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公开(公告)号：CN111261496B
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN201811462145.8
申请日：2018-11-30
申请人： 有研半导体硅材料股份公司
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/683
摘要： 本发明公开了一种适用于单面抛光的大直径衬底晶圆的酸腐蚀加工方法。该方法包括以下步骤：(1)在衬底晶圆背表面粘贴一层聚四氟乙烯掩蔽蓝膜；(2)经过表面清洗，将衬底晶圆放入酸腐蚀机的酸液中进行一次表面腐蚀，去除部分正表面损伤层；(3)经过表面清洗，进入去膜机去除掩蔽蓝膜；(4)再次经过表面清洗，清洗后的衬底晶圆再次进入酸腐蚀机的酸液中进行二次表面腐蚀，去除正表面损伤层和部分背表面损伤层；(5)再次经过表面清洗后，衬底晶圆腐蚀加工完成。该方法能够降低腐蚀片正表面损伤层深度，大大降低抛光加工去除量，同时使腐蚀片背表面保留吸杂作用，提高了抛光加工效率，简化了加工流程，提高了产品质量，降低了生产成本。
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公开(公告)号：CN114346924A
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN202111616066.X
申请日：2021-12-27
申请人： 山东有研半导体材料有限公司 , 有研半导体硅材料股份公司
IPC分类号： B24D18/00 , B24B1/00 , B28D5/04 , B28D5/00 , H01L21/762
摘要： 本发明公开了一种用于键合工艺的硅衬底抛光片的制备方法，包括以下步骤：(1)采用磁场拉晶法进行拉晶，磁场类型为水平磁场，磁场强度为1000‑5000高斯，磁场形状为马鞍形，晶转为5‑15rpm，埚转为0.1‑3rpm；控制晶体生长时液面位置+/‑0.5mm波动范围；(2)进行滚磨及线切割；(3)进行倒角轮廓设计与加工，进行四次倒角，分别使用800#导轮粗倒2次，1000‑3000#导轮精倒2次，使用非对称倒角，轮廓幅长X1大于600μm，X2小于300μm；(4)进行研磨腐蚀，先进行碱腐蚀，再进行酸腐蚀，碱腐蚀去除量控制在5‑15μm，酸腐蚀去除量控制在15‑20μm；(5)进行抛光，抛光转速控制在30‑50rpm，压力控制在300‑500kg，化学液浓度控制在1∶15‑1∶30，pH值控制在9‑13，蜡膜厚度控制在1‑3μm；(6)进行清洗检测；(7)进行边缘形状评估。
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公开(公告)号：CN118380308A
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202410516328.2
申请日：2024-04-25
申请人： 山东有研半导体材料有限公司 , 有研半导体硅材料股份公司
摘要： 本发明公开了一种处理硅衬底激光打标损伤的方法。该方法包括以下步骤：(1)切片后进行激光刻字；(2)刷洗，并进行一次清洗；(3)进行硅片表面研磨，并进行超声清洗，研磨总压力控制在800±200kg；(4)在一定旋转速率下进行腐蚀，然后进行超声清洗，用浓度为45％±5％的氢氧化钠溶液完成腐蚀，旋转速率25±5r/min；后续完成正常抛光、清洗工序。根据本发明的方法，在不影响激光打标目视读取的前提下，通过清洗、研磨、腐蚀，将激光打标造成的孔洞周围烧结的硅粉烧结物和残留在硅片表面的硅粉有效去除，提高硅抛光片的TIR和STIR等表面几何参数以及颗粒品质，从而满足IC制造中更高精度的光刻制程，进而满足高品质轻掺硅片的制备需求。
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公开(公告)号：CN112735942B
公开(公告)日：2022-10-28
申请号：CN202011642678.1
申请日：2020-12-30
申请人： 有研半导体硅材料股份公司 , 山东有研半导体材料有限公司
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/205 , H01L29/10 , H01L29/739 , C30B15/00 , C30B28/12 , C30B29/06 , C30B30/04 , B28D5/02
摘要： 本发明公开了一种IGBT用硅衬底抛光片的制备方法，包括：硅单晶生长→晶体检测→滚磨→多线切割→倒角→双面研磨→化学腐蚀→POLY薄膜生长→中间检测→化学机械抛光→清洗→出厂检验，在拉晶过程中采用水平磁场，磁场强度为1000‑5000高斯，磁场形状为马鞍形，晶转为5‑15rpm，埚转为0.1‑3rpm，晶体生长时控制液面位置波动范围为±0.5mm；在倒角工序中，分别使用1000#倒角轮倒角2次，3000#倒角轮倒角2次，最终倒角幅长控制在500‑700μm；在POLY薄膜生长工序中，载具转速为0.5‑3rpm，LPCVD的工艺温度区间为600‑630℃，LPCVD的气体流量区间为50‑200mL/min。采用本发明能够获得晶体微缺陷极少、几何参数高度精密的IGBT用8英寸硅衬底抛光片。
