发明公开
- 专利标题: 一种用于硅单晶棒连续生产的直拉硅单晶炉副炉室及方法
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申请号: CN202311840508.8申请日: 2023-12-28
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公开(公告)号: CN117758352A公开(公告)日: 2024-03-26
- 发明人: 宁永铎 , 李钧宏 , 颜俊尧 , 方峰
- 申请人: 山东有研半导体材料有限公司 , 有研半导体硅材料股份公司
- 申请人地址: 山东省德州市经济技术开发区袁桥镇东方红东路6596号(中元科技创新创业园)A座921室;
- 专利权人: 山东有研半导体材料有限公司,有研半导体硅材料股份公司
- 当前专利权人: 山东有研半导体材料有限公司,有研半导体硅材料股份公司
- 当前专利权人地址: 山东省德州市经济技术开发区袁桥镇东方红东路6596号(中元科技创新创业园)A座921室;
- 代理机构: 北京北新智诚知识产权代理有限公司
- 代理商 刘秀青
- 主分类号: C30B15/00
- IPC分类号: C30B15/00 ; C30B29/06 ; C30B15/30
摘要:
本发明公开了一种用于硅单晶棒连续生产的直拉硅单晶炉副炉室及方法,属于半导体单晶炉拉晶技术领域。所述副炉室具备:炉筒、多段波纹管以及气路连接装置,炉筒由多段腔体构成,在相邻两段腔体之间密封连接有波纹管,波纹管可沿炉筒轴向变形,并且具有径向抗压的性能;在炉筒上下两端分别设有具有密封功能的隔离阀,炉筒下端的隔离阀与主炉室上端的隔离阀匹配;在炉筒上下两端设有气路连接装置;在副炉室内部设有晶体固定机构;采用本发明的副炉室及配套的固定及转移设施,通过多个副炉室的交替使用,可实现消耗一个坩埚拉制多根单晶,缩短生产周期,大幅度提高了生产效率。
IPC分类: