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公开(公告)号：CN102017094B
公开(公告)日：2013-11-20
申请号：CN200980116558.3
申请日：2009-04-29
Applicant: 应用材料公司
Inventor： J·钱 , S·瀚达帕尼 , H·Q·李 , T·H·奥斯特赫尔德 , Z·朱
IPC: H01L21/304
CPC classification number: B24B37/013 , B24B49/12
Abstract: 一种计算机实施的方法包括：用实地光学监测系统获得至少一个当前光谱，将所述当前光谱与多个不同的参考光谱进行比较，以及基于所述比较来确定对于具有经受抛光的最外层的基板来说是否已到达抛光终点。所述当前光谱是从基板反射的光的光谱，所述基板具有经受抛光的最外层和至少一个下面层。所述多个参考光谱代表从基板反射的光的光谱，所述基板具有厚度相同的最外层和厚度不同的下面层。
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公开(公告)号：CN103537975A
公开(公告)日：2014-01-29
申请号：CN201310496357.9
申请日：2009-04-29
Applicant: 应用材料公司
Inventor： J·钱 , S·瀚达帕尼 , H·Q·李 , T·H·奥斯特赫尔德 , Z·朱
IPC: B24B37/013 , B24B49/02 , H01L21/304
CPC classification number: B24B37/013 , B24B49/12 , B24B49/02 , H01L21/304
Abstract: 一种计算机实施的方法包括：用实地光学监测系统获得至少一个当前光谱，将所述当前光谱与多个不同的参考光谱进行比较，和基于所述比较来确定对于具有经受抛光的最外层的基板来说是否已到达抛光终点。所述当前光谱是从基板反射的光的光谱，所述基板具有经受抛光的最外层和至少一个下面层。所述多个参考光谱代表从基板反射的光的光谱，所述基板具有厚度相同的最外层和厚度不同的下面层。
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公开(公告)号：CN102782814A
公开(公告)日：2012-11-14
申请号：CN201180007343.5
申请日：2011-04-13
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/304
CPC classification number: B24B53/017 , B24B37/042
Abstract: 提供了一种用于调整CMP系统中的抛光垫片的方法与设备。在一具体实施例中，一种用于调整抛光垫片的方法包含：对调整盘施加向下力，该向下力推进该调整盘抵住该抛光垫片；测量使该调整盘刮扫该抛光垫片所需的力矩；比较所测量的力矩与模式化力轮廓(MFP)，藉以确定向下力的变化量；以及响应于所确定的变化量，调整该调整盘施抵该抛光垫片的向下力。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102858495B
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201180007366.6
申请日：2011-04-14
Applicant: 应用材料公司
IPC: B23P23/02 , G05B19/18 , B24B37/34 , B24B37/005 , B24B49/03 , B24B53/007 , H01L21/304
CPC classification number: B24B53/017 , B24B37/042
Abstract: 本文所描述的实施例使用调节扫描的闭环控制(CLC)，以在整个垫寿命期间跨垫实现均匀的沟槽深度移除。集成至调节臂中的传感器能够现场且实时地监控垫堆栈厚度。自厚度传感器的反馈用于修改跨垫表面的垫调节器驻留时间，从而校正随垫及盘老化而可能出现的垫外形中的漂移。垫外形CLC在连续调节情况下实现沟槽深度的均匀缩减，进而提供较长的消耗品寿命及降低的操作成本。
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公开(公告)号：CN102725832B
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：CN201180007441.9
申请日：2011-09-12
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/304 , H01L21/66
CPC classification number: B24B53/007 , B24B37/005
Abstract: 提供用于调节CMP系统中的抛光垫的设备与方法。在一个实施例中，提供一种用于抛光衬底的设备。此设备包含可旋转平台与调节装置，所述可旋转平台与调节装置耦接到基座。调节装置包含轴杆，所述轴杆藉由第一马达可旋转地耦接到基座。可旋转调节头藉由臂耦接到轴杆。调节头耦接到第二马达，所述第二马达控制调节头的旋转。提供一个或更多个测量装置，所述一个或更多个测量装置可运作地用于感测轴杆相对于基座的旋转力度量以及调节头的旋转力度量。
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公开(公告)号：CN102858495A
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN201180007366.6
申请日：2011-04-14
Applicant: 应用材料公司
IPC: B24B37/34 , B24B37/005 , B24B49/03 , B24B53/007 , H01L21/304
CPC classification number: B24B53/017 , B24B37/042
Abstract: 本文所描述的实施例使用调节拂掠的闭回路控制(closed-loop control；CLC)，以在整个垫寿命期间赋能跨越该垫的均匀沟槽深度移除。整合至调节臂中的一感测器能现场且即时监控该垫堆迭厚度。自该厚度感测器的反馈用于修改跨越该垫表面的垫调节器驻留时间，而校正随该垫及盘老化而可能出现的该垫外形中的漂移。垫外形CLC在连续调节情况下赋能沟槽深度的均匀缩减，进而提供较长的消耗品寿命及降低的操作成本。
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公开(公告)号：CN102782815A
公开(公告)日：2012-11-14
申请号：CN201180007344.X
申请日：2011-06-21
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/304
CPC classification number: B24B37/26 , B24B37/005 , B24B37/042 , B24B57/02
Abstract: 本发明的实施例总体涉及用于化学机械抛光基板的方法。这些方法一般包含以下步骤：测量抛光垫的厚度，该抛光垫在抛光表面上具有沟槽或其他的浆液传送特征部。一旦确定该抛光表面上的这些沟槽的深度，即可响应于所确定的沟槽深度而调整抛光浆液的流量。在该抛光表面上抛光预定数量的基板。可视情况而重复该方法。
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公开(公告)号：CN102725832A
公开(公告)日：2012-10-10
申请号：CN201180007441.9
申请日：2011-09-12
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/304 , H01L21/66
CPC classification number: B24B53/007 , B24B37/005
Abstract: 提供用于调节CMP系统中的研磨垫的设备与方法。在一实施例中，提供一种用于研磨基材的设备。此设备包含可旋转平台与调节装置，该可旋转平台与调节装置耦接到基座。调节装置包含轴杆，该轴杆藉由第一马达可旋转地耦接到基座。可旋转调节头藉由臂耦接到轴杆。调节头耦接到第二马达，该第二马达控制调节头的旋转。提供一或更多个测量装置，该一或更多个测量装置可运作地用于感测轴杆相对于基座的旋转力量指标以及调节头的旋转力量指标。
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