公开(公告)号：CN1689143A

公开(公告)日：2005-10-26

申请号：CN03824408.X

申请日：2003-08-21

申请人： 微米技术有限公司

发明人： L·福尔贝斯 ,  K·Y·阿恩

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L29/49 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8238

CPC分类号： H01L21/823828 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/28562 ,  H01L29/4966

摘要： 本发明提供了一种用于晶体管的结构、系统和方法，所述晶体管具有通过原子层沉积形成的并具有可变功函的栅极。一个晶体管的实施方案包括第一源极/漏极区域；第二源极/漏极区域；位于它们之间的通道区域。栅极通过栅极绝缘体与所述通道区域分开。所述栅极包括通过原子层沉积形成的三元金属导体，以为所述三元金属导体提供被设计用于提供期望阈值电压的组成。

公开(公告)号：CN1528018A

公开(公告)日：2004-09-08

申请号：CN02807548.X

申请日：2002-02-01

申请人： 微米技术有限公司

发明人： L·福尔贝斯 ,  K·Y·阿恩

IPC分类号： H01L23/538 ,  H01L21/48 ,  H01L23/48 ,  H01L23/498 ,  H01L21/60

CPC分类号： H05K1/0222 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/147 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/481 ,  H01L23/49827 ,  H01L2223/6622 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/10252 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10271 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1432 ,  H01L2924/1435 ,  H01L2924/145 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/157 ,  H05K1/115 ,  H05K2201/09036 ,  H05K2201/09809 ,  H05K2201/09845 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明提供了一种半导体基片(12)，它包含前(14)、后(16)表面并有穿过基片在前(14)、后(16)表面之间伸展的小孔(18、20、22)。小孔(18、20、22)部分地由内壁部分界定并形成外部导电壳层。在贴近至少是一些内壁部分处形成导电材料(54)。接着，在孔内在导电材料上面径向朝内形成一层电介质材料(56)。然后在孔内在电介质材料层(56)上面径向朝内形成一层第二导电材料(60)。后一导电材料构成内部导电同轴线部件。

公开(公告)号：CN100449340C

公开(公告)日：2009-01-07

申请号：CN03802232.X

申请日：2003-01-16

申请人： 微米技术有限公司

发明人： J·E·格伊西克 ,  L·福尔贝斯

IPC分类号： G02B6/12 ,  H01L21/3065

CPC分类号： G02B6/1225 ,  B82Y20/00 ,  C30B29/60 ,  C30B33/00 ,  G02B6/13 ,  G02B2006/12078 ,  H01L29/04 ,  H01L29/06 ,  H01S5/105

摘要： 公开了用三维(3D)光子晶体形成的波导结构。所述3D光子晶体包括在固体衬底上形成的周期性空位阵列。所述空位的排列能够创造完全的光子带隙。所述空位可以使用称为”表面变换”的技术来形成，其中包括在衬底表面形成孔以及将衬底退火来启动靠近表面的衬底材料的转移最后在衬底中形成空位。在3D光子晶体中形成可以传输对应于该完全带隙的辐射的通道，由此形成波导。可以通过以下方法来所述波导：令两个光子晶体的区域对接，而其中至少一个区域具有形成在其中的通道。可以通过以下方法来选择带隙的波长：排列周期性空位，使得其点阵常数等于带隙波长的一部分。

公开(公告)号：CN100350613C

公开(公告)日：2007-11-21

申请号：CN02804798.2

申请日：2002-02-06

申请人： 微米技术有限公司

发明人： L·福尔贝斯

IPC分类号： H01L27/108

CPC分类号： H01L29/66825 ,  G11C29/789 ,  H01L21/84 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11553 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/7881

