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公开(公告)号：CN103459082B
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201180066293.8
申请日：2011-11-29
Applicant: 尤里·杰奥尔杰维奇·施赖特尔 , 尤里·托马索维奇·列巴涅 , 阿列克谢·弗拉基米罗维奇·米罗诺夫
Inventor： 尤里·杰奥尔杰维奇·施赖特尔 , 尤里·托马索维奇·列巴涅 , 阿列克谢·弗拉基米罗维奇·米罗诺夫
CPC classification number: B23K26/57 , B23K26/0006 , B23K26/0622 , B23K26/364 , B23K26/38 , B23K26/40 , B23K26/53 , B23K2101/40 , B23K2103/50 , B23K2103/56 , B28D5/0011 , C30B29/406 , C30B33/06 , H01L33/0079
Abstract: 本发明提供了分离半导体晶体（101）的表面层（307）的方法的两个变型。在该方法的第一变型中，聚焦激光束（102）被引导到晶体（101）上，使得焦点位于垂直于所述光束（102）的轴线（103）的层分离平面（304）中，使激光束（102）运动，以便在从晶体（101）的开放侧表面深入晶体的方向上用焦点扫描层分离平面（304），以形成连续狭缝，该连续狭缝的宽度随着激光束（102）的每次经过而增大，前面的操作被执行直至表面层（307）分离。在该方法的第二变型中，产生脉冲激光发射；聚焦激光束被引导到晶体上，使得焦点位于垂直于所述光束的轴线的层分离平面中，使激光束运动，使得焦点在层分离平面中运动，从而形成具有晶体结构的受扰拓扑并且具有减少的原子间键的非重叠局部区域，其中所述局部区域分布在整个所述平面上，扰乱所述减少的原子间键的外部作用被施加到可分离层上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106134021B
公开(公告)日：2019-01-18
申请号：CN201580011511.6
申请日：2015-03-05
Applicant: 尤里·杰奥尔杰维奇·施赖特尔 , 尤里·托马索维奇·列巴涅 , 阿列克谢·弗拉基米罗维奇·米罗诺夫
Inventor： 尤里·杰奥尔杰维奇·施赖特尔 , 尤里·托马索维奇·列巴涅 , 阿列克谢·弗拉基米罗维奇·米罗诺夫
Abstract: 本发明提出了一种半导体发光装置，其包括两个或更多个激光二极管，其中，每个激光二极管均具有对称轴线，其中，所述激光二极管通过这种方式串联设置在所述发光装置的对称轴线上，即，该方式使得激光二极管的对称轴线一致，其中，所述激光二极管的表面连接，使得所述激光二极管进行电接触和机械接触并且形成激光二极管的棒，该激光二极管的棒辐射的方向图具有的对称轴线与所述发光装置的对称轴线一致。由于所提出的发光装置提供了高度闪光的柱形表面，所以该发光装置可以用于白光的激光灯内，以用于激发磷光体。
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公开(公告)号：CN103703552B
公开(公告)日：2018-04-24
申请号：CN201280034747.8
申请日：2012-07-13
Applicant: 尤里·杰奥尔杰维奇·施赖特尔 , 尤里·托马索维奇·列巴涅 , 阿列克谢·弗拉基米罗维奇·米罗诺夫
Inventor： 尤里·杰奥尔杰维奇·施赖特尔 , 尤里·托马索维奇·列巴涅 , 阿列克谢·弗拉基米罗维奇·米罗诺夫
IPC: H01L21/762
CPC classification number: H01L21/6835 , H01L21/02518 , H01L21/02527 , H01L21/02529 , H01L21/02532 , H01L21/0254 , H01L21/02546 , H01L21/02551 , H01L21/0257 , H01L21/02634 , H01L21/268 , H01L21/76254 , H01L33/0079 , H01L2221/68381
Abstract: 本发明提出了激光分离方法的变体，其能够从由与外延膜相同的晶体材料制成的基底上分离同质外延膜。这种激光分离的新方法是以使用精细施主和受主杂质选择性掺杂基底和外延膜为基础的。在选择性掺杂中，自由载流子在外延膜和基底中的浓度可基本上不同，这能够导致在接近残余光束区域的红外区中的吸光系数之间的强烈差异，在该红外区中，自由载流子以及光学声子与自由载流子的声子‑等离子体相互作用对光学声子的红外吸收做出重要贡献。通过适当选择掺杂级以及红外激光辐射的频率，可以实现激光辐射大体上被吸收至接近界面基底‑同质外延膜的强掺杂区域。当使用充足能量的聚焦的激光束扫描界面基底‑同质外延膜时，发生半导体晶体的热分解，随后分离该同质外延膜。与已知的方法相比，所提出的用于激光分离外延膜的方法变体的优点在于：其能够从基底上分离同质外延膜，即同质外延膜具有的禁隙的宽度与起始半导体基底的相同。所提出的方法变体能够用于分离外延膜。另外，所提出的方法能够使用高效且廉价的红外气体二氧化硅CO2或氧化硅CO激光来分离外延膜。
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公开(公告)号：CN106134021A
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：CN201580011511.6
申请日：2015-03-05
Applicant: 尤里·杰奥尔杰维奇·施赖特尔 , 尤里·托马索维奇·列巴涅 , 阿列克谢·弗拉基米罗维奇·米罗诺夫
Inventor： 尤里·杰奥尔杰维奇·施赖特尔 , 尤里·托马索维奇·列巴涅 , 阿列克谢·弗拉基米罗维奇·米罗诺夫
CPC classification number: H01S5/4043 , F21V9/30 , F21Y2115/30 , H01S5/005 , H01S5/1071 , H01S5/1075 , H01S5/2031 , H01S5/34333 , H01S5/4018 , H01S5/4056
Abstract: 本发明提出了一种半导体发光装置，其包括两个或更多个激光二极管，其中，每个激光二极管均具有对称轴线，其中，所述激光二极管通过这种方式串联设置在所述发光装置的对称轴线上，即，该方式使得激光二极管的对称轴线一致，其中，所述激光二极管的表面连接，使得所述激光二极管进行电接触和机械接触并且形成激光二极管的棒，该激光二极管的棒辐射的方向图具有的对称轴线与所述发光装置的对称轴线一致。由于所提出的发光装置提供了高度闪光的柱形表面，所以该发光装置可以用于白光的激光灯内，以用于激发磷光体。
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公开(公告)号：CN103703552A
公开(公告)日：2014-04-02
申请号：CN201280034747.8
申请日：2012-07-13
Applicant: 尤里·杰奥尔杰维奇·施赖特尔 , 尤里·托马索维奇·列巴涅 , 阿列克谢·弗拉基米罗维奇·米罗诺夫
Inventor： 尤里·杰奥尔杰维奇·施赖特尔 , 尤里·托马索维奇·列巴涅 , 阿列克谢·弗拉基米罗维奇·米罗诺夫
IPC: H01L21/762
CPC classification number: H01L21/6835 , H01L21/02518 , H01L21/02527 , H01L21/02529 , H01L21/02532 , H01L21/0254 , H01L21/02546 , H01L21/02551 , H01L21/0257 , H01L21/02634 , H01L21/268 , H01L21/76254 , H01L33/0079 , H01L2221/68381
Abstract: 本发明提出了激光分离方法的变体，其能够从由与外延膜相同的晶体材料制成的基底上分离同质外延膜。这种激光分离的新方法是以使用精细施主和受主杂质选择性掺杂基底和外延膜为基础的。在选择性掺杂中，自由载流子在外延膜和基底中的浓度可基本上不同，这能够导致在接近残余光束区域的红外区中的吸光系数之间的强烈差异，在该红外区中，自由载流子以及光学声子与自由载流子的声子-等离子体相互作用对光学声子的红外吸收做出重要贡献。通过适当选择掺杂级以及红外激光辐射的频率，可以实现激光辐射大体上被吸收至接近界面基底-同质外延膜的强掺杂区域。当使用充足能量的聚焦的激光束扫描界面基底-同质外延膜时，发生半导体晶体的热分解，随后分离该同质外延膜。与已知的方法相比，所提出的用于激光分离外延膜的方法变体的优点在于：其能够从基底上分离同质外延膜，即同质外延膜具有的禁隙的宽度与起始半导体基底的相同。所提出的方法变体能够用于分离外延膜。另外，所提出的方法能够使用高效且廉价的红外气体二氧化硅CO2或氧化硅CO激光来分离外延膜。
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公开(公告)号：CN103459082A
公开(公告)日：2013-12-18
申请号：CN201180066293.8
申请日：2011-11-29
Applicant: 尤里·杰奥尔杰维奇·施赖特尔 , 尤里·托马索维奇·列巴涅 , 阿列克谢·弗拉基米罗维奇·米罗诺夫
Inventor： 尤里·杰奥尔杰维奇·施赖特尔 , 尤里·托马索维奇·列巴涅 , 阿列克谢·弗拉基米罗维奇·米罗诺夫
CPC classification number: B23K26/57 , B23K26/0006 , B23K26/0622 , B23K26/364 , B23K26/38 , B23K26/40 , B23K26/53 , B23K2101/40 , B23K2103/50 , B23K2103/56 , B28D5/0011 , C30B29/406 , C30B33/06 , H01L33/0079
Abstract: 本发明提供了分离半导体晶体（101）的表面层（307）的方法的两个变型。在该方法的第一变型中，聚焦激光束（102）被引导到晶体（101）上，使得焦点位于垂直于所述光束（102）的轴线（103）的层分离平面（304）中，使激光束（102）运动，以便在从晶体（101）的开放侧表面深入晶体的方向上用焦点扫描层分离平面（304），以形成连续狭缝，该连续狭缝的宽度随着激光束（102）的每次经过而增大，前面的操作被执行直至表面层（307）分离。在该方法的第二变型中，产生脉冲激光发射；聚焦激光束被引导到晶体上，使得焦点位于垂直于所述光束的轴线的层分离平面中，使激光束运动，使得焦点在层分离平面中运动，从而形成具有晶体结构的受扰拓扑并且具有减少的原子间键的非重叠局部区域，其中所述局部区域分布在整个所述平面上，扰乱所述减少的原子间键的外部作用被施加到可分离层上。
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