公开(公告)号：CN117862112A

公开(公告)日：2024-04-12

申请号：CN202410032589.7

申请日：2024-01-08

申请人： 山东有研半导体材料有限公司 ,  有研半导体硅材料股份公司

发明人： 赵江伟 ,  王新 ,  韩佩鑫 ,  田凤阁 ,  陈克强 ,  崔学军 ,  黄书峰 ,  王冠通

IPC分类号： B08B3/08 ,  H01L21/02 ,  B08B3/12 ,  B08B3/02

摘要： 本发明公开了一种半导体硅抛光片的去蜡清洗工艺。该工艺包括以下步骤：(1)硅片在有蜡抛光完成后，在180秒内转移至稀释双氧水中浸泡2‑10分钟，然后将硅片从陶瓷板上取下时，使硅片始终保持在双氧水中或通过喷淋双氧水的方式保持表面湿润；(2)上一步骤完成后的60分钟内，使用2个SC1、2个双氧水和2个超纯水对硅片进行去蜡清洗，清洗流程为：SC1‑超纯水‑双氧水‑SC1‑超纯水‑双氧水，SC1清洗时间2‑10分钟，双氧水清洗时间0.5‑10分钟；(3)在预清洗前硅片转入双氧水中保存，同时控制在120分钟内对硅片进行预清洗，将硅片由湿变干，再进行最终清洗。本发明能够极大降低沾污和腐蚀对硅片表面的影响，进而获得超高洁净度表面的硅抛光片。

公开(公告)号：CN112992670A

公开(公告)日：2021-06-18

申请号：CN201911305497.7

申请日：2019-12-16

申请人： 山东有研半导体材料有限公司

发明人： 钟耕杭 ,  宁永铎 ,  徐继平 ,  边永智 ,  史训达 ,  白雪 ,  赵江伟 ,  陈鲁锋

IPC分类号： H01L21/311

摘要： 本发明公开了一种用于降低硅基背封抛光片应力的方法。该方法包括以下步骤：(1)制作与硅衬底二氧化硅薄膜尺寸匹配的蓝膜，对蓝膜进行设计，保留边缘区域的完整性，而将中心区域按照一定的图案形状开孔，制成图案蓝膜；(2)将该蓝膜贴附在背封完成的硅衬底二氧化硅薄膜上，在保证边缘二氧化硅薄膜完整性的同时，采用腐蚀剂将硅衬底中心区域按照图案形状去除部分二氧化硅薄膜；(3)将腐蚀后的硅衬底用热腐蚀剂去除掉蓝膜，制成图案薄膜。本发明优点：在不影响二氧化硅薄膜背封效果的前提下，通过将二氧化硅薄膜腐蚀成特定的形状，降低了二氧化硅薄膜的应力，提升了硅基背封抛光片的几何参数品质，从而能满足更高精度要求的光刻制程。

公开(公告)号：CN112992670B

公开(公告)日：2022-10-28

申请号：CN201911305497.7

申请日：2019-12-16

申请人： 山东有研半导体材料有限公司

发明人： 钟耕杭 ,  宁永铎 ,  徐继平 ,  边永智 ,  史训达 ,  白雪 ,  赵江伟 ,  陈鲁锋

IPC分类号： H01L21/311

摘要： 本发明公开了一种用于降低硅基背封抛光片应力的方法。该方法包括以下步骤：(1)制作与硅衬底二氧化硅薄膜尺寸匹配的蓝膜，对蓝膜进行设计，保留边缘区域的完整性，而将中心区域按照一定的图案形状开孔，制成图案蓝膜；(2)将该蓝膜贴附在背封完成的硅衬底二氧化硅薄膜上，在保证边缘二氧化硅薄膜完整性的同时，采用腐蚀剂将硅衬底中心区域按照图案形状去除部分二氧化硅薄膜；(3)将腐蚀后的硅衬底用热腐蚀剂去除掉蓝膜，制成图案薄膜。本发明优点：在不影响二氧化硅薄膜背封效果的前提下，通过将二氧化硅薄膜腐蚀成特定的形状，降低了二氧化硅薄膜的应力，提升了硅基背封抛光片的几何参数品质，从而能满足更高精度要求的光刻制程。