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公开(公告)号：CN115922577A
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202211408641.1
申请日：2022-11-10
申请人： 山东有研半导体材料有限公司 , 有研半导体硅材料股份公司
摘要： 本发明公开了一种硅片背表面喷砂装置及工艺。该喷砂装置包括盖板式喷枪上支架、设置在该喷枪上支架下方的壳体以及组装在该壳体中的多个陶瓷载具、内齿圈、外齿圈；内齿圈为柱状，其外周面具有内传动齿；外齿圈为圆环形，其外周面光滑，内周面具有外传动齿；多个陶瓷载具均匀分布在内齿圈与外齿圈之间，各陶瓷载具的外周分别与内齿圈外周面上的内传动齿和外齿圈内周面上的外传动齿啮合，内传动齿和外传动齿带动各陶瓷载具运转。在喷砂时，将硅片放置于陶瓷载具的硅片承载孔中，设定内齿圈的转向为正，转速为30‑65rpm；外齿圈的转向为负，转速为25‑60rpm；喷砂加工时间为30s‑120s；调整内内齿圈的转速、转向，使硅片在喷砂作业范围内的运行轨迹为行星运动。
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公开(公告)号：CN117862112A
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202410032589.7
申请日：2024-01-08
申请人： 山东有研半导体材料有限公司 , 有研半导体硅材料股份公司
摘要： 本发明公开了一种半导体硅抛光片的去蜡清洗工艺。该工艺包括以下步骤：(1)硅片在有蜡抛光完成后，在180秒内转移至稀释双氧水中浸泡2‑10分钟，然后将硅片从陶瓷板上取下时，使硅片始终保持在双氧水中或通过喷淋双氧水的方式保持表面湿润；(2)上一步骤完成后的60分钟内，使用2个SC1、2个双氧水和2个超纯水对硅片进行去蜡清洗，清洗流程为：SC1‑超纯水‑双氧水‑SC1‑超纯水‑双氧水，SC1清洗时间2‑10分钟，双氧水清洗时间0.5‑10分钟；(3)在预清洗前硅片转入双氧水中保存，同时控制在120分钟内对硅片进行预清洗，将硅片由湿变干，再进行最终清洗。本发明能够极大降低沾污和腐蚀对硅片表面的影响，进而获得超高洁净度表面的硅抛光片。
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公开(公告)号：CN114346924A
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN202111616066.X
申请日：2021-12-27
申请人： 山东有研半导体材料有限公司 , 有研半导体硅材料股份公司
IPC分类号： B24D18/00 , B24B1/00 , B28D5/04 , B28D5/00 , H01L21/762
摘要： 本发明公开了一种用于键合工艺的硅衬底抛光片的制备方法，包括以下步骤：(1)采用磁场拉晶法进行拉晶，磁场类型为水平磁场，磁场强度为1000‑5000高斯，磁场形状为马鞍形，晶转为5‑15rpm，埚转为0.1‑3rpm；控制晶体生长时液面位置+/‑0.5mm波动范围；(2)进行滚磨及线切割；(3)进行倒角轮廓设计与加工，进行四次倒角，分别使用800#导轮粗倒2次，1000‑3000#导轮精倒2次，使用非对称倒角，轮廓幅长X1大于600μm，X2小于300μm；(4)进行研磨腐蚀，先进行碱腐蚀，再进行酸腐蚀，碱腐蚀去除量控制在5‑15μm，酸腐蚀去除量控制在15‑20μm；(5)进行抛光，抛光转速控制在30‑50rpm，压力控制在300‑500kg，化学液浓度控制在1∶15‑1∶30，pH值控制在9‑13，蜡膜厚度控制在1‑3μm；(6)进行清洗检测；(7)进行边缘形状评估。
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公开(公告)号：CN114346924B
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202111616066.X
申请日：2021-12-27
申请人： 山东有研半导体材料有限公司 , 有研半导体硅材料股份公司
IPC分类号： B24D18/00 , B24B1/00 , B28D5/04 , B28D5/00 , H01L21/762
摘要： 本发明公开了一种用于键合工艺的硅衬底抛光片的制备方法，包括以下步骤：(1)采用磁场拉晶法进行拉晶，磁场类型为水平磁场，磁场强度为1000‑5000高斯，磁场形状为马鞍形，晶转为5‑15rpm，埚转为0.1‑3rpm；控制晶体生长时液面位置+/‑0.5mm波动范围；(2)进行滚磨及线切割；(3)进行倒角轮廓设计与加工，进行四次倒角，分别使用800#导轮粗倒2次，1000‑3000#导轮精倒2次，使用非对称倒角，轮廓幅长X1大于600μm，X2小于300μm；(4)进行研磨腐蚀，先进行碱腐蚀，再进行酸腐蚀，碱腐蚀去除量控制在5‑15μm，酸腐蚀去除量控制在15‑20μm；(5)进行抛光，抛光转速控制在30‑50rpm，压力控制在300‑500kg，化学液浓度控制在1∶15‑1∶30，pH值控制在9‑13，蜡膜厚度控制在1‑3μm；(6)进行清洗检测；(7)进行边缘形状评估。
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公开(公告)号：CN114310653B
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202111436473.2
申请日：2021-11-29
