激光退火装置和激光薄膜形成装置

    公开(公告)号:CN100349269C

    公开(公告)日:2007-11-14

    申请号:CN03141112.6

    申请日:2003-06-09

    CPC classification number: B23K26/0608 B23K26/0604 C23C14/28 C23C16/483

    Abstract: 一种激光退火装置,备有由至少一个氮化镓(GaN)系半导体激光器产生的多个波长350~450nm的激光束的发光点构成的激光光源和由该光源发出的激光束在退火面上扫描的扫描器,从而可采用可连续驱动、输出稳定性优异的半导体激光,以良好重复性且高速地形成具有良好结晶特性的高迁移率的多晶硅膜。而激光退火装置还可备有根据各控制信号而改变配置在基板上的多数象素部分的光调制状态、调制发自激光光源的激光束之空间光调制元件。还有,作为应用例可举激光薄膜形成装置,其备有用至少一种半导体激光器产生的多个发光点构成的激光光源、把该光源发出的激光束以线状集束于上述基板的幅度方向的光学系统,从而把激光束入射到反应容器内并把其中的原料气体光解而沉积在基板上形成薄膜。

    激光模块
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1604413A

    公开(公告)日:2005-04-06

    申请号:CN200410095975.3

    申请日:2004-09-28

    CPC classification number: G02B6/4206 G02B6/4248

    Abstract: 将具有振荡波长为350~450nm范围的半导体激光元件配置在密闭容器内而形成的激光模块中,抑制了密闭容器内的有机挥发气体的产生,达到了高寿命化。将具有振荡波长为350~45nm范围、取得寿命为5500小时或其以上的半导体激光LD7配置在密闭容器(40、41)内而形成激光模块中,一方面采用在150℃用GC-MASS评价有机挥发气体产生量为10μg/g或其以下的部件作为配置在密闭容器(40、41)内的光学部件,一方面采用在150℃用GC-MASS评价有机挥发气体产生量为300μg/g或其以下的试剂作为固定光学部件(例如准直透镜17)的有机粘接剂。

    激光装置
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1497286A

    公开(公告)日:2004-05-19

    申请号:CN03135970.1

    申请日:2003-09-30

    Abstract: 一种激光装置,具有多个半导体激光元件、多模式光学纤维和将由所述多个半导体激光元件分别发射出来的激光束聚光并结合在所述多模式光学纤维入射端的聚光光学系统,在由排列固定在由铜或铜合金构成的加热部件(放热块)(10)上的8个触头状的横向单模单腔的GaN类半导体激光器(LD1)、(LD2)、(LD3)、(LD4)、(LD5)、(LD6)、(LD7)及(LD8)、视准透镜(11)、聚光透镜(12)、一束多模式光学纤维(13)组成的激光装置的光学纤维的发射端上,熔接有长方体的玻璃14。根据本发明可以用低成本获得高输出和可靠性。

    激光模块
    5.
    发明授权

    公开(公告)号:CN100523897C

    公开(公告)日:2009-08-05

    申请号:CN200410095975.3

    申请日:2004-09-28

    CPC classification number: G02B6/4206 G02B6/4248

    Abstract: 将具有振荡波长为350~450nm范围的半导体激光元件配置在密闭容器内而形成的激光模块中,抑制了密闭容器内的有机挥发气体的产生,达到了高寿命化。将具有振荡波长为350~450mm范围、取得寿命为5500小时或其以上的半导体激光LD7配置在密闭容器(40、41)内而形成激光模块中,一方面采用在150℃用GC-MASS评价有机挥发气体产生量为10μg/g或其以下的部件作为配置在密闭容器(40、41)内的光学部件,一方面采用在150℃用GC-MASS评价有机挥发气体产生量为300μg/g或其以下的试剂作为固定光学部件(例如准直透镜17)的有机粘接剂。

    曝光头以及曝光装置
    6.
    发明授权

    公开(公告)号:CN100338490C

    公开(公告)日:2007-09-19

    申请号:CN03136897.2

    申请日:2003-05-23

    Abstract: 本发明提供一种激光装置、曝光装置及光纤的连接方法,对于束状光纤光源(66)的光纤,通过采用纤芯直径相同但出射端的包层直径比入射端的包层直径小的光纤,来缩小其发光区域。使从该高辉度化后的束状光纤光源(66)通过透镜系(77)向DMD(50)入射的光束的角度变小,即,可以缩小照明NA,减小向扫描面(56)入射的光束的角度。即,在不增大成像NA的情况下可以获得微小成像光束,使得焦点深度变深。

    显示装置
    7.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1470935A

    公开(公告)日:2004-01-28

    申请号:CN03147427.6

    申请日:2003-07-10

    CPC classification number: H04N9/3129

    Abstract: 一种激光显示装置,在激光显示装置(100)中,使DMD(50)对于副扫描方向只倾斜微小的倾角,按照沿着图像显示面(103)中的主扫描方向的光束的扫描密度设定该倾角。由此,在DMD(50)中,沿着与副扫描方向以及主扫描方向分别对应的列方向以及行方向二维排列的微反射镜的排列方向也与副扫描方向只倾斜倾角,所以由DMD(50)的各微反射镜调制的激光束(L)的集合(光束)副扫描图像显示面(103),能把显示的图像的像素密度增加到所需密度。从而,在抑制空间光调制元件的个数及像素数的增加的同时,实现图像显示的高精细化。

    激光退火装置和激光薄膜形成装置

    公开(公告)号:CN1467802A

    公开(公告)日:2004-01-14

    申请号:CN03141112.6

    申请日:2003-06-09

    CPC classification number: B23K26/0608 B23K26/0604 C23C14/28 C23C16/483

    Abstract: 一种激光退火装置,备有由至少一个氮化镓(GaN)系半导体激光器产生的多个波长350~450nm的激光束的发光点构成的激光光源和由该光源发出的激光束在退火面上扫描的扫描器,从而可采用可连续驱动、输出稳定性优异的半导体激光,以良好重复性且高速地形成具有良好结晶特性的高迁移率的多晶硅膜。而激光退火装置还可备有根据各控制信号而改变配置在基板上的多数象素部分的光调制状态、调制发自激光光源的激光束之空间光调制元件。还有,作为应用例可举激光薄膜形成装置,其备有用至少一种半导体激光器产生的多个发光点构成的激光光源、把该光源发出的激光束以线状集束于上述基板的幅度方向的光学系统,从而把激光束入射到反应容器内并把其中的原料气体光解而沉积在基板上形成薄膜。

    超声波内窥镜
    9.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101396289A

    公开(公告)日:2009-04-01

    申请号:CN200810161056.X

    申请日:2008-09-26

    CPC classification number: A61B8/00 A61B8/546

    Abstract: 一种超声波内窥镜,其中,能够利用减小的直径来抑制温度升高。所述超声波内窥镜包括:包括多个超声波换能器的超声波换能器部分;用于容纳所述超声波换能器部分的外部构件;以及导热部分,其被提供在所述外部构件内,并且分别连接到所述外部构件的内表面和所述超声波换能器部分。优选地,所述导热部分具有等于或大于10W/(m·K)的导热系数。而且,优选地,所述导热构件和所述外部构件之一具有电绝缘属性。

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