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公开(公告)号：CN103180932A
公开(公告)日：2013-06-26
申请号：CN201180051503.6
申请日：2011-09-30
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/3065 , H01L21/027
CPC classification number: H01L21/0273 , H01J37/32192 , H01J37/3266 , H01J37/32678 , H01J2237/3343 , H01L21/31138
Abstract: 本发明提供用于控制及改型光刻胶层的线宽粗糙度（LWR）的方法和设备。在一个实施例中，一种用于控制配置于基板上的光刻胶层的线宽粗糙度的设备包括：腔室主体，所述腔室主体具有界定内部处理区域的顶壁、侧壁和底壁；微波功率发生器，所述微波功率发生器通过波导件耦接至所述腔室主体；以及一个或多个线圈或磁体，所述线圈或磁体配置在所述腔室主体的外周边周围且邻接所述波导件；以及气体源，所述气体源通过气体递送通路耦接至所述波导件。
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公开(公告)号：CN104081514A
公开(公告)日：2014-10-01
申请号：CN201380007166.X
申请日：2013-01-31
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/677 , H01L21/205 , C23C16/44
CPC classification number: C23C16/4584 , C23C16/45519 , C23C16/45551 , C23C16/54 , H01L21/67742
Abstract: 在此提供一种用于处理多个基板的基板处理系统，且该基板处理系统大体上包括至少一个基板处理平台以及至少一个基板储备平台。该基板处理平台包括旋转轨道系统，该旋转轨道系统能够支撑多个基板支撑组件，且能够连续地旋转该等基板支撑组件，每一基板支撑组件上搭载基板。每一基板定位在配置于旋转轨道系统上的基板支撑组件上，且透过至少一个喷头站与至少一个缓冲站受处理，该至少一个喷头站与至少一个缓冲站定位在该基板处理平台的该旋转轨道系统顶上。配置在该等基板支撑组件上的多个基板进出该基板处理平台而受处理。该基板储备平台包括至少一个双基板处理站，每一双基板处理站包括两个基板支撑组件，以在该等基板支撑组件上支撑两个基板。
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公开(公告)号：CN107267962A
公开(公告)日：2017-10-20
申请号：CN201710525409.9
申请日：2013-01-31
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/455 , C23C16/458 , C23C16/54
Abstract: 提供一种用于处理多个基板的基板处理系统及方法，且该基板处理系统大体上包括至少一个基板处理平台以及至少一个基板储备平台。该基板处理平台包括旋转轨道系统，该旋转轨道系统能够支撑多个基板支撑组件，且能够连续地旋转该等基板支撑组件，每一基板支撑组件上搭载基板。每一基板定位在配置于旋转轨道系统上的基板支撑组件上，且透过至少一个喷头站与至少一个缓冲站受处理，该至少一个喷头站与至少一个缓冲站定位在该基板处理平台的该旋转轨道系统顶上。配置在该等基板支撑组件上的多个基板进出该基板处理平台而受处理。该基板储备平台包括至少一个双基板处理站，每一双基板处理站包括两个基板支撑组件，以在该等基板支撑组件上支撑两个基板。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104081514B
公开(公告)日：2017-07-28
申请号：CN201380007166.X
申请日：2013-01-31
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/677 , H01L21/205 , C23C16/44
CPC classification number: C23C16/4584 , C23C16/45519 , C23C16/45551 , C23C16/54 , H01L21/67742
Abstract: 在此提供一种用于处理多个基板的基板处理系统，且该基板处理系统大体上包括至少一个基板处理平台以及至少一个基板储备平台。该基板处理平台包括旋转轨道系统，该旋转轨道系统能够支撑多个基板支撑组件，且能够连续地旋转该等基板支撑组件，每一基板支撑组件上搭载基板。每一基板定位在配置于旋转轨道系统上的基板支撑组件上，且透过至少一个喷头站与至少一个缓冲站受处理，该至少一个喷头站与至少一个缓冲站定位在该基板处理平台的该旋转轨道系统顶上。配置在该等基板支撑组件上的多个基板进出该基板处理平台而受处理。该基板储备平台包括至少一个双基板处理站，每一双基板处理站包括两个基板支撑组件，以在该等基板支撑组件上支撑两个基板。