摘要： 本发明提供用于可编程存储器的寻址和译码器电路的结构和方法。存储器寻址和译码器电路包括多条地址线和多条输出线，由此地址线和输出线形成一个阵列。多个垂直柱体在输出线和地址线交叉处从半导体衬底向外延伸。每个柱体包括由氧化层分隔的单晶的第一接触层和第二接触层。靠近该多个垂直柱体选择性地设置多个单晶的超薄垂直浮栅晶体管。每个单晶的垂直浮栅晶体管包括耦连到第一接触层的超薄单晶垂直的第一源/漏区、耦连到第二接触层的超薄单晶垂直的第二源/漏区、以及与氧化层相对设置并耦连第一和第二源/漏区的超薄单晶垂直体区。浮栅与超薄单晶垂直体区相对。多条地址线的每一条地址线作为一个控制栅、设置在柱体的行之间并与单晶垂直浮栅晶体管的浮栅相对。

公开(公告)号：CN1802579A

公开(公告)日：2006-07-12

申请号：CN03802232.X

申请日：2003-01-16

申请人： 微米技术有限公司

发明人： J·E·格伊西克 ,  L·福尔贝斯

IPC分类号： G02B6/12

CPC分类号： G02B6/1225 ,  B82Y20/00 ,  C30B29/60 ,  C30B33/00 ,  G02B6/13 ,  G02B2006/12078 ,  H01L29/04 ,  H01L29/06 ,  H01S5/105

摘要： 公开了用三维(3D)光子晶体形成的波导结构。所述3D光子晶体包括在固体衬底上形成的周期性空位阵列。所述空位的排列能够创造完全的光子带隙。所述空位可以使用称为”表面变换”的技术来形成，其中包括在衬底表面形成孔以及将衬底退火来启动靠近表面的衬底材料的转移最后在衬底中形成空位。在3D光子晶体中形成可以传输对应于该完全带隙的辐射的通道，由此形成波导。可以通过以下方法来所述波导：令两个光子晶体的区域对接，而其中至少一个区域具有形成在其中的通道。可以通过以下方法来选择带隙的波长：排列周期性空位，使得其点阵常数等于带隙波长的一部分。

公开(公告)号：CN1290263C

公开(公告)日：2006-12-13

申请号：CN02804793.1

申请日：2002-02-06

申请人： 微米技术有限公司

发明人： L·福尔贝斯

IPC分类号： H03K19/177 ,  H01L25/00 ,  G06F7/38

CPC分类号： H01L27/11803 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/7881 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 用于具有超薄垂直体晶体管的在使用中可编程的逻辑阵列的结构和方法被提供。在使用中可编程的逻辑阵列包括接收多个输入信号的第一逻辑平面。第一逻辑平面具有以行和列被安排的多个逻辑元，其被互连以提供多个逻辑输出。第二逻辑平面具有以行和列被安排的多个逻辑元，其接收第一逻辑平面的输出并被互连以产生多个逻辑输出以使在使用中可编程的逻辑阵列实施逻辑功能。每个逻辑元都包括从半导体基片向外延伸的垂直支柱。每个支柱都包括由氧化物层分开的单晶第一接触层和第二接触层。至少一个单晶超薄垂直浮栅晶体管被布置得与每个垂直支柱相邻。单晶垂直浮栅晶体管包括：被耦合于第一接触层的超薄单晶垂直第一源/漏区，被耦合于第二接触层的超薄单晶垂直第二源/漏区；以及与所述氧化物层相对并耦合第一和第二源/漏区的超薄单晶垂直体区。垂直浮栅与所述超薄单晶垂直体区相对。

公开(公告)号：CN1672244A

公开(公告)日：2005-09-21

申请号：CN03817714.5

申请日：2003-06-05

申请人： 微米技术有限公司

发明人： K·Y·阿恩 ,  L·福尔贝斯

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L29/51

CPC分类号： H01L21/28185 ,  H01L21/28176 ,  H01L21/28194 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518

