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公开(公告)号：CN116140302B
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202211534968.3
申请日：2022-12-02
申请人： 山东有研半导体材料有限公司 , 有研半导体硅材料股份公司
摘要： 一种重掺红磷单晶炉管道清理的方法，A、停炉取晶后二次氧化；B、调整吸尘器吸力；C、清理抽气管道：两位工作人员，其中一人为第一人，另外一人为第二人；将该炉体内热场保温部分抬出，露出该第一分管道、第二分管道、第三分管道和第四分管道的顶部开口，并使用金属堵头封堵；分别依次清理第一主管道、第一分管道、第一主管道、第二分管道、第一主管道、第二主管道、第三分管道、第二主管道、第四分管道、第二主管道。清理各个管道时，需要确认其他的管道端口处于关闭状态，只能打开当前需要清理的管道口进行清理。本发明可以避免在清理含有红磷元素的氧化硅粉尘挥发物时，发生爆燃、自燃等危险现象，从而达到使用红磷掺杂元素安全生产的目的。
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公开(公告)号：CN118380308A
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202410516328.2
申请日：2024-04-25
申请人： 山东有研半导体材料有限公司 , 有研半导体硅材料股份公司
摘要： 本发明公开了一种处理硅衬底激光打标损伤的方法。该方法包括以下步骤：(1)切片后进行激光刻字；(2)刷洗，并进行一次清洗；(3)进行硅片表面研磨，并进行超声清洗，研磨总压力控制在800±200kg；(4)在一定旋转速率下进行腐蚀，然后进行超声清洗，用浓度为45％±5％的氢氧化钠溶液完成腐蚀，旋转速率25±5r/min；后续完成正常抛光、清洗工序。根据本发明的方法，在不影响激光打标目视读取的前提下，通过清洗、研磨、腐蚀，将激光打标造成的孔洞周围烧结的硅粉烧结物和残留在硅片表面的硅粉有效去除，提高硅抛光片的TIR和STIR等表面几何参数以及颗粒品质，从而满足IC制造中更高精度的光刻制程，进而满足高品质轻掺硅片的制备需求。
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公开(公告)号：CN117758351A
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202311798703.9
申请日：2023-12-25
申请人： 有研半导体硅材料股份公司
摘要： 本发明公开了一种区熔硅单晶自动生长的方法，属于硅单晶制备技术领域。该方法包括以下步骤：(1)根据历史拉晶数据拟合出最优的单晶长度和直径的对应关系曲线；(2)设定单晶长度区间，并根据历史拉晶数据拟合给出每个区间内相应长度的最优单晶速度、单晶转速、多晶转速、多晶速度及线圈功率；(3)在放肩、转肩、等径、收尾生长过程中，根据单晶长度按区间设定调整单晶速度、单晶转速、多晶转速，多晶速度和线圈功率通过对比特定长度时单晶测量直径和设定直径的关系，以及PID参数动态调整；(4)完成拉晶后，自动进入降温冷却阶段。采用该方法生长出的区熔硅单晶不受设备与多晶原料影响，具有标准外形尺寸，控制精度高、稳定性好。
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公开(公告)号：CN114318513B
公开(公告)日：2024-03-05
申请号：CN202111680189.X
申请日：2021-12-30
申请人： 山东有研半导体材料有限公司 , 有研半导体硅材料股份公司
摘要： 本发明公开了一种精准控制单晶生长界面的方法，包括以下步骤：(1)等径直径稳定后，通过单晶炉客户端依次获得等径过程中直径稳定位置A和单晶重量W1、位置B和单晶重量W2、位置C和单晶重量W3；其中位置C为生长界面所在位置，计算位置A到位置B的单晶重量随着长度的变化率α＝(W2‑W1)/(B‑A)、以及位置B到位置C的单晶重量随着长度的变化率β＝(W3‑W2)/(C‑B)；率m，按照m随长度的变化得到一条线，并以此线作为基准线；(3)比较α和β的数值，若m＜α＜β，则判断生长界面为凸面，提升拉速；若m＞α＞β，则判断生长界面为凹面，降低拉速；(4)随着单晶长度增加，不断比较连续两段的重量随长度的变化率值，及时调整拉速。(2)通过计算确定出单晶理论重量随长度的变化
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公开(公告)号：CN117238752A
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN202311498465.X
申请日：2023-11-13
申请人： 山东有研半导体材料有限公司 , 有研半导体硅材料股份公司
摘要： 本发明公开了一种用于消除半导体抛光片表面色斑的装置与方法，属于半导体材料加工领域。该装置具备：反应室、紫外光源组件、臭氧循环系统以及旋转机构；其中，反应室由上反射板、下反射板及反射腔室组成，上反射板和下反射板分别与反应腔室侧壁密封连接，在反射腔室侧壁的上部和下部分别通过气密阀经密封管路与臭氧循环系统连接；紫外光源组件包括设置在反应室内的紫外光源阵列以及控制照射光强度与时间的紫外光功率控制器；旋转机构包括花篮卡台、驱动电机、滚轴，所述滚轴设置在花篮卡台上，并与花篮内的抛光片的边缘摩擦接触；所述驱动电机驱动滚轴转动从而带动抛光片旋转。该方法通过紫外线阵列及臭氧循环去除抛光片表面的色斑。
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公开(公告)号：CN114318512B
