普雷斯顿矩阵产生器
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN111699074A

    公开(公告)日:2020-09-22

    申请号:CN201980012030.5

    申请日:2019-12-18

    Abstract: 一种产生矩阵以将化学机械抛光系统的多个可控制参数与抛光速率分布相关的方法包括抛光测试基板。使用将第一参数设置为第一值的基线参数值,来针对第一时间段抛光测试基板,并且使用将第一参数设置为修改的第二值的第一修改参数值,来针对第二时间段抛光测试基板。在抛光期间监控测试基板的厚度,并且针对第一时间段决定基线抛光速率分布,并且针对第二时间段决定第一修改抛光速率分布。基于基线参数值、第一修改参数、基线抛光速率分布和第一修改抛光速率分布,来计算矩阵。

    使用机器学习方式以产生工艺控制参数的半导体制造

    公开(公告)号:CN111133560B

    公开(公告)日:2023-09-19

    申请号:CN201880062109.4

    申请日:2018-09-20

    Abstract: 一种用于处理基板的方法,包括使第一多个基板的每个相应的第一基板承受到改变相应的第一基板的外层的厚度的工艺,产生多组的工艺参数值;产生多个移除轮廓,使用多组的工艺参数和多个移除轮廓作为训练数据来通过反向传播训练人工类神经网络,其中所述人工类神经网络具有多个输入节点以从移除轮廓接收相应的移除值和多个输出节点以输出控制参数值,对于第二多个基板中的每个相应的第二基板,确定目标移除轮廓,通过将目标移除轮廓应用于输入节点来确定相应的控制参数值以应用,及使用相应的控制参数值使每个相应的第二基板承受到所述工艺。

    垫调节器的切割速率监控

    公开(公告)号:CN111263683B

    公开(公告)日:2024-03-15

    申请号:CN201980005305.2

    申请日:2019-03-06

    Abstract: 一种用于化学机械抛光的装置,包括平台,所述平台具有表面以支撑抛光垫;承载头,保持基板抵靠抛光垫的抛光表面;垫调节器,保持调节盘抵靠抛光表面;原位抛光垫厚度监控系统;及控制器。控制器配置成以相应临界值储存与多个调节器盘产品的每个相关联的数据、接收从多个调节盘产品选择调节器盘产品的输入、确定与经选择的调节器盘产品相关联的特定临界值、从监控系统接收信号、从信号产生垫切割速率的测量、及若垫切割速率在特定临界值之外则产生警报。

    垫调节器的切割速率监控

    公开(公告)号:CN111263683A

    公开(公告)日:2020-06-09

    申请号:CN201980005305.2

    申请日:2019-03-06

    Abstract: 一种用于化学机械抛光的装置,包括平台,所述平台具有表面以支撑抛光垫;承载头,保持基板抵靠抛光垫的抛光表面;垫调节器,保持调节盘抵靠抛光表面;原位抛光垫厚度监控系统;及控制器。控制器配置成以相应临界值储存与多个调节器盘产品的每个相关联的数据、接收从多个调节盘产品选择调节器盘产品的输入、确定与经选择的调节器盘产品相关联的特定临界值、从监控系统接收信号、从信号产生垫切割速率的测量、及若垫切割速率在特定临界值之外则产生警报。

    在抛光原位监测期间的滤波

    公开(公告)号:CN111316403B

    公开(公告)日:2024-12-13

    申请号:CN201980005581.9

    申请日:2019-03-06

    Abstract: 一种控制抛光的方法,包括:抛光基板,在抛光期间内由原位监测系统监测基板,将来自监测系统的信号滤波以产生经滤波信号,并且根据经滤波信号确定抛光终点或对抛光速率的调整的至少一个。滤波包含:使用多个扰动状态在多个不同频率下,建模多个周期性扰动;使用工厂状态建模下层信号;和将线性预测滤波器应用至工厂状态和多个扰动状态,以产生代表下层信号的经滤波信号。

    普雷斯顿矩阵产生器
    7.
    发明授权

    公开(公告)号:CN111699074B

    公开(公告)日:2024-05-03

    申请号:CN201980012030.5

    申请日:2019-12-18

    Abstract: 一种产生矩阵以将化学机械抛光系统的多个可控制参数与抛光速率分布相关的方法包括抛光测试基板。使用将第一参数设置为第一值的基线参数值,来针对第一时间段抛光测试基板,并且使用将第一参数设置为修改的第二值的第一修改参数值,来针对第二时间段抛光测试基板。在抛光期间监控测试基板的厚度,并且针对第一时间段决定基线抛光速率分布,并且针对第二时间段决定第一修改抛光速率分布。基于基线参数值、第一修改参数、基线抛光速率分布和第一修改抛光速率分布,来计算矩阵。

    在抛光原位监测期间的滤波

    公开(公告)号:CN111316403A

    公开(公告)日:2020-06-19

    申请号:CN201980005581.9

    申请日:2019-03-06

    Abstract: 一种控制抛光的方法,包括:抛光基板,在抛光期间内由原位监测系统监测基板,将来自监测系统的信号滤波以产生经滤波信号,并且根据经滤波信号确定抛光终点或对抛光速率的调整的至少一个。滤波包含:使用多个扰动状态在多个不同频率下,建模多个周期性扰动;使用工厂状态建模下层信号;和将线性预测滤波器应用至工厂状态和多个扰动状态,以产生代表下层信号的经滤波信号。

    使用机器学习方式以产生工艺控制参数的半导体制造

    公开(公告)号:CN111133560A

    公开(公告)日:2020-05-08

    申请号:CN201880062109.4

    申请日:2018-09-20

    Abstract: 一种用于处理基板的方法,包括使第一多个基板的每个相应的第一基板承受到改变相应的第一基板的外层的厚度的工艺,产生多组的工艺参数值;产生多个移除轮廓,使用多组的工艺参数和多个移除轮廓作为训练数据来通过反向传播训练人工类神经网络,其中所述人工类神经网络具有多个输入节点以从移除轮廓接收相应的移除值和多个输出节点以输出控制参数值,对于第二多个基板中的每个相应的第二基板,确定目标移除轮廓,通过将目标移除轮廓应用于输入节点来确定相应的控制参数值以应用,及使用相应的控制参数值使每个相应的第二基板承受到所述工艺。

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