包括交替形成台阶的半导体裸芯堆叠的半导体器件

发明公开

CN104769714A 包括交替形成台阶的半导体裸芯堆叠的半导体器件有权

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专利标题： 包括交替形成台阶的半导体裸芯堆叠的半导体器件
专利标题（英）： Semiconductor device including alternating stepped semiconductor die stacks
申请号： CN201380052412.3

申请日： 2013-02-26
公开(公告)号： CN104769714A

公开(公告)日： 2015-07-08
发明人: S.库马尔 , 邱进添 , 黄大成 , 吕忠 , Z.纪
申请人： 晟碟信息科技(上海)有限公司
申请人地址： 上海市闵行区江川东路388号邮编200241
专利权人： 晟碟信息科技(上海)有限公司
当前专利权人： 晟碟信息科技(上海)有限公司
当前专利权人地址： 上海市闵行区江川东路388号邮编200241
代理机构： 北京市柳沈律师事务所
代理商 万里晴
国际申请： PCT/CN2013/071881 2013.02.26
国际公布： WO2014/131152 EN 2014.09.04
进入国家日期： 2015-04-07
主分类号： H01L25/065
IPC分类号： H01L25/065 ; H01L23/49

摘要：

一种半导体器件，包括交替形成台阶的半导体裸芯堆叠以允许使用短引线键合体在半导体器件内提供大量半导体裸芯。

摘要（英）：

A semiconductor device including alternating stepped semiconductor die stacks to allow for large numbers of semiconductor die to be provided within a semiconductor device using short wire bonds.

公开/授权文献

CN104769714B 包括交替形成台阶的半导体裸芯堆叠的半导体器件公开/授权日：2018-10-26

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IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L25/00	由多个单个半导体或其他固态器件组成的组装件（在一共用基片内或其上形成的由多个固态组件组成的器件入H01L 27/00；光伏电池的光伏模块或者阵列入H01L 31/042）
H01L25/03	.所有包含在H01L27/00至H01L51/00各组中同一小组内的相同类型的器件，例如整流二极管的组装件
H01L25/04	..不具有单独容器的器件
H01L25/065	...包含在H01L27/00组类型的器件