大直径单晶硅放肩稳定性的方法。所采用的放肩过程包括以下步骤：(1)根据原有放肩程序确定放肩整体所需功率和放肩时长，按照时长将放肩过程分成若干阶段；(2)第一阶段时长降温调整，首次调整功率为各阶段功率均值，功率根据放肩速度进行调整，直至放肩速度偏差小于2％；(3)第二阶段时长降温调整，首次调整功率为剩余功率与剩余阶段的功率均值，功率根据放肩速度进行调整，直至放肩速度偏差小于2％，调整方法与步骤(2)相同；(4)重复步骤(2)、(3)，完成剩余各阶段功率调整；(5)调整完成后计算各阶段降温加速度并对其与时间的关系进行曲线拟合，得到相应的函数关系，根据函数关系对各阶段功率进行优化。
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公开(公告)号：CN211284617U
公开(公告)日：2020-08-18
申请号：CN201922260970.6
申请日：2019-12-13
申请人： 山东有研半导体材料有限公司
摘要： 本实用新型公开了一种防止直拉单晶硅石英坩埚变形的装置。该装置包括石墨坩埚、石英坩埚、卡箍、定位螺丝；石英坩埚置于石墨坩埚内，卡箍设置在石英坩埚和石墨坩埚的上端，并且石英坩埚和石墨坩埚的上缘嵌入卡箍的凹槽内，卡箍和石墨坩埚上分别设有相互对应的定位孔，并通过定位螺丝固定。本实用新型的装置能够防止直拉单晶硅熔料过程中，由于坩埚软化严重或者石英坩埚上端挂料严重而变形的现象发生；保证单晶拉制的基本条件，避免不必要的损失。加装本实用新型的装置后，可以适当提高熔料功率，减少熔料时间，降低成本。
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