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公开(公告)号：CN114346924B
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202111616066.X
申请日：2021-12-27
申请人： 山东有研半导体材料有限公司 , 有研半导体硅材料股份公司
IPC分类号： B24D18/00 , B24B1/00 , B28D5/04 , B28D5/00 , H01L21/762
摘要： 本发明公开了一种用于键合工艺的硅衬底抛光片的制备方法，包括以下步骤：(1)采用磁场拉晶法进行拉晶，磁场类型为水平磁场，磁场强度为1000‑5000高斯，磁场形状为马鞍形，晶转为5‑15rpm，埚转为0.1‑3rpm；控制晶体生长时液面位置+/‑0.5mm波动范围；(2)进行滚磨及线切割；(3)进行倒角轮廓设计与加工，进行四次倒角，分别使用800#导轮粗倒2次，1000‑3000#导轮精倒2次，使用非对称倒角，轮廓幅长X1大于600μm，X2小于300μm；(4)进行研磨腐蚀，先进行碱腐蚀，再进行酸腐蚀，碱腐蚀去除量控制在5‑15μm，酸腐蚀去除量控制在15‑20μm；(5)进行抛光，抛光转速控制在30‑50rpm，压力控制在300‑500kg，化学液浓度控制在1∶15‑1∶30，pH值控制在9‑13，蜡膜厚度控制在1‑3μm；(6)进行清洗检测；(7)进行边缘形状评估。
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公开(公告)号：CN116240621A
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202211727056.8
申请日：2022-12-27
申请人： 山东有研半导体材料有限公司 , 有研半导体硅材料股份公司
摘要： 本发明公开了一种直拉法制备超高电阻率硅衬底的方法，该方法的工艺流程为：直拉法制备硅单晶→单晶棒滚磨→多线切割→边缘倒角→双面研磨→化学腐蚀→热处理→化学机械抛光；其中，在所述直拉法制备硅单晶的工序中，单晶生长过程中使用水平超导磁场，磁场强度为1000‑5000高斯，同时，采用特定的晶体转速和坩埚转速相配合，晶体转速为1‑12rpm，坩埚转速为0.1‑2rpm；在所述热处理工序为POLY+LTO薄膜生长；或者为高温退火。该方法适用于制备直径在8英寸及以上、电阻率在3000Ω·cm以上、氧含量在5ppma以下的P型硅衬底。所制备的单晶氧含量低于5ppma，退火后电阻率能够达到3000Ω·cm以上，并且氧含量均匀性小于10％，电阻率均匀性小于5％。
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公开(公告)号：CN114351243B
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202111487642.5
申请日：2021-12-07
申请人： 山东有研半导体材料有限公司 , 有研半导体硅材料股份公司
摘要： 本发明公开了一种N型掺杂硅单晶的制备方法，利用直拉法，将熔体硅原始质量设为W3；熔体液面到达r弧形过渡区时的熔体硅的重量设为W2；熔体液面到达r弧形过渡区与底部R弧形区相交位置时的熔体硅的重量设为W1；在坩埚内剩余熔体硅的重量为1.5W2时，开启底部加热器S10；在剩余熔体硅的重量从1.5W2变化至W2的过程中，底部加热器S10的输出功率从主加热器S11输出功率的0％线性提升到主加热器S11输出功率的10％～15％；在剩余熔体硅的重量从W2变化至W1的过程中，底部加热器S10的输出功率由主加热器S11输出功率的10％～15％线性提升到主加热器S11输出功率的30％～35％，并保持到收尾完成。采用本发明的制备方法能够避免或延迟高掺杂浓度导致的组分过冷现象发生，维持晶体的无位错生长。
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公开(公告)号：CN114351243A
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN202111487642.5
申请日：2021-12-07
申请人： 山东有研半导体材料有限公司 , 有研半导体硅材料股份公司
摘要： 本发明公开了一种N型掺杂硅单晶的制备方法，利用直拉法，将熔体硅原始质量设为W3；熔体液面到达r弧形过渡区时的熔体硅的重量设为W2；熔体液面到达r弧形过渡区与底部R弧形区相交位置时的熔体硅的重量设为W1；在坩埚内剩余熔体硅的重量为1.5W2时，开启底部加热器S10；在剩余熔体硅的重量从1.5W2变化至W2的过程中，底部加热器S10的输出功率从主加热器S11输出功率的0％线性提升到主加热器S11输出功率的10％～15％；在剩余熔体硅的重量从W2变化至W1的过程中，底部加热器S10的输出功率由主加热器S11输出功率的10％～15％线性提升到主加热器S11输出功率的30％～35％，并保持到收尾完成。采用本发明的制备方法能够避免或延迟高掺杂浓度导致的组分过冷现象发生，维持晶体的无位错生长。
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