申请人： 山东有研半导体材料有限公司 , 有研半导体硅材料股份公司
摘要： 本发明公开了一种高品质几何参数抛光片的有蜡贴片工艺。该工艺包括以下步骤：(1)将硅片放在一个圆形吸盘上，硅片与吸盘之间靠真空固定，吸盘与硅片的圆心重合于一点，吸盘以1000‑3000rpm的转速携带硅片旋转，此时向硅片圆心处注入0.1‑10mL液体蜡，吸盘及硅片持续旋转1‑60s，液体蜡在离心力的作用下，涂覆在硅片背表面；(2)将吸盘及硅片转速提高到3500‑5000rpm，此时向硅片圆心处注入0.1‑10mL液体蜡，吸盘及硅片持续旋转1‑60s，液体蜡在离心力的作用下，涂覆在硅片背表面；(3)经热烘箱烘烤后，粘贴在有蜡抛光专用的工装夹具上，进行有蜡抛光。本发明能够产生厚度更加均匀的蜡膜，进而制造出具有更加优异局部平整度的硅衬底抛光片，提高后道器件厂的成品率。
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公开(公告)号：CN114310653A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111436473.2
申请日：2021-11-29
申请人： 山东有研半导体材料有限公司 , 有研半导体硅材料股份公司
摘要： 本发明公开了一种高品质几何参数抛光片的有蜡贴片工艺。该工艺包括以下步骤：(1)将硅片放在一个圆形吸盘上，硅片与吸盘之间靠真空固定，吸盘与硅片的圆心重合于一点，吸盘以1000‑3000rpm的转速携带硅片旋转，此时向硅片圆心处注入0.1‑10mL液体蜡，吸盘及硅片持续旋转1‑60s，液体蜡在离心力的作用下，涂覆在硅片背表面；(2)将吸盘及硅片转速提高到3500‑5000rpm，此时向硅片圆心处注入0.1‑10mL液体蜡，吸盘及硅片持续旋转1‑60s，液体蜡在离心力的作用下，涂覆在硅片背表面；(3)经热烘箱烘烤后，粘贴在有蜡抛光专用的工装夹具上，进行有蜡抛光。本发明能够产生厚度更加均匀的蜡膜，进而制造出具有更加优异局部平整度的硅衬底抛光片，提高后道器件厂的成品率。
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公开(公告)号：CN117116740A
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN202310967112.3
申请日：2023-08-02
申请人： 山东有研半导体材料有限公司 , 有研半导体硅材料股份公司
IPC分类号： H01L21/02
摘要： 本发明公开一种大尺寸晶圆边缘的加工工艺，属于半导体晶圆加工技术领域。该加工工艺包括以下步骤：(1)滚磨单晶棒切片得到晶圆；(2)使用600‑1000#倒角轮磨削槽对晶圆边缘进行粗倒角，倒角轮转速为6000‑9000rpm；(3)使用研磨液进行研磨，研磨液流量为800‑1500mL/min，研磨转速为20‑50rpm，研磨压力为500‑1500kg；(4)使用由氢氟酸、硝酸、醋酸组成的混酸进行腐蚀；(5)使用1500‑4000#倒角轮磨削槽对晶圆边缘进行精倒角，倒角轮转速为6000‑9000rpm。通过研磨前的粗倒角，可以去除晶圆的边缘应力，避免研磨、腐蚀过程中晶圆边缘崩裂；通过精倒角加工研磨、腐蚀之后的晶圆，可以消除研磨、腐蚀过程带来的晶圆边缘损伤，并且可以避免腐蚀过程对晶圆边缘轮廓的不利影响，提高边缘轮廓的一致性。
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公开(公告)号：CN115763240A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202211403424.3
申请日：2022-11-10
申请人： 山东有研半导体材料有限公司 , 有研半导体硅材料股份公司
IPC分类号： H01L21/306
摘要： 本发明公开了一种消除硅片表面应力的碱腐蚀工艺。硅片加工过程依次包括切片、第一次碱液热处理、倒角、第二次碱液热处理、研磨；其中，在第一次碱液热处理中，将切片后得到的硅片浸入碱液A中处理，碱液A的质量百分比浓度为15％‑40％，温度为90‑120℃，处理时间为8‑30s；在第二次碱液热处理中，将倒角后的硅片浸入碱液B中处理，碱液B的质量百分比浓度为20％‑40％，温度为90‑120℃，处理时间为5‑25s。碱液A和碱液B所选用的碱为氢氧化钠或氢氧化钾。本发明的工艺通过在硅片倒角前后增加碱液热处理工序，可以有效地消除硅片表面应力，降低硅片在后续倒角、研磨工序的损失率。
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公开(公告)号：CN112975578B
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN201911280083.3
申请日：2019-12-12
申请人： 有研半导体硅材料股份公司
IPC分类号： B24B1/00 , H01L21/306
摘要： 本发明公开了一种改善硅抛光片表面粗糙度的抛光方法，该抛光方法包括以下步骤：(1)对硅片背面进行喷蜡处理，将硅片贴在陶瓷板上；(2)将贴在陶瓷板上的硅片先进行粗抛光；(3)将完成粗抛光的硅片进行1、2号中抛光；(4)将完成中抛光的硅片进行精抛光处理，该精抛光处理包括四个阶段；(5)对完成抛光的硅片进行取片处理，将硅片存放在含有0.5％‑1％活性剂的水槽中，水槽温度控制在16‑18℃。本发明通过改善中抛和精抛抛光工艺和抛光后硅片存放处理，有效的改善了硅片表面粗糙度，提高后工序外延加工和器件加工的成品率。
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