- 专利标题: 一种适用于单面抛光的大直径衬底晶圆的酸腐蚀加工方法
-
申请号: CN201811462145.8申请日: 2018-11-30
-
公开(公告)号: CN111261496B公开(公告)日: 2022-10-14
- 发明人: 边永智 , 宁永铎 , 钟耕杭 , 程凤伶 , 郑宇 , 张亮 , 徐继平 , 卢立延
- 申请人: 有研半导体硅材料股份公司
- 申请人地址: 北京市顺义区林河工业开发区双河路南侧
- 专利权人: 有研半导体硅材料股份公司
- 当前专利权人: 有研半导体硅材料股份公司
- 当前专利权人地址: 北京市顺义区林河工业开发区双河路南侧
- 代理机构: 北京北新智诚知识产权代理有限公司
- 代理商 刘秀青
- 主分类号: H01L21/02
- IPC分类号: H01L21/02 ; H01L21/683
摘要:
本发明公开了一种适用于单面抛光的大直径衬底晶圆的酸腐蚀加工方法。该方法包括以下步骤:(1)在衬底晶圆背表面粘贴一层聚四氟乙烯掩蔽蓝膜;(2)经过表面清洗,将衬底晶圆放入酸腐蚀机的酸液中进行一次表面腐蚀,去除部分正表面损伤层;(3)经过表面清洗,进入去膜机去除掩蔽蓝膜;(4)再次经过表面清洗,清洗后的衬底晶圆再次进入酸腐蚀机的酸液中进行二次表面腐蚀,去除正表面损伤层和部分背表面损伤层;(5)再次经过表面清洗后,衬底晶圆腐蚀加工完成。该方法能够降低腐蚀片正表面损伤层深度,大大降低抛光加工去除量,同时使腐蚀片背表面保留吸杂作用,提高了抛光加工效率,简化了加工流程,提高了产品质量,降低了生产成本。
公开/授权文献
- CN111261496A 一种适用于单面抛光的大直径衬底晶圆的酸腐蚀加工方法 公开/授权日:2020-06-09
IPC分类: