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公开(公告)号：CN112985292B
公开(公告)日：2023-02-17
申请号：CN201911297366.9
申请日：2019-12-12
申请人： 山东有研半导体材料有限公司
IPC分类号： G01B11/24
摘要： 本发明公开了一种用于辅助调整晶圆加工设备工作盘的检测装置和方法。该检测装置包括光线发射机构、光线接收机构以及数据处理器，数据处理器通过数据连接线分别与光线发射机构及光线接收机构连接。光线发射机构具体包括一个带有可调节地脚的支架、光线发射器、XY移动机构、发射角调整机构；光线接收机构具体包括一个带有可调节地脚的支架、光线接收器、XY移动机构；数据处理器具体包括触摸屏、运动控制器和算法程序。使用该装置对晶圆加工设备工作盘进行测试，可以快速准确测量晶圆加工设备工作盘运行状态，为工艺人员提供准确的测量数据，提高工作效率。
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公开(公告)号：CN114346924B
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202111616066.X
申请日：2021-12-27
申请人： 山东有研半导体材料有限公司 , 有研半导体硅材料股份公司
IPC分类号： B24D18/00 , B24B1/00 , B28D5/04 , B28D5/00 , H01L21/762
摘要： 本发明公开了一种用于键合工艺的硅衬底抛光片的制备方法，包括以下步骤：(1)采用磁场拉晶法进行拉晶，磁场类型为水平磁场，磁场强度为1000‑5000高斯，磁场形状为马鞍形，晶转为5‑15rpm，埚转为0.1‑3rpm；控制晶体生长时液面位置+/‑0.5mm波动范围；(2)进行滚磨及线切割；(3)进行倒角轮廓设计与加工，进行四次倒角，分别使用800#导轮粗倒2次，1000‑3000#导轮精倒2次，使用非对称倒角，轮廓幅长X1大于600μm，X2小于300μm；(4)进行研磨腐蚀，先进行碱腐蚀，再进行酸腐蚀，碱腐蚀去除量控制在5‑15μm，酸腐蚀去除量控制在15‑20μm；(5)进行抛光，抛光转速控制在30‑50rpm，压力控制在300‑500kg，化学液浓度控制在1∶15‑1∶30，pH值控制在9‑13，蜡膜厚度控制在1‑3μm；(6)进行清洗检测；(7)进行边缘形状评估。
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公开(公告)号：CN112992672A
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN201911305498.1
申请日：2019-12-16
申请人： 山东有研半导体材料有限公司
IPC分类号： H01L21/316
摘要： 本发明公开了一种硅基二氧化硅背封薄膜的制备方法，该方法包括高温氧化预处理步骤和低温低压CVD沉积步骤；在高温氧化预处理步骤中，温度为1000℃‑1100℃，氧气流量为20‑30sccm，时间为10‑20min；在低温低压CVD沉积步骤中，温度为600℃‑700℃，正硅酸乙酯的流量为100‑200sccm，氧气流量为150‑250sccm，压力为100‑300MT。本发明的方法通过高温氧化预处理和低温低压CVD沉积组合方式制备二氧化硅背封薄膜，能够显著提升二氧化硅背封薄膜的致密性。本发明工艺控制简单，能够满足硅基材料背封薄膜特别是8英寸以上大直径硅基材料背封薄膜的制备工艺要求。
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公开(公告)号：CN112992670A
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN201911305497.7
申请日：2019-12-16
申请人： 山东有研半导体材料有限公司
IPC分类号： H01L21/311
摘要： 本发明公开了一种用于降低硅基背封抛光片应力的方法。该方法包括以下步骤：(1)制作与硅衬底二氧化硅薄膜尺寸匹配的蓝膜，对蓝膜进行设计，保留边缘区域的完整性，而将中心区域按照一定的图案形状开孔，制成图案蓝膜；(2)将该蓝膜贴附在背封完成的硅衬底二氧化硅薄膜上，在保证边缘二氧化硅薄膜完整性的同时，采用腐蚀剂将硅衬底中心区域按照图案形状去除部分二氧化硅薄膜；(3)将腐蚀后的硅衬底用热腐蚀剂去除掉蓝膜，制成图案薄膜。本发明优点：在不影响二氧化硅薄膜背封效果的前提下，通过将二氧化硅薄膜腐蚀成特定的形状，降低了二氧化硅薄膜的应力，提升了硅基背封抛光片的几何参数品质，从而能满足更高精度要求的光刻制程。
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公开(公告)号：CN117238752A
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN202311498465.X
申请日：2023-11-13
申请人： 山东有研半导体材料有限公司 , 有研半导体硅材料股份公司
摘要： 本发明公开了一种用于消除半导体抛光片表面色斑的装置与方法，属于半导体材料加工领域。该装置具备：反应室、紫外光源组件、臭氧循环系统以及旋转机构；其中，反应室由上反射板、下反射板及反射腔室组成，上反射板和下反射板分别与反应腔室侧壁密封连接，在反射腔室侧壁的上部和下部分别通过气密阀经密封管路与臭氧循环系统连接；紫外光源组件包括设置在反应室内的紫外光源阵列以及控制照射光强度与时间的紫外光功率控制器；旋转机构包括花篮卡台、驱动电机、滚轴，所述滚轴设置在花篮卡台上，并与花篮内的抛光片的边缘摩擦接触；所述驱动电机驱动滚轴转动从而带动抛光片旋转。该方法通过紫外线阵列及臭氧循环去除抛光片表面的色斑。
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公开(公告)号：CN116103748A
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202211601075.6
申请日：2022-12-14
申请人： 山东有研半导体材料有限公司 , 有研半导体硅材料股份公司
摘要： 本发明公开了一种改善硅单晶直拉炉加热器寿命的方法，包括以下步骤：(1)制作几何形状适配于电极柱和加热器脚形态的石墨纸环；(2)将制作的不同内外径尺寸的石墨纸环装入对应的直拉单晶炉内加热器脚与电极柱连接部位，正常运行拉制单晶；(3)记录不同单晶炉加热器脚与电极柱连接部位氧化物沉积产生的有无以及程度，得到能改善直拉单晶炉加热器寿命合适的内外径石墨纸环参数。本发明利用石墨纸环特异几何形状与石墨电极柱、加热器脚二者形成良好接触，有利于减少硅直拉单晶炉内氧化物在石墨加热器部件连接处的沉积，防止沉积物结块硬化、有利于减少间隙打火，有利于增强加热器电连接鲁棒性从而改善加热器的使用寿命。
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公开(公告)号：CN112735942B
公开(公告)日：2022-10-28
申请号：CN202011642678.1
申请日：2020-12-30
申请人： 有研半导体硅材料股份公司 , 山东有研半导体材料有限公司
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/205 , H01L29/10 , H01L29/739 , C30B15/00 , C30B28/12 , C30B29/06 , C30B30/04 , B28D5/02
摘要： 本发明公开了一种IGBT用硅衬底抛光片的制备方法，包括：硅单晶生长→晶体检测→滚磨→多线切割→倒角→双面研磨→化学腐蚀→POLY薄膜生长→中间检测→化学机械抛光→清洗→出厂检验，在拉晶过程中采用水平磁场，磁场强度为1000‑5000高斯，磁场形状为马鞍形，晶转为5‑15rpm，埚转为0.1‑3rpm，晶体生长时控制液面位置波动范围为±0.5mm；在倒角工序中，分别使用1000#倒角轮倒角2次，3000#倒角轮倒角2次，最终倒角幅长控制在500‑700μm；在POLY薄膜生长工序中，载具转速为0.5‑3rpm，LPCVD的工艺温度区间为600‑630℃，LPCVD的气体流量区间为50‑200mL/min。采用本发明能够获得晶体微缺陷极少、几何参数高度精密的IGBT用8英寸硅衬底抛光片。
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公开(公告)号：CN112992672B
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN201911305498.1
申请日：2019-12-16
申请人： 山东有研半导体材料有限公司
IPC分类号： H01L21/316
摘要： 本发明公开了一种硅基二氧化硅背封薄膜的制备方法，该方法包括高温氧化预处理步骤和低温低压CVD沉积步骤；在高温氧化预处理步骤中，温度为1000℃‑1100℃，氧气流量为20‑30sccm，时间为10‑20min；在低温低压CVD沉积步骤中，温度为600℃‑700℃，正硅酸乙酯的流量为100‑200sccm，氧气流量为150‑250sccm，压力为100‑300MT。本发明的方法通过高温氧化预处理和低温低压CVD沉积组合方式制备二氧化硅背封薄膜，能够显著提升二氧化硅背封薄膜的致密性。本发明工艺控制简单，能够满足硅基材料背封薄膜特别是8英寸以上大直径硅基材料背封薄膜的制备工艺要求。
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公开(公告)号：CN112992670B
公开(公告)日：2022-10-28
申请号：CN201911305497.7
申请日：2019-12-16
申请人： 山东有研半导体材料有限公司
IPC分类号： H01L21/311
摘要： 本发明公开了一种用于降低硅基背封抛光片应力的方法。该方法包括以下步骤：(1)制作与硅衬底二氧化硅薄膜尺寸匹配的蓝膜，对蓝膜进行设计，保留边缘区域的完整性，而将中心区域按照一定的图案形状开孔，制成图案蓝膜；(2)将该蓝膜贴附在背封完成的硅衬底二氧化硅薄膜上，在保证边缘二氧化硅薄膜完整性的同时，采用腐蚀剂将硅衬底中心区域按照图案形状去除部分二氧化硅薄膜；(3)将腐蚀后的硅衬底用热腐蚀剂去除掉蓝膜，制成图案薄膜。本发明优点：在不影响二氧化硅薄膜背封效果的前提下，通过将二氧化硅薄膜腐蚀成特定的形状，降低了二氧化硅薄膜的应力，提升了硅基背封抛光片的几何参数品质，从而能满足更高精度要求的光刻制程。
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公开(公告)号：CN112985292A
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN201911297366.9
申请日：2019-12-12
申请人： 山东有研半导体材料有限公司
IPC分类号： G01B11/24
摘要： 本发明公开了一种用于辅助调整晶圆加工设备工作盘的检测装置和方法。该检测装置包括光线发射机构、光线接收机构以及数据处理器，数据处理器通过数据连接线分别与光线发射机构及光线接收机构连接。光线发射机构具体包括一个带有可调节地脚的支架、光线发射器、XY移动机构、发射角调整机构；光线接收机构具体包括一个带有可调节地脚的支架、光线接收器、XY移动机构；数据处理器具体包括触摸屏、运动控制器和算法程序。使用该装置对晶圆加工设备工作盘进行测试，可以快速准确测量晶圆加工设备工作盘运行状态，为工艺人员提供准确的测量数据，提高工作效率。
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