发明授权
- 专利标题: 一种区熔硅单晶的放肩方法
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申请号: CN202111638491.9申请日: 2021-12-29
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公开(公告)号: CN114318498B公开(公告)日: 2022-12-02
- 发明人: 王永涛 , 尚锐刚 , 刘建涛 , 李明飞
- 申请人: 有研半导体硅材料股份公司
- 申请人地址: 北京市顺义区林河工业开发区双河路南侧
- 专利权人: 有研半导体硅材料股份公司
- 当前专利权人: 有研半导体硅材料股份公司
- 当前专利权人地址: 北京市顺义区林河工业开发区双河路南侧
- 代理机构: 北京北新智诚知识产权代理有限公司
- 代理商 刘秀青
- 主分类号: C30B13/28
- IPC分类号: C30B13/28 ; C30B29/06
摘要:
本发明公开了一种区熔硅单晶的放肩方法,采用平头多晶硅进行放肩,对加热功率和多晶速度的控制方式为:(1)在平头多晶放肩初始,加热功率比锥头多晶放肩初始的加热功率高20%‑30%,然后逐步降低,到硅单晶直径为30‑40mmmm时降至与锥头多晶放肩初始的加热功率相同;后续与锥头多晶放肩参数相同;(2)在平头多晶放肩初始,多晶速度为锥头多晶放肩初始的多晶速度的2‑3倍,然后迅速逐步降低,到硅单晶直径为20‑30mm时降至最低,然后随着硅单晶直径的增大,逐步增大多晶速度,在硅单晶直径为60‑70mm时,多晶速度接近锥头多晶放肩参数,后续与锥头多晶放肩参数相同。采用本发明的方法可以避免一次拉晶失败后多晶的再次磨锥加工,减少多晶损失,提升生产效率,降低生产成本。
公开/授权文献
- CN114318498A 一种区熔硅单晶的放肩方法 公开/授权日:2022-04-12
IPC分类: