半导体装置的制造方法
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN110036472A

    公开(公告)日:2019-07-19

    申请号:CN201780075387.9

    申请日:2017-12-06

    Abstract: 本发明的半导体装置的制造方法具备:在包含热固化性树脂组合物的热固化性树脂膜上,将1个以上具有能动面的半导体元件以热固化性树脂膜与半导体元件的能动面接触的方式进行配置的工序(I);将配置在热固化性树脂膜上的半导体元件用半导体密封用部件进行密封的工序(II);在工序(II)之后,对热固化性树脂膜或其固化物设置达到半导体元件的能动面为止的开口的工序(III);以及,向开口填充导体或者在开口的内侧形成导体层的工序(IV)。

    半导体装置的制造方法
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN110620052A

    公开(公告)日:2019-12-27

    申请号:CN201911081295.9

    申请日:2013-06-05

    Abstract: 本发明提供可谋求生产效率的提高的半导体装置的制造方法。半导体装置(1)的制造方法包含使密封材料(7)固化的工序,在该工序中,施予将半导体元件(3)密封的密封材料(7),在与半导体元件(3)对置的模具上设置离型膜(F),并利用上模具(22)和下模具(24)使密封材料(7)固化;在离型膜(F)的与密封材料(7)接触的一侧,预先设置用于将电磁波屏蔽的金属层(9),在使密封材料(7)固化的工序中,将金属层(9)转印到密封材料(7)上。

    半导体装置的制造方法及扩展带

    公开(公告)号:CN110637355A

    公开(公告)日:2019-12-31

    申请号:CN201880033282.1

    申请日:2018-05-18

    Abstract: 本发明提供一种扩展带(1),其为在半导体装置的制造方法中使用的扩展带(1),所述半导体装置的制造方法具备带扩展工序,该带扩展工序中,通过对扩展带(1)一边加热一边进行拉伸,从而将固定在扩展带(1)上的、被制成单片的半导体芯片(2)的间隔从100μm以下扩大至300μm以上,其中,所述扩展带在所述带扩展工序的加热温度下的拉伸应力为10MPa以下,并且室温下的拉伸应力比所述加热温度下的拉伸应力高5MPa以上。

    半导体元件的安装构造以及半导体元件与基板的组合

    公开(公告)号:CN111095508A

    公开(公告)日:2020-05-01

    申请号:CN201880058813.2

    申请日:2018-09-14

    Abstract: 半导体元件的安装构造由具有元件电极的半导体元件与具有基板电极的基板经由所述元件电极与所述基板电极连接而成,该基板电极设于与所述半导体元件对置的一侧的面的与所述元件电极对置的位置,所述元件电极以及所述基板电极的一方是在前端部具有焊料层的第一突起电极,所述元件电极以及所述基板电极的另一方是在表面具有一个或两个以上的金属凸部的第一电极焊盘,所述第一电极焊盘所具有的所述金属凸部穿入所述第一突起电极所具有的所述焊料层,所述第一电极焊盘所具有的所述金属凸部的底部面积相对于所述第一电极焊盘的面积为70%以下、或者相对于在所述前端部具有焊料层的第一突起电极的所述焊料层的最大截面积为75%以下。

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