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公开(公告)号：CN107267962B
公开(公告)日：2020-01-10
申请号：CN201710525409.9
申请日：2013-01-31
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/455 , C23C16/458 , C23C16/54
Abstract: 提供一种用于处理多个基板的基板处理系统及方法，且该基板处理系统大体上包括至少一个基板处理平台以及至少一个基板储备平台。该基板处理平台包括旋转轨道系统，该旋转轨道系统能够支撑多个基板支撑组件，且能够连续地旋转该等基板支撑组件，每一基板支撑组件上搭载基板。每一基板定位在配置于旋转轨道系统上的基板支撑组件上，且透过至少一个喷头站与至少一个缓冲站受处理，该至少一个喷头站与至少一个缓冲站定位在该基板处理平台的该旋转轨道系统顶上。配置在该等基板支撑组件上的多个基板进出该基板处理平台而受处理。该基板储备平台包括至少一个双基板处理站，每一双基板处理站包括两个基板支撑组件，以在该等基板支撑组件上支撑两个基板。
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公开(公告)号：CN104115257A
公开(公告)日：2014-10-22
申请号：CN201380009300.X
申请日：2013-01-24
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/027 , H01L21/205 , H01L21/3065
CPC classification number: G03F7/16 , G03F7/0035 , G03F7/165 , G03F7/167
Abstract: 在本揭示案中提供执行原子层沉积光刻工艺的方法与设备。在一个实施例中，在器件中的材料层上形成特征的方法包括以下步骤：脉冲第一反应剂气体混合物至设置于处理腔室中的基板的表面以在基板表面上形成材料层的第一单层、引导高能辐射以处理第一单层的第一区，及脉冲第二反应剂气体混合物至基板表面以选择性地在第一单层的第二区上形成第二单层。
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公开(公告)号：CN103608900A
公开(公告)日：2014-02-26
申请号：CN201280028768.9
申请日：2012-05-23
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/301
CPC classification number: H01L21/78 , B23K26/0624 , B23K26/364 , B23K26/40 , B23K2101/40 , B23K2103/172 , B23K2103/50 , H01L21/30655 , H01L21/3086 , H01L21/67207
Abstract: 藉由激光划线及等离子体蚀刻二者来分割基板的方法。一种方法包括下列步骤：利用等离子体蚀刻腔室，藉由累积一厚度的经等离子体沉积聚合物以形成原位掩模，以保护IC凸块表面不受后续等离子体蚀刻。可与经等离子体沉积聚合物一起应用第二掩模材料，诸如水溶性的掩模材料。以飞秒激光划线工艺图案化所述掩模的至少某些部分，以提供具有沟槽的经图案化掩模。图案化暴露出介于IC之间的基板区域，在所述区域中，所述基板受到等离子体蚀刻以裁切IC，且水溶性的材料层被洗掉。
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公开(公告)号：CN204407286U
公开(公告)日：2015-06-17
申请号：CN201420623205.0
申请日：2014-10-24
Applicant: 应用材料公司
CPC classification number: H05B3/22 , C23C16/458 , C23C16/4586 , C23C16/50 , H01L21/67103 , H05B2203/003
Abstract: 本实用新型通常涉及用于处理腔室中的衬底支撑件。衬底支撑件被分成多个象限，其中每一象限能够独立于其他象限加热。独立加热允许衬底支撑件提供不同加热至同时布置在衬底支撑件上的不同衬底，或至公用衬底的不同区域。因此，衬底加热可被定制以确保发生衬底或多个衬底的所需处理。
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