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发明公开
半导体装置的制造方法及扩展带有权

公开(公告)号：CN110637355A

公开(公告)日：2019-12-31

申请号：CN201880033282.1

申请日：2018-05-18

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 本田一尊 , 铃木直也 , 乃万裕一

IPC: H01L21/301 , C09J201/00 , H01L21/683

Abstract: 本发明提供一种扩展带(1)，其为在半导体装置的制造方法中使用的扩展带(1)，所述半导体装置的制造方法具备带扩展工序，该带扩展工序中，通过对扩展带(1)一边加热一边进行拉伸，从而将固定在扩展带(1)上的、被制成单片的半导体芯片(2)的间隔从100μm以下扩大至300μm以上，其中，所述扩展带在所述带扩展工序的加热温度下的拉伸应力为10MPa以下，并且室温下的拉伸应力比所述加热温度下的拉伸应力高5MPa以上。

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