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公开(公告)号：CN104769714A
公开(公告)日：2015-07-08
申请号：CN201380052412.3
申请日：2013-02-26
申请人： 晟碟信息科技(上海)有限公司
IPC分类号： H01L25/065 , H01L23/49
CPC分类号： H01L25/0657 , H01L23/3107 , H01L23/49816 , H01L23/49827 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/83 , H01L24/85 , H01L24/92 , H01L24/95 , H01L25/50 , H01L2224/05554 , H01L2224/2919 , H01L2224/2929 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/45139 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48145 , H01L2224/48147 , H01L2224/48227 , H01L2224/49175 , H01L2224/49429 , H01L2224/78301 , H01L2224/8314 , H01L2224/83856 , H01L2224/85045 , H01L2224/85205 , H01L2224/85207 , H01L2224/9222 , H01L2225/06506 , H01L2225/0651 , H01L2225/06562 , H01L2225/06572 , H01L2924/12042 , H01L2924/1438 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/0665 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
摘要： 一种半导体器件，包括交替形成台阶的半导体裸芯堆叠以允许使用短引线键合体在半导体器件内提供大量半导体裸芯。
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公开(公告)号：CN104769714B
公开(公告)日：2018-10-26
申请号：CN201380052412.3
申请日：2013-02-26
申请人： 晟碟信息科技(上海)有限公司
IPC分类号： H01L25/065 , H01L23/49
摘要： 一种半导体器件，包括交替形成台阶的半导体裸芯堆叠以允许使用短引线键合体在半导体器件内提供大量半导体裸芯。
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公开(公告)号：CN104752380B
公开(公告)日：2018-10-09
申请号：CN201310750904.1
申请日：2013-12-31
申请人： 晟碟信息科技(上海)有限公司 , 晟碟半导体(上海)有限公司
IPC分类号： H01L23/488 , H01L23/50 , H01L23/12
摘要： 本技术公开了一种半导体装置。该半导体装置包括半导体裸芯，例如控制器裸芯，安装在基板的表面上。诸如焊料的柱也可形成在基板上，位于半导体裸芯周围。柱在基板上方形成的高度大于包括任何引线键合的基板安装半导体裸芯在基板上方的高度。诸如闪存裸芯的一个或多个第二半导体裸芯的组可固定到基板，在焊料柱的顶部上，而不接触基板安装半导体裸芯。
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公开(公告)号：CN104067389A
公开(公告)日：2014-09-24
申请号：CN201280053715.2
申请日：2012-04-26
申请人： 晟碟半导体(上海)有限公司 , 晟碟信息科技(上海)有限公司
IPC分类号： H01L23/552 , H05K9/00 , H05K1/02 , H05K3/46 , H01L27/02
CPC分类号： H01L21/56 , H01L23/295 , H01L23/3135 , H01L23/49811 , H01L23/49894 , H01L23/552 , H01L24/06 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/97 , H01L25/0657 , H01L25/18 , H01L2224/04042 , H01L2224/05554 , H01L2224/06155 , H01L2224/48145 , H01L2224/48147 , H01L2224/48227 , H01L2224/49113 , H01L2224/97 , H01L2225/06506 , H01L2225/0651 , H01L2225/06537 , H01L2225/06562 , H01L2924/00014 , H01L2924/12042 , H01L2924/1433 , H01L2924/1434 , H01L2924/1438 , H01L2924/15311 , H01L2924/15313 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H01L2924/19043 , H01L2924/19105 , H01L2924/3025 , H05K1/0218 , H05K1/0298 , H05K3/3452 , H05K2201/0215 , H05K2201/083 , H01L2224/85 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
摘要： 公开了一种半导体装置，该半导体装置包括用于吸收EMI和/或RFI的材料。该装置包括：衬底(202)；一个或更多个半导体裸芯(224、225)；以及围绕所述一个或更多个半导体裸芯(224、225)的模塑料。用于吸收EMI和/或RFI的所述材料可设置在所述衬底(202)上的阻焊膜层(210)内或上。该装置还包括围绕所述模塑料并且与衬底上的EMI/RFI吸收材料相接触的EMI/RFI吸收材料，以将所述一个或更多个半导体裸芯(224、225)完全包覆在EMI/RFI吸收材料中。
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公开(公告)号：CN104067389B
公开(公告)日：2019-02-26
申请号：CN201280053715.2
申请日：2012-04-26
申请人： 晟碟半导体(上海)有限公司 , 晟碟信息科技(上海)有限公司
IPC分类号： H01L23/552 , H05K9/00 , H05K1/02 , H05K3/46 , H01L27/02
摘要： 公开了一种半导体装置，该半导体装置包括用于吸收EMI和/或RFI的材料。该装置包括：衬底(202)；一个或更多个半导体裸芯(224、225)；以及围绕所述一个或更多个半导体裸芯(224、225)的模塑料。用于吸收EMI和/或RFI的所述材料可设置在所述衬底(202)上的阻焊膜层(210)内或上。该装置还包括围绕所述模塑料并且与衬底上的EMI/RFI吸收材料相接触的EMI/RFI吸收材料，以将所述一个或更多个半导体裸芯(224、225)完全包覆在EMI/RFI吸收材料中。
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公开(公告)号：CN104752380A
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：CN201310750904.1
申请日：2013-12-31
申请人： 晟碟信息科技(上海)有限公司 , 晟碟半导体(上海)有限公司
IPC分类号： H01L23/488 , H01L23/50 , H01L23/12
CPC分类号： H01L25/18 , H01L23/3121 , H01L23/3142 , H01L24/13 , H01L24/14 , H01L24/16 , H01L24/73 , H01L24/97 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/05553 , H01L2224/05554 , H01L2224/13111 , H01L2224/13144 , H01L2224/14165 , H01L2224/16225 , H01L2224/17517 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48145 , H01L2224/48147 , H01L2224/48227 , H01L2224/49175 , H01L2224/73257 , H01L2224/73265 , H01L2224/81191 , H01L2224/81192 , H01L2224/81375 , H01L2224/92227 , H01L2224/94 , H01L2224/97 , H01L2225/06506 , H01L2225/0651 , H01L2225/06517 , H01L2225/06562 , H01L2225/06589 , H01L2225/06593 , H01L2924/014 , H01L2924/14 , H01L2924/143 , H01L2924/1434 , H01L2924/1438 , H01L2924/15192 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H01L2924/19043 , H01L2924/19105 , H01L2924/00012 , H01L2224/81 , H01L2224/85 , H01L2224/11 , H01L2924/00
摘要： 本技术公开了一种半导体装置。该半导体装置包括半导体裸芯，例如控制器裸芯，安装在基板的表面上。诸如焊料的柱也可形成在基板上，位于半导体裸芯周围。柱在基板上方形成的高度大于包括任何引线键合的基板安装半导体裸芯在基板上方的高度。诸如闪存裸芯的一个或多个第二半导体裸芯的组可固定到基板，在焊料柱的顶部上，而不接触基板安装半导体裸芯。
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