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN202111626097.3
申请日：2021-12-28
申请人： 山东有研半导体材料有限公司 , 有研半导体硅材料股份公司
摘要： 本发明公开了一种通过监控直拉单晶硅转肩直径自动调节拉速的方法，该方法筛选单晶转肩形状较好的直径数据，作图进行拟合，得到拟合函数并将该函数内嵌至PLC中；根据CCD相机测量直径与函数给出直径差值，通过自动调整拉速，拉速灵敏性通过调整PID参数进行控制，根据实际转肩直径与预定直径符合程度通过调整PID参数来控制拉速，反复几次即可调整出合适PID参数，实现转肩过程自动调节拉速。本发明的方法可以实现转肩过程的拉速自动调控，提高转肩的成功率和过程的可重复性。本发明的方法可以实现自动转肩过程，无需人为操作，避免因人为操作对单晶拉制过程造成的影响，明显降低了人员操作强度，提高了生产效率，增加了产量，降低人工成本。
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公开(公告)号：CN114318507B
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202111593665.4
申请日：2021-12-23
申请人： 山东有研半导体材料有限公司 , 有研半导体硅材料股份公司
摘要： 本发明公开了一种重掺砷大直径低阻硅单晶的拉制方法，等径过程中炉内压力变化如下：(1)等径前期：炉内压力保持为75‑105Torr之间某一值不变或由75‑105Torr均匀升高到90‑160Torr；(2)等径中期：从等径前期的炉内压力均匀下降到85‑65Torr或维持在等径前期的炉内压力不变；(3)等径后期：维持在等径中期的炉内压力不变或从等径中期的炉内压力均匀下降到75‑50Torr后再维持最低压力不变；晶体拉速的变化如下：(1)等径前期：晶体拉速从45‑65mm/hr均匀降到40‑25mm/hr；(2)等径中期和等径后期：晶体拉速保持在等径前期的最低拉速不变。本发明能够有效解决大直径砷单晶等径卡、电阻率高的问题，提高单晶成晶率，获得完好的大直径低阻硅单晶。
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公开(公告)号：CN116103748A
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202211601075.6
申请日：2022-12-14
申请人： 山东有研半导体材料有限公司 , 有研半导体硅材料股份公司
摘要： 本发明公开了一种改善硅单晶直拉炉加热器寿命的方法，包括以下步骤：(1)制作几何形状适配于电极柱和加热器脚形态的石墨纸环；(2)将制作的不同内外径尺寸的石墨纸环装入对应的直拉单晶炉内加热器脚与电极柱连接部位，正常运行拉制单晶；(3)记录不同单晶炉加热器脚与电极柱连接部位氧化物沉积产生的有无以及程度，得到能改善直拉单晶炉加热器寿命合适的内外径石墨纸环参数。本发明利用石墨纸环特异几何形状与石墨电极柱、加热器脚二者形成良好接触，有利于减少硅直拉单晶炉内氧化物在石墨加热器部件连接处的沉积，防止沉积物结块硬化、有利于减少间隙打火，有利于增强加热器电连接鲁棒性从而改善加热器的使用寿命。
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公开(公告)号：CN115922577A
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202211408641.1
申请日：2022-11-10
申请人： 山东有研半导体材料有限公司 , 有研半导体硅材料股份公司
摘要： 本发明公开了一种硅片背表面喷砂装置及工艺。该喷砂装置包括盖板式喷枪上支架、设置在该喷枪上支架下方的壳体以及组装在该壳体中的多个陶瓷载具、内齿圈、外齿圈；内齿圈为柱状，其外周面具有内传动齿；外齿圈为圆环形，其外周面光滑，内周面具有外传动齿；多个陶瓷载具均匀分布在内齿圈与外齿圈之间，各陶瓷载具的外周分别与内齿圈外周面上的内传动齿和外齿圈内周面上的外传动齿啮合，内传动齿和外传动齿带动各陶瓷载具运转。在喷砂时，将硅片放置于陶瓷载具的硅片承载孔中，设定内齿圈的转向为正，转速为30‑65rpm；外齿圈的转向为负，转速为25‑60rpm；喷砂加工时间为30s‑120s；调整内内齿圈的转速、转向，使硅片在喷砂作业范围内的运行轨迹为行星运动。
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公开(公告)号：CN114318498B
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN202111638491.9
申请日：2021-12-29
申请人： 有研半导体硅材料股份公司
摘要： 本发明公开了一种区熔硅单晶的放肩方法，采用平头多晶硅进行放肩，对加热功率和多晶速度的控制方式为：(1)在平头多晶放肩初始，加热功率比锥头多晶放肩初始的加热功率高20％‑30％，然后逐步降低，到硅单晶直径为30‑40mmmm时降至与锥头多晶放肩初始的加热功率相同；后续与锥头多晶放肩参数相同；(2)在平头多晶放肩初始，多晶速度为锥头多晶放肩初始的多晶速度的2‑3倍，然后迅速逐步降低，到硅单晶直径为20‑30mm时降至最低，然后随着硅单晶直径的增大，逐步增大多晶速度，在硅单晶直径为60‑70mm时，多晶速度接近锥头多晶放肩参数，后续与锥头多晶放肩参数相同。采用本发明的方法可以避免一次拉晶失败后多晶的再次磨锥加工，减少多晶损失，提升生产效率，降低生产成本。
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