摘要： 一种含HfAlO3的介质薄膜和一种制作这一类介质薄膜的方法生产出了一种可靠的栅介质，它具有的等效氧化物厚度比采用SiO2可能得到的要薄。栅介质通过采用铪顺序和铝顺序的原子层沉积法形成。铪顺序采用了HfCl4和水蒸气。铝顺序采用了或者是三甲基铝，Al(CH3)3，或者DMEAA，一种铝烷(AlH3)和二甲基乙胺【N(CH3)2(C2H5)】的加成物，加上蒸馏水蒸气。这些含HfAlO3薄膜的栅介质均是热力稳定的，以致这HfAlO3薄膜在加工过程中与硅衬底或其它结构有极微弱的反应。

公开(公告)号：CN1502133A

公开(公告)日：2004-06-02

申请号：CN02804798.2

申请日：2002-02-06

申请人： 微米技术有限公司

发明人： L·福尔贝斯

IPC分类号： H01L27/108

CPC分类号： H01L29/66825 ,  G11C29/789 ,  H01L21/84 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11553 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/7881

摘要： 本发明提供用于可编程存储器的寻址和译码器电路的结构和方法。存储器寻址和译码器电路包括多条地址线和多条输出线，由此地址线和输出线形成一个阵列。多个垂直柱体在输出线和地址线交叉处从半导体衬底向外延伸。每个柱体包括由氧化层分隔的单晶的第一接触层和第二接触层。靠近该多个垂直柱体选择性地设置多个单晶的超薄垂直浮栅晶体管。每个单晶的垂直浮栅晶体管包括耦连到第一接触层的超薄单晶垂直的第一源/漏区、耦连到第二接触层的超薄单晶垂直的第二源/漏区、以及与氧化层相对设置并耦连第一和第二源/漏区的超薄单晶垂直体区。浮栅与超薄单晶垂直体区相对。多条地址线的每一条地址线作为一个控制栅、设置在柱体的行之间并与单晶垂直浮栅晶体管的浮栅相对。

公开(公告)号：CN1491417B

公开(公告)日：2010-04-28

申请号：CN02804908.X

申请日：2002-02-12

申请人： 微米技术有限公司

发明人： L·福尔贝斯

IPC分类号： G11C11/34 ,  G11C7/00

CPC分类号： G11C8/10 ,  G11C16/0466 ,  G11C29/789

摘要： p沟道MOSFET器件(300)通过利用不正常空穴产生在存储器译码电路中用作可编程熔丝或反熔丝。施加足够大的负栅极偏置电压(314)，以使隧道电子获得足够的能量越过氧化物(312)的带隙能量。这使得在硅衬底中产生高能空穴-电子对。然后，空穴从衬底注入到氧化物中，并保持被捕获。导致p沟道MOSFET的阈值电压发生大的偏移。随后，通过施加正栅极偏置电压可以复位该器件。

公开(公告)号：CN100444387C

公开(公告)日：2008-12-17

申请号：CN02807854.3

申请日：2002-02-01

申请人： 微米技术有限公司

发明人： L·福尔贝斯 ,  K·Y·阿恩

IPC分类号： H01L27/108 ,  H01L21/8242 ,  H01L29/788 ,  H01L21/335

CPC分类号： B82Y10/00 ,  G11C2216/08 ,  H01L21/266 ,  H01L27/108 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/7888 ,  Y10S438/947

摘要： 一种形成具有亚光刻尺寸的边缘限定结构的方法，所述结构又用于形成存储单元中的导电沟道和/或存储结构。牺牲氮化硅岛(20)在低温下淀积，然后形成图案并使用高分辨率蚀刻工艺来蚀刻。随后，多晶硅(22)淀积在牺牲氮化硅岛之上，并定向蚀刻以形成边缘限定多晶硅点结构和带结构(24)，这些结构大约是最小特征尺寸的十分之一。边缘限定多晶硅带和点在NMOS器件的源区和漏区之间形成。在常规COMS工艺中，去除牺牲氮化硅岛之后，边缘限定多晶硅带和点用于掩蔽阈值电压注入。在去除边缘限定多晶硅带和点之后，形成导电沟道(87)和两个相邻的最小电势点(89)。